Singkatnya: Hoan HACC222S100V1200 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 2200 pF ±10%, 100 V DC yang disuplai sebagai die yang dapat diikat kawat berukuran 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Kapasitor ini dirancang untuk tugas pelepasan cepat, dengan arus pulsa puncak di atas 40 A (10 µs, non-repetitif), laju perubahan pelepasan di atas 500 V/µs, ESR di bawah 5 mOhm pada 1 MHz dan ESL intrinsik di bawah 0,05 nH. Elektroda simetris dan non-polar, dan Q tetap di atas 20 pada 10 GHz, sehingga bagian yang sama dapat melayani jalur pulsa dan jaringan bias RF. Kapasitansi, peringkat tegangan, geometri die, dan metalisasi dapat disesuaikan.
Ini adalah kapasitor MOS lapisan tunggal, juga disebut sebagai SLC (single layer capacitor), kapasitor chip yang dapat diikat kawat, atau kapasitor pulsa MOS. Dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal 300 nm dibentuk pada silikon zona apung dengan resistivitas tinggi (>1000 Ohm·cm), dan elektroda film tipis disputter pada kedua sisi. Karena jalur arus berjalan secara vertikal melalui struktur lapisan tunggal 0,20 mm alih-alih melalui elektroda internal yang ditumpuk, induktansi seri dan resistansi seri tetap rendah, yang merupakan sifat yang memungkinkan arus pelepasan puncak tinggi dengan tepi yang cepat.
| Parameter | Nilai standar | Rentang kustom |
| Kapasitansi | 2200 pF ±10% | 100 pF hingga 10000 pF lapisan tunggal |
| Tegangan terukur | 100 V DC | 6,3 V hingga 500 V DC lapisan tunggal, hingga 1000 V bertumpuk |
| Ukuran die | 1,20 × 1,20 mm | 0,25 × 0,25 mm hingga 5,0 × 5,0 mm, persegi panjang hingga 4:1 |
| Ketebalan die | 0,20 mm | 0,10 mm hingga 0,30 mm |
| Metalilasi atas | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Hingga 5,0 µm Au untuk kawat berat, opsi Al |
| Metalilasi belakang | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Pra-bentuk AuSn 3-5 µm, AuGe, perak tersinter |
| Peringkat pulsa | Puncak 40 A, ledakan 10 kHz | Arus puncak lebih tinggi dengan die yang diperbesar dan tata letak multi-ikatan |
| Toleransi dan pencocokan | ±10% | ±5% atau lebih ketat, set yang cocok di bawah ±1% |
![]()