Подробная информация о продукции

Дом Продукты

Самонагревающиеся термогладирующие конденсаторы MOS HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC чип для усилителей мощности радиочастот

Название бренда:	Hoan
Номер модели:	ХАКС222С50В1000
минимальный заказ:	10 шт.
Условия оплаты:	Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т

Детальная информация

Характер продукции

Детальная информация

Место происхождения:

Шэньси, Китай

Сертификация:

ISO 9001:2015, RoHS

Размеры чипа:

1,00 × 1,00 × 0,15 мм

Топ Металлизация:

TiW (100 нм) + Au (4,0 мкм мин)

Задняя металлизация:

TiW-Pt-Au, Au 2,0 мкм мин.

Тип монтажа:

Эвтектическая матрица для крепления/склеивания проволокой

Рабочая температура:

от -55°С до +125°С

Кастомизация:

Пользовательская емкость, геометрия кристалла, металлизация и упаковка

Выделить:

Самонагревающийся конденсатор MOS 2200 pF

Термогладующий конденсатор 50 В

Однослойный чип-конденсатор Усилители мощности RF

Характер продукции

Конденсатор MOS с самонагревающимся тепловым перераспределением HACC222S50V1000

Определение:HACC222S50V1000 представляет собой однослойный конденсатор MOS 2200 pF ±10%, 50 V DC на кремниевом субстрате плавающей зоны с тепловым SiO 300 нм₂1,00 × 1,00 × 0,15 мм чип, сверхтолстый 4,0 мкм золотой верхний электрод,и полностью металлизированный TiW-Pt-Au задней части создать низкий теплового сопротивления пути, который перераспределяет и сглаживает самогенерируемое тепло в модулях усилителя мощности RF.

Быстрый ответ на один взгляд

Что это такое:Однослойный конденсатор MOS, 2200 pF, 50 В, проволока-связываемая голая штамповка.
Основная функция:самонагревательное тепловое перераспределение и тепловое сглаживание в высокомощных УЗИ.
Почему это работает:300 нм SiO₂Вставленный между двумя высокопроводящими золотыми электродами дает путь низкого теплового сопротивления.
Тепловая производительность:тепловое сопротивление соединения с корпусом < 8 К/Вт; самонагрев < 5 °C при рассеивании 40 Вт.
Устойчивость:+35 ppm/°C от −55 °C до +125 °C; стабильный C ′ V в течение всего теплового цикла.
Чип:10,00 × 1,00 × 0,15 мм; внутренний ESL < 0,05 nH; Q > 300 при 1 ГГц.

Ключевые особенности

Низкое тепловое сопротивление: < 8 К/Вт. Соединение с корпусом через полностью металлизированную заднюю сторону и толстый золотой электрод.
Тепловое сглаживание: < 5 °C самонагревающийся подъем при 40 W RF рассеивании; стабильный C ′ V над температурой.
Высокая плотность емкости: 2200 pF на 1,00 мм чипе для компактного сопоставления выхода и декоплинга предвзятости.
Внутренний чип ESL <0,05 nH; Q >300 при 1 ГГц.
TiW-Au верхняя часть (≥ 4,0 мкм) и TiW-Pt-Au задняя часть для AuSn евтектической накладки.
Соответствует требованиям RoHS (EU 2015/863); обработка ESD класса 0 (HBM) согласно JESD22-A114.

Спецификации (T = 25 °C, если не указано)

Параметр	Стоимость	Условия испытания
Пропускная способность	2200 pF ±10% (±5% вариант)	1 МГц, 1,0 ВРМ
Номинальное напряжение постоянного тока	50 В	Непрерывная работа
Диэлектрическое стойкое напряжение	> 125 В постоянного тока	1 минута на пандусе, 25 °C
Диэлектрический	Тепловая SiO₂, 300 нм	Сухое окисление
Субстрат	Плотность зоны плавания Si > 1000 Ω·cm	—
Тепловое сопротивление (соединение с корпусом)	< 8 К/Вт	Присоединяйтесь
Повышение температуры самонагрева	< 5 °C	40 Вт рассеивание RF
Внутренний чип ESL	< 0,05 нГ	Снято с S-параметра
Q-фактор @ 1 ГГц	> 300	Типичный
ТЦК	+35 ppm/°C	от −55 °C до +125 °C
Операционная / температура хранения	−55 °C до +125 °C / −65 °C до +150 °C	—
Размеры чипа	10,00 × 1,00 × 0,15 мм	± 0,025 мм

Типичные приложения

Выходное совпадение RF-усилителя мощности и питание отвода.
Блокировка и обход постоянного тока в высокомощных цепочках сигналов RF.
Мобильные базовые станции и дистанционные радиоустановки (RRU).
Промышленное радиочастотное отопление, плазменное возбуждение и источники питания.
Беспроводные схемы питания и сбора энергии с высоким циркулирующим током.
Испытательные и измерительные приборы, работающие на устойчивой RF мощности.

Самонагревающиеся термогладирующие конденсаторы MOS HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC чип для усилителей мощности радиочастот

Бирки:

Надежные МОП-конденсаторы с высоким напряжением пробоя, ультраминиатюрные, с низкими утечками, 50 В, с возможностью проволочного монтажа SLC

Получите самую лучшую цену

Конический индуктор

Индукторы широкополосного доступа

Индуктор ядра воздуха

Индуктор воздушной катушки

Конденсаторы MOS