HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| ชื่อแบรนด์: | Hoan |
| หมายเลขรุ่น: | HACC222S50V1000 |
| ขั้นต่ำ: | 10 ชิ้น |
| เงื่อนไขการชำระเงิน: | L/C,D/A,D/P,T/T |
คำจำกัดความ: HACC222S50V1000 คือตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียวขนาด 2200 pF ±10%, 50 V DC บนพื้นผิวซิลิคอนแบบ float-zone พร้อมด้วยฉนวนความร้อน SiO ขนาด 300 nm2 ไดอิเล็กทริก ชิปขนาด 1.00 × 1.00 × 0.15 มม., ขั้วไฟฟ้าด้านบนทองคำหนาพิเศษ 4.0 µm และด้านหลังที่เคลือบโลหะเต็มด้วย TiW-Pt-Au สร้างเส้นทางที่มีความต้านทานความร้อนต่ำที่กระจายและปรับความร้อนที่เกิดขึ้นเองให้เรียบในโมดูลเครื่องขยายกำลัง RF
คำตอบอย่างรวดเร็ว — โดยสรุป
| พารามิเตอร์ | ค่า | เงื่อนไขการทดสอบ |
|---|---|---|
| ความจุ | 2200 pF ±10% (±5% ตัวเลือก) | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| แรงดันไฟฟ้า DC ที่กำหนด | 50 V | การทำงานต่อเนื่อง |
| แรงดันไฟฟ้าทนไดอิเล็กทริก | >125 V DC | การเพิ่มขึ้น 1 นาที, 25 °C |
| ไดอิเล็กทริก | Thermal SiO2, 300 nm | การออกซิเดชันแบบแห้ง |
| ซับสเตรต | Float-zone Si, >1000 Ω·cm | — |
| ความต้านทานความร้อน (จากรอยต่อถึงเคส) | <8 K/W | การยึดชิปด้วย AuSn |
| การเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิความร้อนตัวเอง | <5 °C | การกระจายกำลัง RF 40 W |
| ESL ในตัวของชิป | <0.05 nH | แยกออกจาก S-parameter |
| ปัจจัย Q @ 1 GHz | >300 | ทั่วไป |
| TCC | +35 ppm/°C | −55 °C ถึง +125 °C |
| อุณหภูมิการทำงาน / การจัดเก็บ | −55 °C ถึง +125 °C / −65 °C ถึง +150 °C | — |
| ขนาดชิป | 1.00 × 1.00 × 0.15 มม. | ±0.025 มม. |
