تفاصيل المنتجات

المنزل منتجات

مكثفات MOS التسوية الحرارية ذاتية التدفئة HACC222S50V1000 2200 pF 50V رقاقة SLC لمضاعفات الطاقة RF

Name: مكثفات MOS التسوية الحرارية ذاتية التدفئة HACC222S50V1000 2200 pF 50V رقاقة SLC لمضاعفات الطاقة RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: قابل للتفاوض USD
Availability: InStock

اسم العلامة التجارية:	Hoan
رقم الموديل:	HACC222S50V1000
موك:	10 قطع
شروط الدفع:	خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T

معلومات مفصلة

وصف المنتج

معلومات مفصلة

مكان المنشأ:

شنشي، الصين

إصدار الشهادات:

ISO 9001:2015, RoHS

أبعاد الشريحة:

1.00 × 1.00 × 0.15 ملم

أعلى المعدنة:

TiW (100 نانومتر) + Au (4.0 ميكرومتر دقيقة)

تعدين المؤخر:

TiW-Pt-Au، Au 2.0 ميكرومتر دقيقة

نوع التركيب:

مرفق قالب سهل الانصهار/سلك قابل للربط

درجة حرارة التشغيل:

-55 درجة مئوية إلى +125 درجة مئوية

التخصيص:

السعة المخصصة، وهندسة القالب، والتعدين، والتعبئة

إبراز:

مكثف MOS ذاتية التدفئة 2200 pF

مكثف تسوية حرارية 50 فولت

مكثفات رقاقة ذات طبقة واحدة مكثفات الطاقة الراديوية

وصف المنتج

مكثف MOS ذاتية التدفئة وإعادة توزيع الحرارة HACC222S50V1000

تعريف:HACC222S50V1000 هو مكثف MOS ذو طبقة واحدة من 2200 pF ± 10% ، 50 V DC ، على رصيف السيليكون في منطقة العائمة مع SiO حرارية 300 nm₂كهرباء غير كهربائية، شريحة من 1.00 × 1.00 × 0.15 مم، وقطب فوقي من الذهب بقوة 4.0 ميكرو متراً،و TiW-Pt-Au مؤخرة معدنية بالكامل خلق مسار مقاومة حرارية منخفضة التي إعادة توزيع وتسوية الحرارة المولدة ذاتيا في وحدات مكبر الطاقة RF.

الإجابة السريعة في لمحة

ما هو:مكثف MOS من طبقة واحدة، 2200 pF، 50 فولت، قابلة للاتصال بالأسلاك.
الوظيفة الأساسية:إعادة توزيع الحرارة الحرارية ذاتية التدفئة والتسوية الحرارية في مكبرات RF عالية الطاقة.
لماذا يعمل:300 نانومتر من SiO₂بين اثنين من الكهرباء الذهبية عالية التوصيل يعطي مسار مقاومة حرارية منخفضة.
الأداء الحراري:المقاومة الحرارية للاتصال بالحالة < 8 كيلوواط ؛ ارتفاع التدفئة الذاتية < 5 درجة مئوية عند 40 واط من تبديد RF.
الاستقرار:+35 ppm/°C من -55 °C إلى +125 °C؛ مستقر C ‬V عبر الدورة الحرارية.
الشريحة:1.00 × 1.00 × 0.15 ملم؛ ESL الجوهرية < 0.05 nH؛ Q > 300 عند 1 GHz.

الخصائص الرئيسية

المقاومة الحرارية المنخفضة: < 8 كيلوواط التوصيل إلى القضية عبر الجزء الخلفي المعدني بالكامل والإلكترود الذهبي السميك.
التسوية الحرارية: < 5 درجة مئوية ارتفاع التسخين الذاتي عند 40 واط من التبديد اللاسلكي؛ مستقر C ̊V فوق درجة الحرارة.
كثافة سعة عالية: 2200 pF على شريحة 1.00 مم لمطابقة الإخراج المدمجة و تفكيك التحيز.
أجهزة تشغيل ذاتية (ESL) <0.05 nH؛ Q >300 عند 1 GHz.
القمة من TiW-Au (≥4.0 μm) والجبهة الخلفية من TiW-Pt-Au للوصول إلى الصفحة المقطوعة من AuSn.
تتوافق مع RoHS (EU 2015/863) ؛ التعامل مع ESD Class 0 (HBM) حسب JESD22-A114.

المواصفات (T = 25 °C ما لم يذكر)

المعلم	القيمة	حالة الاختبار
السعة	2200 pF ± 10% (خيار ± 5٪)	1 ميغاهرتز، 1.0 Vrms
الجهد المباشر	50 فولت	التشغيل المستمر
الجهد المقاوم للكهرباء	> 125 فولت DC	1 دقيقة من المنحدر، 25 درجة مئوية
الديليكتريك	الـ SiO الحراري₂, 300 نلم	الأكسدة الجافة
القالب	المنطقة العائمة Si، > 1000 Ω·cm	‬‬
المقاومة الحرارية	< 8 كيلوواط	أوشن المرفق
ارتفاع درجة حرارة التدفئة الذاتية	< 5 درجة مئوية	40 واط إشارة الراديو اللاسلكي
الشريحة الداخلية ESL	<0.05 نهي	غير مضمن من معايير S
عامل Q @ 1 GHz	> 300	نموذجي
TCC	+35 ppm/°C	من -55 °C إلى +125 °C
درجة حرارة التشغيل / التخزين	-55 °C إلى +125 °C / -65 °C إلى +150 °C	‬‬
أبعاد الشريحة	1.00 × 1.00 × 0.15 ملم	±0.025 ملم

التطبيقات النموذجية

تطابق مخرج مكبر الطاقة اللاسلكي وتغذية التحيزات
حجب التيار المباشر والتجاوز في سلاسل إشارات RF عالية الطاقة.
محطات القاعدة الخلوية ووحدة الراديو البعيدة (RRU).
التدفئة الصناعية الراديوية، إثارة البلازما، ومصادر الطاقة.
أجهزة الطاقة اللاسلكية و دوائر جمع الطاقة ذات التيار العالي
أجهزة الاختبار والقياس التي تعمل عند طاقة RF المستمرة.

مكثفات MOS التسوية الحرارية ذاتية التدفئة HACC222S50V1000 2200 pF 50V رقاقة SLC لمضاعفات الطاقة RF

العلامات:

محث مخروطي

محاثات النطاق العريض

مغو الهواء الأساسية

مغو لفائف الهواء