HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| نام تجاری: | Hoan |
| شماره مدل: | HACC222S100V1200 |
| MOQ: | 10 عدد |
| شرایط پرداخت: | T/T، L/C، D/P، D/A |
به طور خلاصه:Hoan HACC222S100V1200 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 2200 پیکوفاراد ±10% و ولتاژ 100 ولت DC است که به صورت تراشه قابل سیم‌بندی ارائه می‌شود و ابعاد آن 1.20 × 1.20 × 0.20 میلی‌متر است. این خازن برای تخلیه سریع طراحی شده است، با جریان پالس پیک بالاتر از 40 آمپر (10 میکروثانیه، غیر تکراری)، نرخ شیب تخلیه بالاتر از 500 ولت بر میکروثانیه، ESR کمتر از 5 میلی‌اهم در 1 مگاهرتز و ESL ذاتی کمتر از 0.05 نانو‌هانری. الکترودها متقارن و بدون قطب هستند و فاکتور Q در 10 گیگاهرتز بالای 20 باقی می‌ماند، بنابراین همین قطعه می‌تواند مسیر پالس و شبکه بایاس RF را تامین کند. ظرفیت خازنی، ولتاژ نامی، هندسه تراشه و متالیزاسیون قابل سفارشی‌سازی هستند.
این یک خازن MOS تک لایه است که به عنوان SLC (خازن تک لایه)، خازن تراشه‌ای قابل سیم‌بندی یا خازن پالس MOS نیز شناخته می‌شود. یک دی‌الکتریک SiO2 با رشد حرارتی 300 نانومتری بر روی سیلیکون با مقاومت بالا (بیش از 1000 اهم·سانتی‌متر) تشکیل شده است و الکترودهای لایه نازک بر روی هر دو سطح اسپاتر شده‌اند. از آنجایی که مسیر جریان به جای عبور از الکترودهای داخلی پشته شده، به صورت عمودی از طریق یک ساختار تک لایه 0.20 میلی‌متری عبور می‌کند، اندوکتانس سری و مقاومت سری پایین باقی می‌مانند، که این ویژگی امکان جریان تخلیه پیک بالا با لبه سریع را فراهم می‌کند.
| پارامتر | مقدار استاندارد | محدوده سفارشی |
| ظرفیت خازنی | 2200 پیکوفاراد ±10% | 100 پیکوفاراد تا 10000 پیکوفاراد تک لایه |
| ولتاژ نامی | 100 ولت DC | 6.3 ولت تا 500 ولت DC تک لایه، تا 1000 ولت پشته شده |
| اندازه تراشه | 1.20 × 1.20 میلی‌متر | 0.25 × 0.25 میلی‌متر تا 5.0 × 5.0 میلی‌متر، مستطیلی تا نسبت 4:1 |
| ضخامت تراشه | 0.20 میلی‌متر | 0.10 میلی‌متر تا 0.30 میلی‌متر |
| متالیزاسیون بالا | TaN/TiW/Ni/Au، 2.5 میکرومتر Au | تا 5.0 میکرومتر Au برای سیم سنگین، گزینه Al |
| متالیزاسیون پشت | TiW-Pt-Au، 1.0 میکرومتر Au | پیش‌فرم AuSn 3-5 میکرومتر، AuGe، نقره سینتر شده |
| رتبه پالس | 40 آمپر پیک، انفجار 10 کیلوهرتز | جریان پیک بالاتر با تراشه بزرگتر و طرح‌بندی چند سیم‌بندی |
| تلرانس و تطابق | ±10% | ±5% یا دقیق‌تر، مجموعه‌های تطبیق یافته زیر ±1% |
