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RF 전력 증폭기용 자체 발열 열 평활 MOS 커패시터 HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC 칩

Name: RF 전력 증폭기용 자체 발열 열 평활 MOS 커패시터 HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC 칩
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Hoan
모델 번호:	HACC222S50V1000
MOQ:	10개
지불 조건:	L/C,D/A,D/P,T/T

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국 산시성

인증:

ISO 9001:2015, RoHS

칩 크기:

1.00×1.00×0.15mm

최고 금속화:

TiW(100nm) + Au(최소 4.0μm)

후면 금속화:

TiW-Pt-Au, Au 2.0μm 최소

장착 유형:

공융 다이 부착/와이어 본딩 가능

작동 온도:

-55°C ~ +125°C

맞춤화:

맞춤형 정전 용량, 다이 형상, 금속화 및 패킹

강조하다:

자체 발열 MOS 커패시터 2200 pF

열 평활 커패시터 50V

단층 칩 커패시터 RF 전력 증폭기

제품 설명

자가 발열 열 재분배 MOS 커패시터 — HACC222S50V1000

정의: HACC222S50V1000은 2200 pF ±10%, 50 V DC, 단일층 MOS 커패시터로, 플로트 존 실리콘 기판에 300 nm 열 산화 SiO₂ 유전체를 사용합니다. 1.00 × 1.00 × 0.15 mm 칩, 초박형 4.0 µm 금 상단 전극, 완전히 금속화된 TiW-Pt-Au 뒷면은 RF 전력 증폭기 모듈에서 자체 생성된 열을 재분배하고 평활화하는 낮은 열 저항 경로를 생성합니다.

빠른 답변 — 한눈에 보기

무엇인가: 단일층 MOS 커패시터, 2200 pF, 50 V, 와이어 본딩 가능한 베어 다이.
핵심 기능: 고출력 RF 증폭기에서의 자체 발열 열 재분배 및 열 평활화.
작동 원리: 두 개의 고전도성 금 전극 사이에 샌드위치된 300 nm SiO₂는 낮은 열 저항 경로를 제공합니다.
열 성능: 접합부-케이스 열 저항 <8 K/W; 자체 발열 상승 40 W RF 소산 시 <5 °C.
안정성: −55 °C ~ +125 °C에서 +35 ppm/°C; 열 사이클 전반에 걸쳐 안정적인 C–V.
칩: 1.00 × 1.00 × 0.15 mm; 고유 ESL 1 GHz에서 300.

주요 특징

낮은 열 저항: 완전히 금속화된 뒷면과 두꺼운 금 전극을 통한 접합부-케이스 <8 K/W.
열 평활화: 40 W RF 소산 시 <5 °C 자체 발열 상승; 온도에 따른 안정적인 C–V.
높은 커패시턴스 밀도: 1.00 mm 칩에 2200 pF로 컴팩트한 출력 매칭 및 바이어스 디커플링 가능.
고유 칩 ESL 1 GHz에서 300.
TiW-Au 상단 (≥4.0 µm) 및 TiW-Pt-Au 뒷면은 AuSn 공융 다이 부착용.
RoHS 준수 (EU 2015/863); JESD22-A114에 따른 ESD 클래스 0 (HBM) 취급.

사양 (T = 25 °C, 달리 명시되지 않은 경우)

매개변수	값	테스트 조건
커패시턴스	2200 pF ±10% (±5% 옵션)	1 MHz, 1.0 Vrms
정격 DC 전압	50 V	연속 작동
유전체 내전압	>125 V DC	1분 램프, 25 °C
유전체	열 산화 SiO₂, 300 nm	건식 산화
기판	플로트 존 Si, >1000 Ω·cm	—
열 저항 (접합부-케이스)	<8 K/W	AuSn 다이 부착
자체 발열 온도 상승	<5 °C	40 W RF 소산
고유 칩 ESL	<0.05 nH	S-파라미터에서 디임베딩됨
1 GHz에서의 Q 팩터	>300	일반적
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C ~ +125 °C
작동/보관 온도	−55 °C ~ +125 °C / −65 °C ~ +150 °C	—
칩 치수	1.00 × 1.00 × 0.15 mm	±0.025 mm

일반적인 응용 분야

RF 전력 증폭기 출력 매칭 및 드레인 바이어스 피드.
고출력 RF 신호 체인의 DC 차단 및 바이패스.
셀룰러 기지국 및 원격 무선 장치 (RRU) 전력 단계.
산업용 RF 가열, 플라즈마 여기 및 전원 공급 장치.
고순환 전류를 갖는 무선 전력 및 에너지 하베스팅 회로.
지속적인 RF 전력으로 작동하는 테스트 및 측정 장비.

RF 전력 증폭기용 자체 발열 열 평활 MOS 커패시터 HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC 칩

태그:

원추형 인덕터

광대역 인덕터

에어 코어 인덕터

공기 코일 인덕터

MOS 콘덴시터