Capacitores MOS de suavizado térmico de autocalentamiento HACC222S50V1000 2200 pF 50V Chip SLC para amplificadores de potencia de RF

Capacitador MOS de redistribución térmica de autocalentamiento HACC222S50V1000

Definición:El HACC222S50V1000 es un condensador MOS de una sola capa de 2200 pF ± 10%, 50 V DC, en un sustrato de silicio de zona flotante con un SiO térmico de 300 nm₂un chip de 1,00 × 1,00 × 0,15 mm, un electrodo superior de oro de 4,0 μm de ultra espesor,y una parte trasera totalmente metalizada TiW-Pt-Au crean un camino de baja resistencia térmica que redistribuye y suaviza el calor autogenerado en los módulos de amplificador de potencia de RF.

Principales características

• Baja resistencia térmica: < 8 K/W de unión a la caja a través de la parte trasera totalmente metalizada y el electrodo de oro grueso.
• Disminución térmica: < 5 °C aumento de autocalentamiento a una disipación de RF de 40 W; C?? V estable sobre la temperatura.
• Alta densidad de capacitancia: 2200 pF en un chip de 1,00 mm para una correspondencia de salida compacta y un desacoplamiento de sesgo.
• Las "tecnologías" incluidas en el presente anexo son las siguientes:
• La parte superior de TiW-Au (≥ 4,0 μm) y la parte trasera de TiW-Pt-Au para el adhesivo eutectico de die AuSn.
• El sistema de control de la seguridad de los vehículos de la categoría M2 es compatible con la Directiva 2014/34/UE.

Especificaciones (T = 25 °C, a menos que se indique)

Aplicaciones típicas

• Compatibilidad de la salida del amplificador de potencia de RF y alimentación de sesgo de drenaje.
• Bloqueo y desvío de CC en cadenas de señales RF de alta potencia.
• Estaciones base celulares y unidades de radio remotas (RRU).
• Calentamiento industrial de RF, excitación de plasma y fuentes de alimentación.
• Circuitos inalámbricos de energía y captación de energía con alta corriente circulante.
• Instalaciones de ensayo y medición que funcionan a potencia RF sostenida.