Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
MOS Kapasitörler
Created with Pixso.

Marka Adı: Hoan
Model Numarası: HACC222S100V1200
Adedi: 10 Adet
Ödeme Koşulları: T/T,L/C,D/P,D/A
Detay Bilgisi
Menşe yeri:
Şaanksi, Çin
Sertifika:
ISO 9001:2015, RoHS
ESD Sınıfı:
JESD22-A114'e göre Sınıf 0 (HBM)
Depolama Sıcaklığı:
-65°C ila +150°C
Nem Hassasiyeti:
J-STD-020'ye göre MSL 1
Uyumluluk:
RoHS EU 2011/65/EU ve (EU) 2015/863, REACH, halojensiz IEC 61249-2-21 talep üzerine
Kalite sistemi:
ISO 9001:2015
Test Kapsamı:
C, DF, sızıntı ve DWV için %100 kalıp testi; istek üzerine darbe testi verileri ve parti izlenebilir
Özelleştirme Aralığı:
C 100-10000pF, 6,3-500V DC (1000V yığın), kalıp 0,25-5,0 mm
Vurgulamak:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Ürün Tanımı

HACC222S100V1200 Hızlı Deşarj 2200 pF MOS Kapasitör, Darbeli Güç Sürücüleri için Yüksek Darbeli Akım Çipi

Kısaca: Hoan HACC222S100V1200, 1.20 × 1.20 × 0.20 mm boyutlarında, tel bağlanabilir bir kalıp olarak sunulan 2200 pF ±10%, 100 V DC tek katmanlı MOS kapasitördür. 40 A'in üzerinde (10 µs, tekrarlamayan) tepe darbe akımı, 500 V/µs'nin üzerinde deşarj eğim oranı, 1 MHz'de 5 mOhm'un altında ESR ve 0.05 nH'in altında içsel ESL ile hızlı deşarj görevi için tasarlanmıştır. Elektrotlar simetrik ve polar olmayan yapıdadır ve Q, 10 GHz'de 20'nin üzerinde kalır, bu nedenle aynı parça darbe yolu ve RF önyükleme ağına hizmet edebilir. Kapasitans, voltaj değeri, kalıp geometrisi ve metalizasyon özelleştirilebilir.


Bu ürün nedir?

Bu, SLC (tek katmanlı kapasitör), tel bağlanabilir çip kapasitör veya MOS darbe kapasitörü olarak da adlandırılan tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Yüksek dirençli float-zone silikon (>1000 Ohm·cm) üzerinde 300 nm termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik oluşturulur ve her iki yüze ince film elektrotlar püskürtülür. Akım yolu, istiflenmiş dahili elektrotlar yerine 0.20 mm'lik tek katmanlı bir yapıdan dikey olarak geçtiği için, seri endüktans ve seri direnç düşük kalır; bu da hızlı bir kenarla yüksek tepe deşarj akımına izin veren özelliktir.


Özelleştirme matrisi

Parametre Standart değer Özel aralık
Kapasitans 2200 pF ±10% 100 pF - 10000 pF tek katman
Anma gerilimi 100 V DC 6.3 V - 500 V DC tek katman, 1000 V'a kadar istiflenmiş
Kalıp boyutu 1.20 × 1.20 mm 0.25 × 0.25 mm - 5.0 × 5.0 mm, 4:1'e kadar dikdörtgen
Kalıp kalınlığı 0.20 mm 0.10 mm - 0.30 mm
Üst metalizasyon TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au Ağır tel için 5.0 µm Au'ya kadar, Al seçeneği
Arka yüz metalizasyonu TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au AuSn ön kalıp 3-5 µm, AuGe, sinterlenmiş gümüş
Darbe değeri 40 A tepe, 10 kHz seri Genişletilmiş kalıp ve çoklu bağlama düzeni ile daha yüksek tepe akımı
Tolerans ve eşleştirme ±10% ±%5 veya daha sıkı, %1'in altında eşleştirilmiş setler


Kalite, test ve uyumluluk

  • Kalıpların %100'ü kapasitans, dağılım faktörü, kaçak akım ve dielektrik dayanım gerilimi için üretimde test edilir.
  • Tel çekme mukavemeti tipik olarak 25 µm altın tel için 6 gf'nin üzerindedir, MIL-STD-883 Yöntem 2011.7'ye göre doğrulanmıştır.
  • ESD sınıflandırması Sınıf 0, JESD22-A114 (HBM) uyarınca; ESD-güvenli ambalaj kullanılır.
  • AB 2011/65/AB ve (AB) 2015/863'e göre RoHS uyumlu, REACH uyumlu, talep üzerine IEC 61249-2-21'e göre halojensiz.
  • S-parametre dosyaları, darbe test verileri talep üzerine, parti izlenebilirlik raporları ve malzeme beyanları her üretim partisiyle birlikte verilir.
  • Kalite yönetim sistemi ISO 9001:2015 sertifikalıdır.


Tipik uygulamalar

  • Darbeli güç sürücüsü ve modülatör enerji transfer ağları
  • Lazer diyot ve LED sürücü hızlı deşarj yolları
  • GaN güç amplifikatörü drenaj modülasyonu ve önyükleme ayrıştırması
  • Otomotiv radar, endüstriyel sensör ve enstrümantasyon ön uçları
  • Yüksek voltaj DC-DC dönüştürücü snubber ve çıkış filtreleme
  • ATE pin elektroniği darbe şekillendirme ve yüksek voltaj ayrıştırması
  • Enerji hasadı depolama ve deşarj devreleri