| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HACC222S100V1200 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | تي / تي، خطاب الاعتماد، د / ف، د / أ |
باختصار:هوان HACC222S100V1200 هو مكثف MOS ذو طبقة واحدة من 2200 pF ± 10٪ ، 100 فولت DC يتم توفيره على شكل قطعة قابلة للترابط بالأسلاك بحجم 1.20 × 1.20 × 0.20 مم. تم تصميمه للعمل بسرعةمع ذروة نبضات التيار فوق 40 A (10 μs)، غير متكررة) ، معدل تفريغ أكثر من 500 فولت / ميكروسكيل، ESR أقل من 5 موم في 1 ميغاهرتز و ESL داخلية أقل من 0.05 ناه. الأقطاب متماثلة وغير قطبية، و Q تبقى فوق 20 في 10 غيغاهرتز،حتى نفس الجزء يمكن أن تخدم مسار النبض وشبكة التحيز RFالقدرة، وتقييم الجهد، والهندسة والمعادن يمكن تخصيصها.
هذا هو مكثف MOS من طبقة واحدة ، يشار إليه أيضًا باسم SLC (مكثف طبقة واحدة) ، أو مكثف رقاقة قابلة للاتصال بالأسلاك أو مكثف نبض MOS.يتم تشكيل جهاز كهربائي من نوع SiO2 الذي ينمو حراريًا على مستوى 300 نانومتر على السيليكون ذو المناطق العائمة عالية المقاومة (> 1000 أوم · سم)، والإلكترودات رقيقة الشاشة يتم رشها على كلا الجانبين. لأن مسار التيار يمر عموديا من خلال هيكل طبقة واحدة 0.20 ملم بدلا من من خلال الكترودات الداخلية المتراكمة،الحثية المتسلسلة والمقاومة المتسلسلة تبقى منخفضة، وهي الخصائص التي تسمح بتفريغ ذروة عالية مع حافة سريعة.
| المعلم | القيمة القياسية | نطاق مخصص |
| السعة | 2200 pF ± 10% | 100 pF إلى 10000 pF طبقة واحدة |
| الجهد الاسمي | 100 فولت DC | 6.3 فولت إلى 500 فولت مشترك طبقة واحدة، حتى 1000 فولت متراصمة |
| مقاس الطلاء | 1.20 × 1.20 ملم | 0.25 × 0.25 ملم إلى 5.0 × 5.0 ملم، مستطيل حتى 4:1 |
| سمك الطلاء | 0.20 ملم | 0.10 ملم إلى 0.30 ملم |
| المعادن العليا | TaN/TiW/Ni/Au، 2.5 μm Au | ما يصل إلى 5.0 μm Au للأسلاك الثقيلة، الخيار Al |
| المعادن الخلفية | TiW-Pt-Au، 1.0 μm Au | AuSn preform 3-5 μm، AuGe، فضة محلاة |
| تصنيف النبض | 40 ذروة، انفجار 10 كيلو هرتز | تيار ذروة أعلى مع مسطح كبير وتخطيط متعدد الروابط |
| التسامح والمطابقة | ± 10% | ± 5 ٪ أو أكثر صرامة، مجموعات مطابقة أقل من ± 1 ٪ |
![]()