HACC222S100V1200 고속 방전 2200 pF MOS 커패시터, 펄스 전력 드라이버용 고펄스 전류 칩

요약: Hoan HACC222S100V1200은 2200 pF ±10%, 100 V DC 단층 MOS 커패시터로, 1.20 × 1.20 × 0.20 mm 크기의 와이어 본딩 가능한 다이로 제공됩니다. 이 제품은 빠른 방전 용도로 설계되었으며, 최대 40A 이상의 피크 펄스 전류(10μs, 비반복), 500V/μs 이상의 방전 슬루율, 1MHz에서 5mOhm 미만의 ESR, 0.05nH 미만의 고유 ESL을 제공합니다. 전극은 대칭적이고 비극성이며, 10GHz에서 Q 값이 20 이상을 유지하므로 동일한 부품으로 펄스 경로와 RF 바이어스 네트워크에 모두 사용할 수 있습니다. 커패시턴스, 전압 정격, 다이 형상 및 금속화는 맞춤 설정 가능합니다.

이 제품은 무엇인가요?

이것은 단층 MOS 커패시터로, SLC(단층 커패시터), 와이어 본딩 가능한 칩 커패시터 또는 MOS 펄스 커패시터라고도 합니다. 고저항 부유대 실리콘(>1000 Ohm·cm) 위에 300nm 열 성장 SiO2 유전체가 형성되고, 양면에 박막 전극이 스퍼터링됩니다. 전류 경로가 적층된 내부 전극을 통과하는 대신 0.20mm 단층 구조를 통해 수직으로 흐르기 때문에 직렬 인덕턴스와 직렬 저항이 낮게 유지되어 빠른 에지에서 높은 피크 방전 전류를 허용하는 특성을 갖습니다.

맞춤 설정 매트릭스

품질, 테스트 및 규정 준수

• 모든 다이는 커패시턴스, 손실 계수, 누설 전류 및 유전체 내압에 대해 생산 테스트를 거칩니다.
• 와이어 본드 인장 강도는 일반적으로 25 μm 금선에 대해 6 gf 이상이며, MIL-STD-883 Method 2011.7에 따라 검증됩니다.
• JESD22-A114(HBM)에 따른 ESD 분류 클래스 0; ESD 안전 포장이 전체적으로 사용됩니다.
• EU 2011/65/EU 및 (EU) 2015/863에 대한 RoHS 준수, REACH 준수, 요청 시 IEC 61249-2-21에 따른 할로겐 프리.
• S-파라미터 파일, 요청 시 펄스 테스트 데이터, 로트 추적 보고서 및 재료 선언은 각 생산 로트와 함께 제공됩니다.
• 품질 경영 시스템은 ISO 9001:2015 인증을 받았습니다.

일반적인 응용 분야

• 펄스 전력 드라이버 및 변조기 에너지 전달 네트워크
• 레이저 다이오드 및 LED 드라이버 고속 방전 경로
• GaN 전력 증폭기 드레인 변조 및 바이어스 디커플링
• 자동차 레이더, 산업용 센서 및 계측 프런트 엔드
• 고전압 DC-DC 컨버터 스너버 및 출력 필터링
• ATE 핀 전자 장치 펄스 성형 및 고전압 디커플링
• 에너지 하베스팅 저장 및 방전 회로