| ब्रांड का नाम: | Hoan |
| मॉडल नंबर: | HACC222S100V1200 |
| MOQ: | 10 टुकड़े |
| भुगतान की शर्तें: | टी/टी, एल/सी, डी/पी, डी/ए |
संक्षेप में: होआन HACC222S100V1200 एक 2200 pF ±10%, 100 V DC सिंगल लेयर MOS कैपेसिटर है जो 1.20 × 1.20 × 0.20 मिमी मापने वाली वायर बॉन्डेबल डाई के रूप में आपूर्ति की जाती है। यह तेज डिस्चार्ज ड्यूटी के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिसमें 40 A (10 µs, नॉन-रेपिटिटिव) से ऊपर पीक पल्स करंट, 500 V/µs से ऊपर डिस्चार्ज स्लू रेट, 1 MHz पर 5 mOhm से नीचे ESR और 0.05 nH से नीचे इंट्रिन्सिक ESL है। इलेक्ट्रोड सममित और नॉन-पोलर हैं, और Q 10 GHz पर 20 से ऊपर रहता है, इसलिए एक ही पार्ट पल्स पाथ और RF बायस नेटवर्क की सेवा कर सकता है। कैपेसिटेंस, वोल्टेज रेटिंग, डाई ज्यामिति और मेटलाइजेशन अनुकूलन योग्य हैं।
यह एक सिंगल लेयर MOS कैपेसिटर है, जिसे SLC (सिंगल लेयर कैपेसिटर), वायर बॉन्डेबल चिप कैपेसिटर या MOS पल्स कैपेसिटर भी कहा जाता है। उच्च-प्रतिरोध फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन (>1000 Ohm·cm) पर 300 nm थर्मल रूप से उगाया गया SiO2 डाइइलेक्ट्रिक बनता है, और दोनों चेहरों पर पतली-फिल्म इलेक्ट्रोड स्पटर किए जाते हैं। क्योंकि करंट पाथ स्टैक्ड इंटरनल इलेक्ट्रोड के बजाय 0.20 मिमी सिंगल-लेयर स्ट्रक्चर से वर्टिकली चलता है, सीरीज इंडक्टेंस और सीरीज रेजिस्टेंस कम रहते हैं, जो वह प्रॉपर्टी है जो तेज एज के साथ उच्च पीक डिस्चार्ज करंट की अनुमति देती है।
| पैरामीटर | मानक मान | कस्टम रेंज |
| कैपेसिटेंस | 2200 pF ±10% | 100 pF से 10000 pF सिंगल लेयर |
| रेटेड वोल्टेज | 100 V DC | 6.3 V से 500 V DC सिंगल लेयर, 1000 V तक स्टैक्ड |
| डाई आकार | 1.20 × 1.20 मिमी | 0.25 × 0.25 मिमी से 5.0 × 5.0 मिमी, आयताकार 4:1 तक |
| डाई मोटाई | 0.20 मिमी | 0.10 मिमी से 0.30 मिमी |
| टॉप मेटलाइजेशन | TaN/TiW/Ni/Au, 2.5 µm Au | भारी तार के लिए 5.0 µm Au तक, Al विकल्प |
| बैकसाइड मेटलाइजेशन | TiW-Pt-Au, 1.0 µm Au | AuSn प्रीफॉर्म 3-5 µm, AuGe, सिंटर्ड सिल्वर |
| पल्स रेटिंग | 40 A पीक, 10 kHz बर्स्ट | बढ़े हुए डाई और मल्टी-बॉन्ड लेआउट के साथ उच्च पीक करंट |
| टॉलरेंस और मैचिंग | ±10% | ±5% या टाइट, ±1% से नीचे मैच किए गए सेट |
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