| Marca: | Hoan |
| Número do modelo: | HACC222S100V1200 |
| Quantidade mínima: | 10 peças |
| Condições de pagamento: | T/T,L/C,D/P,D/A |
Em resumo: o Hoan HACC222S100V1200 é um capacitor MOS de camada única de 2200 pF ±10%, 100 V DC fornecido como um chip soldável por fio medindo 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Ele é projetado para serviço de descarga rápida, com corrente de pulso de pico acima de 40 A (10 µs, não repetitivo), taxa de variação de descarga acima de 500 V/µs, ESR abaixo de 5 mOhm a 1 MHz e ESL intrínseca abaixo de 0,05 nH. Os eletrodos são simétricos e não polares, e o Q permanece acima de 20 a 10 GHz, de modo que a mesma peça pode servir ao caminho de pulso e à rede de polarização de RF. Capacitância, tensão nominal, geometria do chip e metalização são personalizáveis.
Este é um capacitor MOS de camada única, também referido como SLC (capacitor de camada única), capacitor de chip soldável por fio ou capacitor de pulso MOS. Um dielétrico de SiO2 de 300 nm crescido termicamente é formado em silício de zona flutuante de alta resistividade (>1000 Ohm·cm), e eletrodos de filme fino são pulverizados em ambas as faces. Como o caminho de corrente passa verticalmente através de uma estrutura de camada única de 0,20 mm em vez de através de eletrodos internos empilhados, a indutância série e a resistência série permanecem baixas, que é a propriedade que permite alta corrente de descarga de pico com uma borda rápida.
| Parâmetro | Valor padrão | Intervalo personalizado |
| Capacitância | 2200 pF ±10% | 100 pF a 10000 pF camada única |
| Tensão nominal | 100 V DC | 6,3 V a 500 V DC camada única, até 1000 V empilhados |
| Tamanho do chip | 1,20 × 1,20 mm | 0,25 × 0,25 mm a 5,0 × 5,0 mm, retangular até 4:1 |
| Espessura do chip | 0,20 mm | 0,10 mm a 0,30 mm |
| Metalização superior | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Até 5,0 µm Au para fio grosso, opção de Al |
| Metalização traseira | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Pré-formado AuSn de 3-5 µm, AuGe, prata sinterizada |
| Classificação de pulso | 40 A pico, rajada de 10 kHz | Corrente de pico mais alta com chip ampliado e layout de múltiplas ligações |
| Tolerância e correspondência | ±10% | ±5% ou mais rigoroso, conjuntos correspondentes abaixo de ±1% |
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