| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HACC222S100V1200 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | T/T, L/C, D/P, D/A |
W skrócie:Hoan HACC222S100V1200 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 2200 pF ±10%, napięciu 100 V DC, dostarczany jako płytka do lutowania drutowego o wymiarach 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Jest przeznaczony do szybkiego rozładowania, z maksymalnym prądem impulsowym powyżej 40 A (10 µs, nierównomierny), szybkością narastania rozładowania powyżej 500 V/µs, ESR poniżej 5 mOhm przy 1 MHz i wewnętrznym ESL poniżej 0,05 nH. Elektrody są symetryczne i bezbiegunowe, a Q pozostaje powyżej 20 przy 10 GHz, dzięki czemu ten sam element może służyć do ścieżki impulsowej i sieci odsprzęgającej RF. Pojemność, napięcie znamionowe, geometria płytki i metalizacja są konfigurowalne.
Jest to jednowarstwowy kondensator MOS, znany również jako SLC (kondensator jednowarstwowy), kondensator chipowy do lutowania drutowego lub kondensator impulsowy MOS. Dielektryk SiO2 o grubości 300 nm, termicznie narastający, jest utworzony na krzemie typu float-zone o wysokiej rezystywności (>1000 Ohm·cm), a elektrody cienkowarstwowe są napylane na obie powierzchnie. Ponieważ ścieżka prądowa przebiega pionowo przez jednowarstwową strukturę o grubości 0,20 mm zamiast przez ułożone elektrody wewnętrzne, indukcyjność szeregowa i rezystancja szeregowa pozostają niskie, co jest cechą pozwalającą na wysoki szczytowy prąd rozładowania z szybką krawędzią.
| Parametr | Wartość standardowa | Zakres niestandardowy |
| Pojemność | 2200 pF ±10% | 100 pF do 10000 pF jednowarstwowy |
| Napięcie znamionowe | 100 V DC | 6,3 V do 500 V DC jednowarstwowy, do 1000 V ułożony |
| Rozmiar płytki | 1,20 × 1,20 mm | 0,25 × 0,25 mm do 5,0 × 5,0 mm, prostokątny do 4:1 |
| Grubość płytki | 0,20 mm | 0,10 mm do 0,30 mm |
| Metalizacja górna | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Do 5,0 µm Au dla ciężkiego drutu, opcja Al |
| Metalizacja tylna | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Preform AuSn 3-5 µm, AuGe, spiekane srebro |
| Ocena impulsowa | 40 A szczytowo, 10 kHz burst | Wyższy prąd szczytowy z powiększoną płytką i układem wielopunktowym |
| Tolerancja i dopasowanie | ±10% | ±5% lub ciaśniejsze, dopasowane zestawy poniżej ±1% |
![]()