Détails des produits

Created with Pixso. Maison Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Condensateurs MOS
Created with Pixso.

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC222S100V1200
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: T/T, L/C, D/P, D/A
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Classe ESD:
Classe 0 (HBM) selon JESD22-A114
Température de stockage:
-65°C à +150°C
Sensibilité d'humidité:
MSL 1 selon J-STD-020
Conformité:
RoHS UE 2011/65/UE et (UE) 2015/863, REACH, sans halogène CEI 61249-2-21 sur demande
Système de qualité:
ISO 9001:2015
Couverture des tests:
Test de matrice à 100 % pour C, DF, fuite et DWV ; données de test d'impulsion et traçabilité de
Plage de personnalisation:
C 100-10 000pF, 6,3-500 V CC (1 000 V empilés), matrice 0,25-5,0 mm
Mettre en évidence:

Fast Discharge Pulse Capacitor

,

High Pulse Current SLC Chip

,

Symmetrical Non-Polar MOS Capacitor

Description de produit

Condensateur MOS à décharge rapide HACC222S100V1200 de 2200 pF, puce à courant pulsé élevé pour pilotes de puissance pulsée

En bref : Le Hoan HACC222S100V1200 est un condensateur MOS monocouche de 2200 pF ±10 %, 100 V CC, fourni sous forme de puce soudable par fil mesurant 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Il est conçu pour une utilisation à décharge rapide, avec un courant de crête pulsé supérieur à 40 A (10 µs, non répétitif), un taux de variation de décharge supérieur à 500 V/µs, une ESR inférieure à 5 mOhm à 1 MHz et une ESL intrinsèque inférieure à 0,05 nH. Les électrodes sont symétriques et non polaires, et le facteur Q reste supérieur à 20 à 10 GHz, de sorte que la même pièce peut servir le chemin d'impulsion et le réseau de polarisation RF. La capacité, la tension nominale, la géométrie de la puce et la métallisation sont personnalisables.


Qu'est-ce que ce produit ?

Il s'agit d'un condensateur MOS monocouche, également appelé SLC (condensateur monocouche), condensateur à puce soudable par fil ou condensateur à impulsion MOS. Un diélectrique SiO2 de 300 nm obtenu par croissance thermique est formé sur du silicium à zone flottante à haute résistivité (>1000 Ohm·cm), et des électrodes à couches minces sont pulvérisées sur les deux faces. Comme le chemin de courant traverse verticalement une structure monocouche de 0,20 mm au lieu de traverser des électrodes internes empilées, l'inductance série et la résistance série restent faibles, ce qui est la propriété qui permet un courant de décharge de crête élevé avec un front rapide.


Matrice de personnalisation

Paramètre Valeur standard Plage personnalisée
Capacité 2200 pF ±10% 100 pF à 10000 pF monocouche
Tension nominale 100 V CC 6,3 V à 500 V CC monocouche, jusqu'à 1000 V empilé
Taille de la puce 1,20 × 1,20 mm 0,25 × 0,25 mm à 5,0 × 5,0 mm, rectangulaire jusqu'à 4:1
Épaisseur de la puce 0,20 mm 0,10 mm à 0,30 mm
Métallisation supérieure TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au Jusqu'à 5,0 µm Au pour fil épais, option Al
Métallisation arrière TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au Préforme AuSn 3-5 µm, AuGe, argent fritté
Puissance d'impulsion 40 A crête, rafale de 10 kHz Courant de crête plus élevé avec puce agrandie et disposition multi-liaisons
Tolérance et appariement ±10% ±5% ou plus serré, ensembles appariés en dessous de ±1%


Qualité, tests et conformité

  • 100 % des puces sont testées en production pour la capacité, le facteur de dissipation, le courant de fuite et la tension de tenue du diélectrique.
  • Force d'arrachement du fil généralement supérieure à 6 gf pour fil d'or de 25 µm, vérifiée selon MIL-STD-883 Méthode 2011.7.
  • Classification ESD Classe 0 selon JESD22-A114 (HBM) ; emballage ESD-safe utilisé partout.
  • Conforme RoHS selon EU 2011/65/EU et (EU) 2015/863, conforme REACH, sans halogène selon IEC 61249-2-21 sur demande.
  • Fichiers de paramètres S, données de test d'impulsion sur demande, rapports de traçabilité de lot et déclarations de matériaux sont fournis avec chaque lot de production.
  • Système de gestion de la qualité certifié ISO 9001:2015.


Applications typiques

  • Réseaux de transfert d'énergie de pilotes et modulateurs de puissance pulsée
  • Chemins de décharge rapide de pilotes de diodes laser et LED
  • Modulation de drain et découplage de polarisation d'amplificateurs de puissance GaN
  • Fronts d'entrée de radar automobile, de capteurs industriels et d'instrumentation
  • Écrêteurs et filtrage de sortie de convertisseurs CC-CC haute tension
  • Mise en forme d'impulsions et découplage haute tension d'électronique de broches ATE
  • Circuits de stockage et de décharge de récolte d'énergie