Detalles de los productos

Created with Pixso. Hogar Created with Pixso. Productos Created with Pixso.
Condensadores MOS
Created with Pixso.

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC222S100V1200
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: T/T, L/C, D/P, D/A
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Clase ESD:
Clase 0 (HBM) según JESD22-A114
Temperatura de almacenamiento:
-65°C a +150°C
Sensibilidad de humedad:
MSL 1 según J-STD-020
Cumplimiento:
RoHS UE 2011/65/UE y (UE) 2015/863, REACH, libre de halógenos IEC 61249-2-21 bajo pedido
Sistema de calidad:
Norma ISO 9001:2015
Cobertura de prueba:
Prueba de troquel 100% para C, DF, fugas y DWV; datos de prueba de pulso y trazabilidad de lotes baj
Rango de personalización:
C 100-10000pF, 6,3-500 VCC (1000 V apilados), matriz de 0,25-5,0 mm
Resaltar:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Descripción de producto

HACC222S100V1200 Capacitor MOS de Descarga Rápida de 2200 pF, Chip de Alta Corriente de Pulso para Controladores de Potencia Pulsada

En resumen: el Hoan HACC222S100V1200 es un capacitor MOS de capa única de 2200 pF ±10%, 100 V CC suministrado como un chip soldable por hilo que mide 1.20 × 1.20 × 0.20 mm. Está diseñado para servicio de descarga rápida, con una corriente de pulso pico superior a 40 A (10 µs, no repetitiva), una velocidad de descarga superior a 500 V/µs, una ESR inferior a 5 mOhm a 1 MHz y una ESL intrínseca inferior a 0.05 nH. Los electrodos son simétricos y no polares, y el factor Q se mantiene por encima de 20 a 10 GHz, por lo que la misma pieza puede servir para la ruta de pulso y la red de polarización de RF. La capacitancia, la tensión nominal, la geometría del chip y la metalización son personalizables.


¿Qué es este producto?

Este es un capacitor MOS de capa única, también conocido como SLC (capacitor de capa única), capacitor de chip soldable por hilo o capacitor de pulso MOS. Se forma un dieléctrico de SiO2 crecido térmicamente de 300 nm sobre silicio de zona flotante de alta resistividad (>1000 Ohm·cm), y se depositan electrodos de película delgada en ambas caras. Debido a que la ruta de corriente atraviesa verticalmente una estructura de capa única de 0.20 mm en lugar de electrodos internos apilados, la inductancia en serie y la resistencia en serie se mantienen bajas, que es la propiedad que permite una alta corriente de descarga pico con un borde rápido.


Matriz de personalización

Parámetro Valor estándar Rango personalizado
Capacitancia 2200 pF ±10% 100 pF a 10000 pF capa única
Tensión nominal 100 V CC 6.3 V a 500 V CC capa única, hasta 1000 V apilados
Tamaño del chip 1.20 × 1.20 mm 0.25 × 0.25 mm a 5.0 × 5.0 mm, rectangular hasta 4:1
Grosor del chip 0.20 mm 0.10 mm a 0.30 mm
Metalización superior TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au Hasta 5.0 µm Au para hilo grueso, opción Al
Metalización trasera TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au Preforma AuSn de 3-5 µm, AuGe, plata sinterizada
Clasificación de pulso 40 A pico, ráfaga de 10 kHz Corriente pico más alta con chip ampliado y diseño de múltiples hilos
Tolerancia y coincidencia ±10% ±5% o más estricta, conjuntos coincidentes por debajo de ±1%


Calidad, pruebas y cumplimiento

  • El 100% de los chips se prueban en producción para capacitancia, factor de disipación, corriente de fuga y tensión de ruptura dieléctrica.
  • Resistencia a la tracción del hilo típicamente superior a 6 gf para hilo de oro de 25 µm, verificada según MIL-STD-883 Método 2011.7.
  • Clasificación de ESD Clase 0 según JESD22-A114 (HBM); se utiliza embalaje seguro para ESD en todo momento.
  • Cumple con RoHS según EU 2011/65/EU y (EU) 2015/863, conforme a REACH, libre de halógenos según IEC 61249-2-21 bajo pedido.
  • Archivos de parámetros S, datos de prueba de pulso bajo pedido, informes de trazabilidad de lotes y declaraciones de materiales se suministran con cada lote de producción.
  • Sistema de gestión de calidad certificado según ISO 9001:2015.


Aplicaciones típicas

  • Redes de transferencia de energía de controladores y moduladores de potencia pulsada
  • Rutas de descarga rápida de controladores de diodos láser y LED
  • Modulación de drenaje y desacoplamiento de polarización de amplificadores de potencia GaN
  • Frontales de radar automotriz, sensores industriales e instrumentación
  • Snubber y filtrado de salida de convertidores DC-DC de alto voltaje
  • Conformación de pulsos y desacoplamiento de alto voltaje en electrónica de pines ATE
  • Circuitos de almacenamiento y descarga de recolección de energía