HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ชื่อแบรนด์: | Hoan |
| หมายเลขรุ่น: | HACC222S100V1200 |
| ขั้นต่ำ: | 10 ชิ้น |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T,L/C,D/P,D/A |
กล่าวโดยสรุป: Hoan HACC222S100V1200 คือตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว 2200 pF ±10%, 100 V DC ที่มาในรูปแบบของเวเฟอร์สำหรับต่อสายไฟ มีขนาด 1.20 × 1.20 × 0.20 มม. ออกแบบมาสำหรับการปล่อยประจุเร็ว โดยมีกระแสพัลส์สูงสุดสูงกว่า 40 A (10 µs, ไม่ซ้ำ), อัตราการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าขณะปล่อยประจุสูงกว่า 500 V/µs, ESR ต่ำกว่า 5 mOhm ที่ 1 MHz และ ESL โดยธรรมชาติต่ำกว่า 0.05 nH ขั้วไฟฟ้ามีความสมมาตรและไม่มีขั้ว และค่า Q ยังคงสูงกว่า 20 ที่ 10 GHz ดังนั้นจึงสามารถใช้ชิ้นส่วนเดียวกันนี้สำหรับเส้นทางพัลส์และเครือข่ายไบแอส RF ได้ ความจุ, พิกัดแรงดันไฟฟ้า, รูปทรงของเวเฟอร์ และการเคลือบโลหะสามารถปรับแต่งได้
นี่คือตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียว หรือที่เรียกว่า SLC (Single Layer Capacitor), ตัวเก็บประจุแบบชิปสำหรับต่อสายไฟ หรือตัวเก็บประจุพัลส์ MOS ไดอิเล็กทริก SiO2 ที่เติบโตด้วยความร้อนหนา 300 นาโนเมตร ถูกสร้างขึ้นบนซิลิคอนแบบ float-zone ที่มีความต้านทานสูง (>1000 Ohm·cm) และขั้วฟิล์มบางถูกสปัตเตอร์บนทั้งสองด้าน เนื่องจากเส้นทางการไหลของกระแสจะวิ่งในแนวตั้งผ่านโครงสร้างชั้นเดียวหนา 0.20 มม. แทนที่จะวิ่งผ่านขั้วภายในที่ซ้อนกัน ความเหนี่ยวนำอนุกรมและความต้านทานอนุกรมจึงยังคงต่ำ ซึ่งเป็นคุณสมบัติที่ทำให้สามารถรับกระแสปล่อยประจุสูงสุดสูงด้วยขอบสัญญาณที่รวดเร็ว
| พารามิเตอร์ | ค่ามาตรฐาน | ช่วงที่ปรับแต่งได้ |
| ความจุ | 2200 pF ±10% | 100 pF ถึง 10000 pF แบบชั้นเดียว |
| พิกัดแรงดันไฟฟ้า | 100 V DC | 6.3 V ถึง 500 V DC แบบชั้นเดียว, สูงสุด 1000 V แบบซ้อน |
| ขนาดเวเฟอร์ | 1.20 × 1.20 มม. | 0.25 × 0.25 มม. ถึง 5.0 × 5.0 มม., สี่เหลี่ยมผืนผ้าสูงสุด 4:1 |
| ความหนาเวเฟอร์ | 0.20 มม. | 0.10 มม. ถึง 0.30 มม. |
| การเคลือบโลหะด้านบน | TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au | สูงสุด 5.0 µm Au สำหรับสายไฟหนา, ตัวเลือก Al |
| การเคลือบโลหะด้านหลัง | TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au | AuSn preform 3-5 µm, AuGe, เงินเผาผนึก |
| พิกัดพัลส์ | 40 A สูงสุด, 10 kHz burst | กระแสสูงสุดสูงขึ้นด้วยเวเฟอร์ที่ขยายใหญ่ขึ้นและเลย์เอาต์แบบ multi-bond |
| ความคลาดเคลื่อนและการจับคู่ | ±10% | ±5% หรือแม่นยำกว่า, ชุดที่จับคู่ต่ำกว่า ±1% |
