rincian produk

Created with Pixso. Rumah Created with Pixso. Produk Created with Pixso.
Kondensator MOS
Created with Pixso.

Nama Merek: Hoan
Nomor Model: HACC222S100V1200
MOQ: 10 buah
Ketentuan Pembayaran: T/T,L/C,D/P,D/A
Informasi Rinci
Tempat asal:
Shaanxi, Tiongkok
Sertifikasi:
ISO 9001:2015, RoHS
Kelas ESD:
Kelas 0 (HBM) per JESD22-A114
Suhu Penyimpanan:
-65°C hingga +150°C
Sensitivitas Kelembaban:
MSL 1 per J-STD-020
Kepatuhan:
RoHS EU 2011/65/EU dan (EU) 2015/863, REACH, bebas halogen IEC 61249-2-21 berdasarkan permintaan
Sistem kualitas:
ISO 9001:2015
Cakupan Tes:
Uji die 100% untuk C, DF, kebocoran dan DWV; data uji pulsa dan ketertelusuran lot berdasarkan permi
Jangkauan kustomisasi:
C 100-10000pF, 6,3-500V DC (1000V ditumpuk), mati 0,25-5,0 mm
Menyoroti:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Deskripsi Produk

HACC222S100V1200 Kapasitor MOS Pelepasan Cepat 2200 pF, Chip Arus Pulsa Tinggi untuk Driver Daya Pulsa

Singkatnya: Hoan HACC222S100V1200 adalah kapasitor MOS lapisan tunggal 2200 pF ±10%, 100 V DC yang disuplai sebagai die yang dapat diikat kawat berukuran 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Kapasitor ini dirancang untuk tugas pelepasan cepat, dengan arus pulsa puncak di atas 40 A (10 µs, non-repetitif), laju perubahan pelepasan di atas 500 V/µs, ESR di bawah 5 mOhm pada 1 MHz dan ESL intrinsik di bawah 0,05 nH. Elektroda simetris dan non-polar, dan Q tetap di atas 20 pada 10 GHz, sehingga bagian yang sama dapat melayani jalur pulsa dan jaringan bias RF. Kapasitansi, peringkat tegangan, geometri die, dan metalisasi dapat disesuaikan.


Apa produk ini?

Ini adalah kapasitor MOS lapisan tunggal, juga disebut sebagai SLC (single layer capacitor), kapasitor chip yang dapat diikat kawat, atau kapasitor pulsa MOS. Dielektrik SiO2 yang tumbuh secara termal 300 nm dibentuk pada silikon zona apung dengan resistivitas tinggi (>1000 Ohm·cm), dan elektroda film tipis disputter pada kedua sisi. Karena jalur arus berjalan secara vertikal melalui struktur lapisan tunggal 0,20 mm alih-alih melalui elektroda internal yang ditumpuk, induktansi seri dan resistansi seri tetap rendah, yang merupakan sifat yang memungkinkan arus pelepasan puncak tinggi dengan tepi yang cepat.


Matriks kustomisasi

Parameter Nilai standar Rentang kustom
Kapasitansi 2200 pF ±10% 100 pF hingga 10000 pF lapisan tunggal
Tegangan terukur 100 V DC 6,3 V hingga 500 V DC lapisan tunggal, hingga 1000 V bertumpuk
Ukuran die 1,20 × 1,20 mm 0,25 × 0,25 mm hingga 5,0 × 5,0 mm, persegi panjang hingga 4:1
Ketebalan die 0,20 mm 0,10 mm hingga 0,30 mm
Metalilasi atas TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au Hingga 5,0 µm Au untuk kawat berat, opsi Al
Metalilasi belakang TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au Pra-bentuk AuSn 3-5 µm, AuGe, perak tersinter
Peringkat pulsa Puncak 40 A, ledakan 10 kHz Arus puncak lebih tinggi dengan die yang diperbesar dan tata letak multi-ikatan
Toleransi dan pencocokan ±10% ±5% atau lebih ketat, set yang cocok di bawah ±1%


Kualitas, pengujian, dan kepatuhan

  • 100% die diuji produksi untuk kapasitansi, faktor disipasi, arus bocor, dan tegangan tahan dielektrik.
  • Kekuatan tarik kawat ikatan biasanya di atas 6 gf untuk kawat emas 25 µm, diverifikasi sesuai MIL-STD-883 Metode 2011.7.
  • Klasifikasi ESD Kelas 0 sesuai JESD22-A114 (HBM); pengemasan aman ESD digunakan di seluruh bagian.
  • Sesuai RoHS dengan EU 2011/65/EU dan (EU) 2015/863, sesuai REACH, bebas halogen sesuai IEC 61249-2-21 berdasarkan permintaan.
  • File S-parameter, data uji pulsa berdasarkan permintaan, laporan ketertelusuran lot, dan deklarasi material disuplai dengan setiap lot produksi.
  • Sistem manajemen mutu bersertifikat ISO 9001:2015.


Aplikasi tipikal

  • Jaringan transfer energi driver daya pulsa dan modulator
  • Jalur pelepasan cepat driver laser dioda dan LED
  • Modulasi drain penguat daya GaN dan decoupling bias
  • Bagian depan radar otomotif, sensor industri, dan instrumentasi
  • Snubber konverter DC-DC tegangan tinggi dan penyaringan keluaran
  • Pembentukan pulsa elektronik pin ATE dan decoupling tegangan tinggi
  • Sirkuit penyimpanan dan pelepasan energi panen energi