szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC222S100V1200
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: T/T, L/C, D/P, D/A
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Klasa ESD:
Klasa 0 (HBM) zgodnie z JESD22-A114
Temperatura przechowywania:
-65°C do +150°C
Wrażliwość na wilgoć:
MSL 1 według J-STD-020
Zgodność:
RoHS UE 2011/65/UE i (UE) 2015/863, REACH, bezhalogenowy IEC 61249-2-21 na żądanie
System jakości:
ISO 9001:2015
Zasięg testowy:
100% test matrycy dla C, DF, wycieków i DWV; dane z testu pulsu i możliwość śledzenia partii na żąda
Zakres dostosowywania:
C 100-10000pF, 6,3-500V DC (1000V piętrowo), matryca 0,25-5,0mm
Podkreślić:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Opis produktu

HACC222S100V1200 Szybkie rozładowanie 2200 pF kondensator MOS, chip o wysokim prądzie impulsowym dla sterowników mocy impulsowej

W skrócie:Hoan HACC222S100V1200 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 2200 pF ±10%, napięciu 100 V DC, dostarczany jako płytka do lutowania drutowego o wymiarach 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Jest przeznaczony do szybkiego rozładowania, z maksymalnym prądem impulsowym powyżej 40 A (10 µs, nierównomierny), szybkością narastania rozładowania powyżej 500 V/µs, ESR poniżej 5 mOhm przy 1 MHz i wewnętrznym ESL poniżej 0,05 nH. Elektrody są symetryczne i bezbiegunowe, a Q pozostaje powyżej 20 przy 10 GHz, dzięki czemu ten sam element może służyć do ścieżki impulsowej i sieci odsprzęgającej RF. Pojemność, napięcie znamionowe, geometria płytki i metalizacja są konfigurowalne.


Co to za produkt?

Jest to jednowarstwowy kondensator MOS, znany również jako SLC (kondensator jednowarstwowy), kondensator chipowy do lutowania drutowego lub kondensator impulsowy MOS. Dielektryk SiO2 o grubości 300 nm, termicznie narastający, jest utworzony na krzemie typu float-zone o wysokiej rezystywności (>1000 Ohm·cm), a elektrody cienkowarstwowe są napylane na obie powierzchnie. Ponieważ ścieżka prądowa przebiega pionowo przez jednowarstwową strukturę o grubości 0,20 mm zamiast przez ułożone elektrody wewnętrzne, indukcyjność szeregowa i rezystancja szeregowa pozostają niskie, co jest cechą pozwalającą na wysoki szczytowy prąd rozładowania z szybką krawędzią.


Macierz personalizacji

Parametr Wartość standardowa Zakres niestandardowy
Pojemność 2200 pF ±10% 100 pF do 10000 pF jednowarstwowy
Napięcie znamionowe 100 V DC 6,3 V do 500 V DC jednowarstwowy, do 1000 V ułożony
Rozmiar płytki 1,20 × 1,20 mm 0,25 × 0,25 mm do 5,0 × 5,0 mm, prostokątny do 4:1
Grubość płytki 0,20 mm 0,10 mm do 0,30 mm
Metalizacja górna TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au Do 5,0 µm Au dla ciężkiego drutu, opcja Al
Metalizacja tylna TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au Preform AuSn 3-5 µm, AuGe, spiekane srebro
Ocena impulsowa 40 A szczytowo, 10 kHz burst Wyższy prąd szczytowy z powiększoną płytką i układem wielopunktowym
Tolerancja i dopasowanie ±10% ±5% lub ciaśniejsze, dopasowane zestawy poniżej ±1%


Jakość, testowanie i zgodność

  • 100% płytek jest testowanych produkcyjnie pod kątem pojemności, współczynnika strat, prądu upływu i napięcia przebicia dielektryka.
  • Wytrzymałość drutu na zerwanie zazwyczaj powyżej 6 gf dla drutu złotego 25 µm, zweryfikowana zgodnie z MIL-STD-883 Metoda 2011.7.
  • Klasyfikacja ESD Klasa 0 zgodnie z JESD22-A114 (HBM); stosowane jest opakowanie ESD-safe.
  • Zgodność z RoHS zgodnie z EU 2011/65/EU i (EU) 2015/863, zgodność z REACH, bezhalogenowe zgodnie z IEC 61249-2-21 na życzenie.
  • Pliki parametrów S, dane testów impulsowych na życzenie, raporty identyfikowalności partii i deklaracje materiałowe są dostarczane z każdą partią produkcyjną.
  • System zarządzania jakością certyfikowany zgodnie z ISO 9001:2015.


Typowe zastosowania

  • Sieci transferu energii sterowników mocy impulsowej i modulatorów
  • Ścieżki szybkiego rozładowania sterowników diod laserowych i LED
  • Modulacja drenażu wzmacniaczy mocy GaN i odsprzęganie biasu
  • Przednie końce radarów samochodowych, czujników przemysłowych i aparatury pomiarowej
  • Tłumiki i filtry wyjściowe przetwornic DC-DC wysokiego napięcia
  • Kształtowanie impulsów i odsprzęganie wysokiego napięcia w elektronice pinów ATE
  • Obwody magazynowania i rozładowania energii z harvestingu