HACC222S100V1200 Tụ MOS Xả Nhanh 2200 pF, Chip Dòng Xung Cao cho Trình Điều Khiển Nguồn Xung

Nói ngắn gọn: Hoan HACC222S100V1200 là tụ MOS một lớp có điện dung 2200 pF ±10%, điện áp 100 V DC, được cung cấp dưới dạng chip có thể hàn dây, kích thước 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Nó được thiết kế cho chế độ xả nhanh, với dòng xung đỉnh trên 40 A (10 µs, không lặp lại), tốc độ xả trên 500 V/µs, ESR dưới 5 mOhm ở 1 MHz và ESL nội tại dưới 0,05 nH. Các điện cực đối xứng và không phân cực, và Q vẫn trên 20 ở 10 GHz, vì vậy cùng một bộ phận có thể phục vụ đường dẫn xung và mạng phân cực RF. Điện dung, định mức điện áp, hình dạng chip và kim loại hóa có thể tùy chỉnh.

Sản phẩm này là gì?

Đây là tụ MOS một lớp, còn được gọi là SLC (tụ một lớp), tụ chip có thể hàn dây hoặc tụ xung MOS. Một lớp điện môi SiO2 dày 300 nm được hình thành trên silicon vùng nổi có điện trở suất cao (>1000 Ohm·cm), và các điện cực màng mỏng được phún xạ trên cả hai mặt. Vì đường dẫn dòng chạy dọc qua cấu trúc một lớp dày 0,20 mm thay vì qua các điện cực bên trong xếp chồng lên nhau, điện cảm nối tiếp và điện trở nối tiếp vẫn thấp, đây là đặc tính cho phép dòng xả đỉnh cao với cạnh nhanh.

Ma trận tùy chỉnh

Chất lượng, kiểm tra và tuân thủ

• 100% chip được kiểm tra sản xuất về điện dung, hệ số tiêu tán, dòng rò và điện áp chịu đựng điện môi.
• Độ bền kéo mối hàn dây thường trên 6 gf cho dây vàng 25 µm, được xác minh theo Phương pháp 2011.7 của MIL-STD-883.
• Phân loại ESD Lớp 0 theo JESD22-A114 (HBM); bao bì an toàn ESD được sử dụng xuyên suốt.
• Tuân thủ RoHS theo EU 2011/65/EU và (EU) 2015/863, tuân thủ REACH, không chứa halogen theo IEC 61249-2-21 theo yêu cầu.
• Các tệp tham số S, dữ liệu kiểm tra xung theo yêu cầu, báo cáo truy xuất nguồn gốc lô và khai báo vật liệu được cung cấp cùng với mỗi lô sản xuất.
• Hệ thống quản lý chất lượng được chứng nhận theo ISO 9001:2015.

Ứng dụng điển hình

• Mạng truyền năng lượng trình điều khiển và điều biến nguồn xung
• Đường dẫn xả nhanh trình điều khiển laser diode và LED
• Phân cực điều biến và tách nhiễu phân cực cho bộ khuếch đại công suất GaN
• Đầu cuối radar ô tô, cảm biến công nghiệp và thiết bị đo đạc
• Mạch dập tắt và lọc đầu ra bộ chuyển đổi DC-DC điện áp cao
• Định hình xung và tách nhiễu điện áp cao cho điện tử chân ATE
• Mạch lưu trữ và xả thu hoạch năng lượng