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RFパワーアンプ用セルフレベリングサーマルスムージングMOSコンデンサ HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLCチップ

Name: RFパワーアンプ用セルフレベリングサーマルスムージングMOSコンデンサ HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLCチップ
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: 交渉可能 USD
Availability: InStock

ブランド名:	Hoan
モデル番号:	HACC222S50V1000
MOQ:	10個
支払い条件:	L/C、D/A、D/P、T/T

詳細情報

製品の説明

詳細情報

起源の場所:

陝西省、中国

証明:

ISO 9001:2015, RoHS

チップ寸法:

1.00×1.00×0.15mm

上部のメタライゼーション:

TiW (100nm) + Au (4.0μm以上)

裏面メタライゼーション:

TiW-Pt-Au、Au 2.0μm以上

取付タイプ:

共晶ダイアタッチ/ワイヤーボンディング可能

動作温度:

-55℃～+125℃

カスタマイズ:

カスタム静電容量、ダイ形状、メタライゼーション、およびパッキング

ハイライト:

自己発熱MOSキャパシタ 2200 pF

熱平滑化キャパシタ 50V

単層チップキャパシタ RFパワーアンプ

製品の説明

自己発熱熱再分配MOSキャパシタ — HACC222S50V1000

定義: HACC222S50V1000は、2200 pF ±10%、50 V DCのシングルレイヤーMOSキャパシタで、フロートゾーンシリコン基板上に300 nmの熱酸化SiO₂誘電体を使用しています。1.00 × 1.00 × 0.15 mmのチップ、超厚の4.0 µm金トップ電極、完全に金属化されたTiW-Pt-Au裏面により、RFパワーアンプモジュール内で自己発熱を再分配し平滑化する低熱抵抗パスが形成されます。

クイックアンサー — 一目でわかる

概要: シングルレイヤーMOSキャパシタ、2200 pF、50 V、ワイヤボンディング可能なベアダイ。
コア機能: 高出力RFアンプにおける自己発熱熱再分配および熱平滑化。
仕組み: 2つの高導電率金電極に挟まれた300 nm SiO₂が低熱抵抗パスを提供します。
熱性能: 接合部-ケース間熱抵抗 <8 K/W; 自己発熱上昇 40 W RF電力損失時 <5 °C。
安定性: −55 °Cから+125 °Cまで+35 ppm/°C; 熱サイクル全体で安定したC-V特性。
チップ: 1.00 × 1.00 × 0.15 mm; 固有ESL 1 GHzで300。

主な特徴

低熱抵抗: 完全に金属化された裏面と厚い金電極により、接合部-ケース間熱抵抗は<8 K/W。
熱平滑化: 40 W RF電力損失時 <5 °Cの自己発熱上昇; 温度によるC-V安定性。
高容量密度: 1.00 mmチップ上に2200 pFを搭載し、コンパクトな出力整合とバイアスデカップリングを実現。
固有チップESL 1 GHzで300。
TiW-Auトップ（≥4.0 µm）およびTiW-Pt-Au裏面はAuSn共晶ダイアタッチ用。
RoHS準拠（EU 2015/863）; JESD22-A114準拠のESDクラス0（HBM）ハンドリング。

仕様（T = 25 °C、特に記載がない場合）

パラメータ	値	テスト条件
静電容量	2200 pF ±10%（±5%オプションあり）	1 MHz、1.0 Vrms
定格DC電圧	50 V	連続動作
誘電体耐電圧	>125 V DC	1分間ランプ、25 °C
誘電体	熱酸化SiO₂、300 nm	乾式酸化
基板	フロートゾーンSi、>1000 Ω·cm	—
熱抵抗（接合部-ケース間）	<8 K/W	AuSnダイアタッチ
自己発熱温度上昇	<5 °C	40 W RF電力損失
固有チップESL	<0.05 nH	Sパラメータからデエンベデッド
Qファクタ @ 1 GHz	>300	代表値
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C～+125 °C
動作/保管温度	−55 °C～+125 °C / −65 °C～+150 °C	—
チップ寸法	1.00 × 1.00 × 0.15 mm	±0.025 mm

代表的な用途

RFパワーアンプの出力整合およびドレインバイアス供給。
高出力RF信号チェーンにおけるDCブロッキングおよびバイパス。
携帯基地局およびリモート無線ユニット（RRU）の電源ステージ。
産業用RF加熱、プラズマ励起、電源。
高循環電流を伴うワイヤレス電力およびエネルギーハーベスティング回路。
持続的なRF電力で動作するテストおよび測定治具。

RFパワーアンプ用セルフレベリングサーマルスムージングMOSコンデンサ HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLCチップ

札:

コニカルインダクタ

広帯域インダクタ

空気中心誘導器

エアコイルインダクタ

MOSキャパシタ