| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC222S100V1200 |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 pièces |
| Conditions De Paiement: | T/T, L/C, D/P, D/A |
En bref : Le Hoan HACC222S100V1200 est un condensateur MOS monocouche de 2200 pF ±10 %, 100 V CC, fourni sous forme de puce soudable par fil mesurant 1,20 × 1,20 × 0,20 mm. Il est conçu pour une utilisation à décharge rapide, avec un courant de crête pulsé supérieur à 40 A (10 µs, non répétitif), un taux de variation de décharge supérieur à 500 V/µs, une ESR inférieure à 5 mOhm à 1 MHz et une ESL intrinsèque inférieure à 0,05 nH. Les électrodes sont symétriques et non polaires, et le facteur Q reste supérieur à 20 à 10 GHz, de sorte que la même pièce peut servir le chemin d'impulsion et le réseau de polarisation RF. La capacité, la tension nominale, la géométrie de la puce et la métallisation sont personnalisables.
Il s'agit d'un condensateur MOS monocouche, également appelé SLC (condensateur monocouche), condensateur à puce soudable par fil ou condensateur à impulsion MOS. Un diélectrique SiO2 de 300 nm obtenu par croissance thermique est formé sur du silicium à zone flottante à haute résistivité (>1000 Ohm·cm), et des électrodes à couches minces sont pulvérisées sur les deux faces. Comme le chemin de courant traverse verticalement une structure monocouche de 0,20 mm au lieu de traverser des électrodes internes empilées, l'inductance série et la résistance série restent faibles, ce qui est la propriété qui permet un courant de décharge de crête élevé avec un front rapide.
| Paramètre | Valeur standard | Plage personnalisée |
| Capacité | 2200 pF ±10% | 100 pF à 10000 pF monocouche |
| Tension nominale | 100 V CC | 6,3 V à 500 V CC monocouche, jusqu'à 1000 V empilé |
| Taille de la puce | 1,20 × 1,20 mm | 0,25 × 0,25 mm à 5,0 × 5,0 mm, rectangulaire jusqu'à 4:1 |
| Épaisseur de la puce | 0,20 mm | 0,10 mm à 0,30 mm |
| Métallisation supérieure | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Jusqu'à 5,0 µm Au pour fil épais, option Al |
| Métallisation arrière | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | Préforme AuSn 3-5 µm, AuGe, argent fritté |
| Puissance d'impulsion | 40 A crête, rafale de 10 kHz | Courant de crête plus élevé avec puce agrandie et disposition multi-liaisons |
| Tolérance et appariement | ±10% | ±5% ou plus serré, ensembles appariés en dessous de ±1% |
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