Kısaca: Hoan HACC222S100V1200, 1.20 × 1.20 × 0.20 mm boyutlarında, tel bağlanabilir bir kalıp olarak sunulan 2200 pF ±10%, 100 V DC tek katmanlı MOS kapasitördür. 40 A'in üzerinde (10 µs, tekrarlamayan) tepe darbe akımı, 500 V/µs'nin üzerinde deşarj eğim oranı, 1 MHz'de 5 mOhm'un altında ESR ve 0.05 nH'in altında içsel ESL ile hızlı deşarj görevi için tasarlanmıştır. Elektrotlar simetrik ve polar olmayan yapıdadır ve Q, 10 GHz'de 20'nin üzerinde kalır, bu nedenle aynı parça darbe yolu ve RF önyükleme ağına hizmet edebilir. Kapasitans, voltaj değeri, kalıp geometrisi ve metalizasyon özelleştirilebilir.
Bu, SLC (tek katmanlı kapasitör), tel bağlanabilir çip kapasitör veya MOS darbe kapasitörü olarak da adlandırılan tek katmanlı bir MOS kapasitördür. Yüksek dirençli float-zone silikon (>1000 Ohm·cm) üzerinde 300 nm termal olarak büyütülmüş SiO2 dielektrik oluşturulur ve her iki yüze ince film elektrotlar püskürtülür. Akım yolu, istiflenmiş dahili elektrotlar yerine 0.20 mm'lik tek katmanlı bir yapıdan dikey olarak geçtiği için, seri endüktans ve seri direnç düşük kalır; bu da hızlı bir kenarla yüksek tepe deşarj akımına izin veren özelliktir.
| Parametre | Standart değer | Özel aralık |
| Kapasitans | 2200 pF ±10% | 100 pF - 10000 pF tek katman |
| Anma gerilimi | 100 V DC | 6.3 V - 500 V DC tek katman, 1000 V'a kadar istiflenmiş |
| Kalıp boyutu | 1.20 × 1.20 mm | 0.25 × 0.25 mm - 5.0 × 5.0 mm, 4:1'e kadar dikdörtgen |
| Kalıp kalınlığı | 0.20 mm | 0.10 mm - 0.30 mm |
| Üst metalizasyon | TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au | Ağır tel için 5.0 µm Au'ya kadar, Al seçeneği |
| Arka yüz metalizasyonu | TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au | AuSn ön kalıp 3-5 µm, AuGe, sinterlenmiş gümüş |
| Darbe değeri | 40 A tepe, 10 kHz seri | Genişletilmiş kalıp ve çoklu bağlama düzeni ile daha yüksek tepe akımı |
| Tolerans ve eşleştirme | ±10% | ±%5 veya daha sıkı, %1'in altında eşleştirilmiş setler |
![]()