rincian produk

Rumah Produk

Kapasitor MOS Penghalusan Termal Pemanas Sendiri HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip untuk Penguat Daya RF

Name: Kapasitor MOS Penghalusan Termal Pemanas Sendiri HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip untuk Penguat Daya RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Bisa dinegosiasikan USD
Availability: InStock

Nama Merek:	Hoan
Nomor Model:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 buah
Ketentuan Pembayaran:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informasi Rinci

Deskripsi Produk

Informasi Rinci

Tempat asal:

Shaanxi, Tiongkok

Sertifikasi:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensi Keping:

1,00 × 1,00 × 0,15mm

Metalisasi Teratas:

TiW (100nm) + Au (4,0µm mnt)

Metalisasi Bagian Belakang:

TiW-Pt-Au, Au 2,0µm mnt

Tipe Pemasangan:

Eutektik Die Attach / Kawat Dapat Diikat

Suhu Operasional:

-55°C hingga +125°C

Kustomisasi:

Kapasitansi khusus, geometri cetakan, metalisasi, dan pengepakan

Menyoroti:

Kondensator MOS Pemanas Sendiri 2200 pF

Kondensator Penghalusan Termal 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Amplifier Daya

Deskripsi Produk

Kondensator MOS Termal Redistribusi Pemanasan Sendiri HACC222S50V1000

Definisi:HACC222S50V1000 adalah kapasitor MOS satu lapisan 2200 pF ± 10%, 50 V DC pada substrat silikon zona terapung dengan SiO termal 300 nm₂Dielektrik, chip 1,00 × 1,00 × 0,15 mm, elektroda atas emas dengan ketebalan 4,0 μm,dan sisi belakang TiW-Pt-Au yang sepenuhnya termetalisasi menciptakan jalur resistensi termal rendah yang mendistribusikan kembali dan meratakan panas yang dihasilkan sendiri di modul amplifier daya RF.

Jawaban Cepat ️ sekilas

Apa itu:Kondensator MOS satu lapisan, 2200 pF, 50 V, kawat-bonding mati telanjang.
Fungsi inti:redistribusi termal pemanasan diri dan perataan termal pada amplifier RF bertenaga tinggi.
Mengapa itu berhasil:300 nm SiO₂Sandwiched antara dua elektroda emas konduktivitas tinggi memberikan jalur resistensi termal rendah.
Kinerja termal:resistensi termal junction-to-case < 8 K/W; kenaikan pemanasan diri < 5 °C pada disipasi RF 40 W.
Stabilitas:+35 ppm/°C dari -55 °C sampai +125 °C; stabil C ′ V sepanjang siklus termal.
Chip:1.00 × 1.00 × 0.15 mm; ESL intrinsik < 0.05 nH; Q > 300 pada 1 GHz.

Fitur utama

Resistensi termal rendah: < 8 K/W junction-to-case via fully metallized backside and thick gold electrode.
Perataan termal: < 5 °C kenaikan pemanasan diri pada disipasi RF 40 W; stabil C ̇ V atas suhu.
Densitas kapasitansi tinggi: 2200 pF pada chip 1,00 mm untuk pencocokan output yang kompak dan pencabutan bias.
"Teknologi" yang digunakan untuk mendeteksi dan memantau "teknologi" yang digunakan untuk mendeteksi dan memverifikasi "teknologi" yang digunakan untuk mendeteksi dan memverifikasi "teknologi" yang digunakan untuk mendeteksi dan memverifikasi "teknologi" yang digunakan.
TiW-Au top (≥ 4,0 μm) dan TiW-Pt-Au backside untuk AuSn eutectic die attach.
RoHS sesuai (EU 2015/863); ESD Kelas 0 (HBM) penanganan sesuai dengan JESD22-A114.

Spesifikasi (T = 25 °C kecuali dinyatakan)

Parameter	Nilai	Kondisi pengujian
Kapasitas	2200 pF ±10% (opsi ±5%)	1 MHz, 1,0 Vrms
Tegangan DC nominal	50 V	Operasi terus menerus
Tegangan tahan dielektrik	> 125 V DC	Ramp 1 menit, 25 °C
Dielektrik	SiO termal₂, 300 nm	Oksidasi kering
Substrat	Zona terapung Si, > 1000 Ω·cm	️
Ketahanan termal (pembatasan-ke-case)	< 8 K/W	Aku akan bergabung.
Peningkatan suhu pemanasan diri	< 5 °C	40 W RF dissipation
Chip intrinsik ESL	< 0,05 nH	Dihapus dari parameter S
Faktor Q @ 1 GHz	> 300	Tipikal
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C sampai +125 °C
Suhu operasi / penyimpanan	-55 °C sampai +125 °C / -65 °C sampai +150 °C	️
Dimensi chip	10,00 × 1,00 × 0,15 mm	± 0,025 mm

Aplikasi khas

RF power amplifier output matching dan drain bias feeds.
Memblokir DC dan bypass dalam rantai sinyal RF bertenaga tinggi.
Stasiun basis seluler dan unit radio jarak jauh (RRU) tahap daya.
Pemanasan RF industri, eksitasi plasma, dan pasokan listrik.
Listrik nirkabel dan sirkuit panen energi dengan arus sirkulasi tinggi.
Perlengkapan uji & pengukuran yang beroperasi pada daya RF berkelanjutan.

Kapasitor MOS Penghalusan Termal Pemanas Sendiri HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip untuk Penguat Daya RF

Tag:

Induktor Kerucut

Induktor Broadband

Induktor inti udara

induktor kumparan udara

Kondensator MOS