details van de producten

Huis Producten

Zelfverwarmende thermisch gladde MOS-condensatoren HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC-chip voor RF-versterkers

Name: Zelfverwarmende thermisch gladde MOS-condensatoren HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC-chip voor RF-versterkers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Bespreekbaar USD
Availability: InStock

Merknaam:	Hoan
Modelnummer:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 stuks
Betalingsvoorwaarden:	L/C, D/A, D/P, T/T

Gedetailleerde informatie

Productomschrijving

Gedetailleerde informatie

Plaats van herkomst:

Shaanxi, China

Certificering:

ISO 9001:2015, RoHS

Chipafmetingen:

1,00 × 1,00 × 0,15 mm

Topmetallisatie:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm min)

Metallisatie aan de achterkant:

TiW-Pt-Au, Au 2,0 µm min

Montagetype:

Eutectische Die Attach / Wire Bondable

Bedrijfstemperatuur:

-55°C tot +125°C

Maatwerk:

Aangepaste capaciteit, matrijsgeometrie, metallisatie en pakking

Markeren:

Zelfverwarmende MOS-condensator 2200 pF

Thermische Gladmakende Condensator 50V

Enkellaags Chipcondensator RF-vermogensversterkers

Productomschrijving

Zelfverwarmende Thermische Herverdelings MOS Condensator — HACC222S50V1000

Definitie: De HACC222S50V1000 is een 2200 pF ±10%, 50 V DC, enkellaagse MOS-condensator op een float-zone siliciumsubstraat met een 300 nm thermische SiO₂ diëlektricum. Een chip van 1,00 × 1,00 × 0,15 mm, een ultradikke gouden topelelektrode van 4,0 µm en een volledig gemetalliseerde TiW-Pt-Au achterkant creëren een pad met lage thermische weerstand dat zelf gegenereerde warmte in RF-vermogenversterkermodules herverdeelt en egaliseert.

Snel antwoord — in één oogopslag

Wat het is: enkellaagse MOS-condensator, 2200 pF, 50 V, draadbondbare kale chip.
Kernfunctie: zelfverwarmende thermische herverdeling en thermische egalisatie in hoogvermogen RF-versterkers.
Waarom het werkt: 300 nm SiO₂ ingeklemd tussen twee gouden elektroden met hoge geleidbaarheid zorgt voor een pad met lage thermische weerstand.
Thermische prestaties: thermische weerstand van de overgang naar de behuizing <8 K/W; zelfverwarmingsstijging <5 °C bij 40 W RF-dissipatie.
Stabiliteit: +35 ppm/°C van −55 °C tot +125 °C; stabiele C–V over de thermische cyclus.
Chip: 1,00 × 1,00 × 0,15 mm; intrinsieke ESL 300 bij 1 GHz.

Belangrijkste kenmerken

Lage thermische weerstand: <8 K/W overgang-naar-behuizing via volledig gemetalliseerde achterkant en dikke gouden elektrode.
Thermische egalisatie: <5 °C zelfverwarmingsstijging bij 40 W RF-dissipatie; stabiele C–V over temperatuur.
Hoge capaciteitsdichtheid: 2200 pF op een 1,00 mm chip voor compacte uitgangsaanpassing en bias-ontkoppeling.
Intrinsieke chip ESL 300 bij 1 GHz.
TiW-Au bovenkant (≥4,0 µm) en TiW-Pt-Au achterkant voor AuSn eutectische chipbevestiging.
RoHS-conform (EU 2015/863); ESD Klasse 0 (HBM) hantering volgens JESD22-A114.

Specificaties (T = 25 °C tenzij anders vermeld)

Parameter	Waarde	Testconditie
Capaciteit	2200 pF ±10% (±5% optie)	1 MHz, 1,0 Vrms
Nominale DC-spanning	50 V	Continue werking
Diëlektrische weerstandsspanning	>125 V DC	1 minuut oplopend, 25 °C
Diëlektricum	Thermische SiO₂, 300 nm	Droge oxidatie
Substraat	Float-zone Si, >1000 Ω·cm	—
Thermische weerstand (overgang-naar-behuizing)	<8 K/W	AuSn chipbevestiging
Zelfverwarmings temperatuurstijging	<5 °C	40 W RF-dissipatie
Intrinsieke chip ESL	<0,05 nH	Ont-ingebed uit S-parameter
Q-factor @ 1 GHz	>300	Typisch
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C tot +125 °C
Bedrijfs-/opslagtemperatuur	−55 °C tot +125 °C / −65 °C tot +150 °C	—
Chipafmetingen	1,00 × 1,00 × 0,15 mm	±0,025 mm

Typische toepassingen

RF-vermogenversterker uitgangsaanpassing en drain-bias feeds.
DC-blokkering en bypass in hoogvermogen RF-signaalketens.
Mobiele basisstations en remote radio unit (RRU) vermogenstrappen.
Industriële RF-verwarming, plasma-excitatie en voedingen.
Draadloze stroom- en energie-oogstcircuits met hoge circulerende stroom.
Test- en meetarmaturen die werken bij aanhoudend RF-vermogen.

Zelfverwarmende thermisch gladde MOS-condensatoren HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC-chip voor RF-versterkers

Markeringen:

Conische spoel

Breedbandspoelen

De Inductor van de luchtkern

Air Coil Inductor

MOS-condensatoren