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स्व-गर्म थर्मल चिकनाई एमओएस संधारित्र HACC222S50V1000 2200 पीएफ 50V आरएफ पावर एम्पलीफायर के लिए एसएलसी चिप

Name: स्व-गर्म थर्मल चिकनाई एमओएस संधारित्र HACC222S50V1000 2200 पीएफ 50V आरएफ पावर एम्पलीफायर के लिए एसएलसी चिप
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: बातचीत योग्य USD
Availability: InStock

ब्रांड का नाम:	Hoan
मॉडल नंबर:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 टुकड़े
भुगतान की शर्तें:	एल/सी,डी/ए,डी/पी,टी/टी

विस्तृत जानकारी

उत्पाद का वर्णन

विस्तृत जानकारी

उत्पत्ति के प्लेस:

शानक्सी, चीन

प्रमाणन:

ISO 9001:2015, RoHS

चिप आयाम:

1.00 × 1.00 × 0.15 मिमी

शीर्ष धातुकरण:

TiW (100nm) + Au (4.0µm मिनट)

पीछे की ओर धातुकरण:

TiW-Pt-Au, Au 2.0μm मिनट

माउन्टिंग का प्रकार:

यूटेक्टिक डाई अटैच / वायर बॉन्डेबल

परिचालन तापमान:

-55°C से +125°C

अनुकूलन:

कस्टम कैपेसिटेंस, डाई ज्यामिति, धातुकरण, और पैकिंग

प्रमुखता देना:

सेल्फ-हीटिंग एमओएस कैपेसिटर 2200 pF

थर्मल स्मूथिंग कैपेसिटर 50V

सिंगल लेयर चिप कैपेसिटर RF पावर एम्पलीफायरों

उत्पाद का वर्णन

स्व-गर्म थर्मल पुनर्वितरण एमओएस संधारित्र HACC222S50V1000

परिभाषा:HACC222S50V1000 एक 2200 pF ±10%, 50 V DC, एकल-परत MOS कैपेसिटर है, जो 300 एनएम थर्मल SiO के साथ एक फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन सब्सट्रेट पर है₂एक 1.00 × 1.00 × 0.15 मिमी चिप, एक अति मोटी 4.0 μm सोने के शीर्ष इलेक्ट्रोड,और एक पूरी तरह से धातु TiW-Pt-Au पीठ एक कम थर्मल प्रतिरोध पथ है कि पुनर्वितरित और आरएफ शक्ति एम्पलीफायर मॉड्यूल में स्व उत्पन्न गर्मी चिकनी बनाता है.

एक नज़र में त्वरित उत्तर

यह क्या हैःएकल-परत MOS संधारित्र, 2200 पीएफ, 50 वी, तार-बंधन योग्य नंगे मर।
मुख्य कार्य:उच्च शक्ति वाले आरएफ एम्पलीफायरों में स्व-गर्म थर्मल पुनर्वितरण और थर्मल चिकनाई।
यह क्यों काम करता हैः300 एनएम SiO₂दो उच्च चालकता वाले सोने के इलेक्ट्रोड के बीच सैंडविच एक कम थर्मल प्रतिरोध पथ देता है।
थर्मल प्रदर्शनःजंक्शन-टू-केस थर्मल रेजिस्टेंस <8 K/W; 40 W आरएफ डिसिपेशन पर स्व-हीटिंग वृद्धि <5 °C.
स्थिरता:+35 ppm/°C से -55 °C से +125 °C; पूरे थर्मल चक्र में स्थिर C ̊V।
चिप:1.00 × 1.00 × 0.15 मिमी; आंतरिक ESL <0.05 nH; Q >300 1 GHz पर।

मुख्य विशेषताएं

कम थर्मल प्रतिरोधः <8 K/W जंक्शन-टू-केस पूरी तरह से धातुकृत बैकसाइड और मोटी सोने के इलेक्ट्रोड के माध्यम से।
थर्मल चिकनाईः <5 °C 40 W आरएफ अपव्यय पर स्व-गर्म वृद्धि; तापमान पर स्थिर C ̊V।
उच्च क्षमता घनत्वः 1.00 मिमी चिप पर 2200 पीएफ कॉम्पैक्ट आउटपुट मिलान और पूर्वाग्रह decoupling के लिए।
आंतरिक चिप ESL <0.05 nH; Q >300 1 GHz पर।
TiW-Au टॉप (≥4.0 μm) और TiW-Pt-Au बैकसाइड AuSn यूटेक्टिक डाई अटैच के लिए।
RoHS अनुरूप (EU 2015/863); JESD22-A114 के अनुसार ESD वर्ग 0 (HBM) हैंडलिंग।

विनिर्देश (T = 25 °C जब तक कि यह उल्लेख नहीं किया गया है)

पैरामीटर	मूल्य	परीक्षण की स्थिति
क्षमता	2200 पीएफ ±10% (±5% विकल्प)	1 मेगाहर्ट्ज़, 1.0 Vrms
नामित डीसी वोल्टेज	50 वी	निरंतर संचालन
डायलेक्ट्रिक प्रतिरोधक वोल्टेज	> 125 वी डीसी	1 मिनट का रैंप, 25 °C
डायलेक्ट्रिक	थर्मल SiO₂, 300 एनएम	सूखी ऑक्सीकरण
सब्सट्रेट	फ्लोटिंग-ज़ोन Si, >1000 Ω·cm	🙏
थर्मल प्रतिरोध (जंक्शन-टू-केस)	<8 के/डब्ल्यू	अस्थिर होना
स्व-गर्म करने वाले तापमान में वृद्धि	<5 °C	40 W आरएफ अपव्यय
आंतरिक चिप ईएसएल	<0.05 एनएच	एस-पैरामीटर से अनइम्बेड
Q कारक @ 1 गीगाहर्ट्ज	>300	विशिष्ट
टीसीसी	+35 ppm/°C	−55 °C से +125 °C
संचालन/भंडारण तापमान	−55 °C से +125 °C / −65 °C से +150 °C	🙏
चिप के आयाम	1.00 × 1.00 × 0.15 मिमी	±0.025 मिमी

विशिष्ट अनुप्रयोग

आरएफ पावर एम्पलीफायर आउटपुट मैचिंग और ड्रेन-बियास फीड।
उच्च शक्ति आरएफ सिग्नल श्रृंखलाओं में डीसी अवरोध और बायपास।
सेलुलर बेस स्टेशन और रिमोट रेडियो यूनिट (RRU) के पावर स्टेज।
औद्योगिक आरएफ हीटिंग, प्लाज्मा उत्तेजना, और बिजली की आपूर्ति।
उच्च परिसंचारी धाराओं के साथ वायरलेस पावर और ऊर्जा-हर्स्टिंग सर्किट।
निरंतर आरएफ शक्ति पर काम करने वाले परीक्षण और माप उपकरण।

स्व-गर्म थर्मल चिकनाई एमओएस संधारित्र HACC222S50V1000 2200 पीएफ 50V आरएफ पावर एम्पलीफायर के लिए एसएलसी चिप

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