detalhes dos produtos

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Capacitores MOS
Created with Pixso.

Marca: Hoan
Número do modelo: HACC222S100V1200
Quantidade mínima: 10 peças
Condições de pagamento: T/T,L/C,D/P,D/A
Informações pormenorizadas
Lugar de origem:
Shanxi, China
Certificação:
ISO 9001:2015, RoHS
Classe ESD:
Classe 0 (HBM) por JESD22-A114
Temperatura de armazenamento:
-65°C a +150°C
Sensibilidade de umidade:
MSL 1 por J-STD-020
Conformidade:
RoHS UE 2011/65/UE e (UE) 2015/863, REACH, livre de halogênio IEC 61249-2-21 mediante solicitação
Sistema de qualidade:
ISO 9001:2015
Cobertura de teste:
Teste de matriz 100% para C, DF, vazamento e DWV; dados de teste de pulso e rastreabilidade de lote
Faixa de personalização:
C 100-10000pF, 6,3-500 Vcc (1000 V empilhados), matriz 0,25-5,0 mm
Destacar:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Descrição do produto

Capacitor MOS HACC222S100V1200 de Descarga Rápida de 2200 pF, Chip de Alta Corrente de Pulso para Drivers de Potência Pulsada

Em resumo: o Hoan HACC222S100V1200 é um capacitor MOS de camada única de 2200 pF ±10%, 100 V DC fornecido como um chip soldável por fio medindo 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Ele é projetado para serviço de descarga rápida, com corrente de pulso de pico acima de 40 A (10 µs, não repetitivo), taxa de variação de descarga acima de 500 V/µs, ESR abaixo de 5 mOhm a 1 MHz e ESL intrínseca abaixo de 0,05 nH. Os eletrodos são simétricos e não polares, e o Q permanece acima de 20 a 10 GHz, de modo que a mesma peça pode servir ao caminho de pulso e à rede de polarização de RF. Capacitância, tensão nominal, geometria do chip e metalização são personalizáveis.


O que é este produto?

Este é um capacitor MOS de camada única, também referido como SLC (capacitor de camada única), capacitor de chip soldável por fio ou capacitor de pulso MOS. Um dielétrico de SiO2 de 300 nm crescido termicamente é formado em silício de zona flutuante de alta resistividade (>1000 Ohm·cm), e eletrodos de filme fino são pulverizados em ambas as faces. Como o caminho de corrente passa verticalmente através de uma estrutura de camada única de 0,20 mm em vez de através de eletrodos internos empilhados, a indutância série e a resistência série permanecem baixas, que é a propriedade que permite alta corrente de descarga de pico com uma borda rápida.


Matriz de personalização

Parâmetro Valor padrão Intervalo personalizado
Capacitância 2200 pF ±10% 100 pF a 10000 pF camada única
Tensão nominal 100 V DC 6,3 V a 500 V DC camada única, até 1000 V empilhados
Tamanho do chip 1,20 × 1,20 mm 0,25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm, retangular até 4:1
Espessura do chip 0,20 mm 0,10 mm a 0,30 mm
Metalização superior TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au Até 5,0 µm Au para fio grosso, opção de Al
Metalização traseira TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au Pré-formado AuSn de 3-5 µm, AuGe, prata sinterizada
Classificação de pulso 40 A pico, rajada de 10 kHz Corrente de pico mais alta com chip ampliado e layout de múltiplas ligações
Tolerância e correspondência ±10% ±5% ou mais rigoroso, conjuntos correspondentes abaixo de ±1%


Qualidade, testes e conformidade

  • 100% dos chips são testados em produção para capacitância, fator de dissipação, corrente de fuga e tensão de suporte dielétrico.
  • Resistência de tração do fio geralmente acima de 6 gf para fio de ouro de 25 µm, verificado de acordo com MIL-STD-883 Método 2011.7.
  • Classificação ESD Classe 0 por JESD22-A114 (HBM); embalagem segura para ESD é usada em todo o processo.
  • Compatível com RoHS de acordo com EU 2011/65/EU e (EU) 2015/863, em conformidade com REACH, livre de halogênio de acordo com IEC 61249-2-21 mediante solicitação.
  • Arquivos S-parameter, dados de teste de pulso mediante solicitação, relatórios de rastreabilidade de lote e declarações de material são fornecidos com cada lote de produção.
  • Sistema de gestão da qualidade certificado ISO 9001:2015.


Aplicações típicas

  • Redes de transferência de energia de drivers e moduladores de potência pulsada
  • Caminhos de descarga rápida de drivers de diodo laser e LED
  • Modulação de dreno e desacoplamento de polarização de amplificadores de potência GaN
  • Frentes de radar automotivo, sensores industriais e instrumentação
  • Snubber e filtragem de saída de conversores DC-DC de alta tensão
  • Modelagem de pulso e desacoplamento de alta tensão em eletrônica de pinos ATE
  • Circuitos de armazenamento e descarga de colheita de energia