HongAn Microwave Co., Ltd.
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| Markenname: | Hoan |
| Modellnummer: | HACC222S100V1200 |
| Mindestbestellmenge: | 10 Stück |
| Zahlungsbedingungen: | T/T,L/C,D/P,D/A |
Kurz gesagt: Der Hoan HACC222S100V1200 ist ein 2200 pF ±10%, 100 V DC einlagiger MOS-Kondensator, der als drahtbondbarer Die mit einer Größe von 1,20 × 1,20 × 0,20 mm geliefert wird. Er ist für schnelle Entladungsaufgaben ausgelegt, mit einem Spitzenpulsstrom von über 40 A (10 µs, nicht wiederkehrend), einer Entladungssteilheit von über 500 V/µs, einem ESR von unter 5 mOhm bei 1 MHz und einer intrinsischen ESL von unter 0,05 nH. Die Elektroden sind symmetrisch und nicht polar, und die Güte Q bleibt bei 10 GHz über 20, sodass derselbe Bauteil den Pulsstrompfad und das RF-Bias-Netzwerk bedienen kann. Kapazität, Spannungsfestigkeit, Die-Geometrie und Metallisierung sind kundenspezifisch anpassbar.
Dies ist ein einlagiger MOS-Kondensator, auch als SLC (Single Layer Capacitor), drahtbondbarer Chip-Kondensator oder MOS-Puls-Kondensator bezeichnet. Ein 300 nm thermisch gewachsener SiO2-Dielektrikum wird auf hochohmiges Float-Zone-Silizium (>1000 Ohm·cm) aufgebracht, und Dünnschichtelektroden werden auf beiden Seiten aufgesputtert. Da der Strompfad vertikal durch eine 0,20 mm einlagige Struktur verläuft und nicht durch gestapelte interne Elektroden, bleiben die Serieninduktivität und der Serienwiderstand niedrig, was die Eigenschaft ist, die einen hohen Spitzenentladestrom mit einer schnellen Flanke ermöglicht.
| Parameter | Standardwert | Kundenspezifischer Bereich |
| Kapazität | 2200 pF ±10% | 100 pF bis 10000 pF einlagig |
| Nennspannung | 100 V DC | 6,3 V bis 500 V DC einlagig, bis zu 1000 V gestapelt |
| Die-Größe | 1,20 × 1,20 mm | 0,25 × 0,25 mm bis 5,0 × 5,0 mm, rechteckig bis 4:1 |
| Die-Dicke | 0,20 mm | 0,10 mm bis 0,30 mm |
| Obere Metallisierung | TaN/TiW/Ni/Au, 2,5 µm Au | Bis zu 5,0 µm Au für schwere Drähte, Al-Option |
| Rückseitenmetallisierung | TiW-Pt-Au, 1,0 µm Au | AuSn-Vorformling 3-5 µm, AuGe, gesintertes Silber |
| Pulsbewertung | 40 A Spitze, 10 kHz Burst | Höherer Spitzenstrom mit vergrößertem Die und Multi-Bond-Layout |
| Toleranz und Abgleich | ±10% | ±5% oder enger, abgeglichene Sätze unter ±1% |
