Bộ sợi SLC tự sưởi ấm nhiệt mịn MOS HACC222S50V1000 2200 pF 50V Chip cho bộ khuếch đại điện RF

Tụ MOS Tự Gia Nhiệt Phân Tán Nhiệt — HACC222S50V1000

Định nghĩa: HACC222S50V1000 là tụ MOS một lớp 2200 pF ±10%, 50 V DC, trên đế silicon float-zone với lớp điện môi SiO₂ nhiệt dày 300 nm. Chip kích thước 1.00 × 1.00 × 0.15 mm, điện cực trên bằng vàng siêu dày 4.0 µm và mặt sau được kim loại hóa hoàn toàn bằng TiW-Pt-Au tạo ra đường dẫn có điện trở nhiệt thấp giúp phân tán và làm mịn nhiệt tự sinh trong các mô-đun bộ khuếch đại công suất RF.

Tính năng chính

• Điện trở nhiệt thấp: <8 K/W từ mối nối đến vỏ thông qua mặt sau được kim loại hóa hoàn toàn và điện cực vàng dày.
• Làm mịn nhiệt: <5 °C độ tăng nhiệt tự sinh ở công suất tiêu tán RF 40 W; C–V ổn định theo nhiệt độ.
• Mật độ điện dung cao: 2200 pF trên chip 1.00 mm cho việc khớp trở kháng đầu ra và tách nhiễu nguồn nhỏ gọn.
• ESL chip nội tại 300 ở 1 GHz.
• Điện cực trên bằng TiW-Au (≥4.0 µm) và mặt sau bằng TiW-Pt-Au để gắn chip bằng eutectic AuSn.
• Tuân thủ RoHS (EU 2015/863); xử lý ESD Cấp 0 (HBM) theo JESD22-A114.

Thông số kỹ thuật (T = 25 °C trừ khi có ghi chú khác)

Ứng dụng điển hình

• Khớp trở kháng đầu ra và đường cấp nguồn drain cho bộ khuếch đại công suất RF.
• Chặn DC và bypass trong chuỗi tín hiệu RF công suất cao.
• Các tầng công suất của trạm gốc di động và bộ thu phát từ xa (RRU).
• Hệ thống gia nhiệt RF công nghiệp, kích thích plasma và bộ nguồn.
• Mạch thu hoạch năng lượng và truyền năng lượng không dây với dòng điện tuần hoàn cao.
• Các bộ kiểm tra và đo lường hoạt động ở công suất RF liên tục.