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Selbsterhitzende thermische Glättungs-MOS-Kondensatoren HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC-Chip für HF-Leistungsverstärker

Name: Selbsterhitzende thermische Glättungs-MOS-Kondensatoren HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC-Chip für HF-Leistungsverstärker
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Verhandelbar USD
Availability: InStock

Markenname:	Hoan
Modellnummer:	HACC222S50V1000
Mindestbestellmenge:	10 Stück
Zahlungsbedingungen:	L/C, D/A, D/P, T/T

Detailinformationen

Produkt-Beschreibung

Detailinformationen

Herkunftsort:

Shaanxi, China

Zertifizierung:

ISO 9001:2015, RoHS

Chipabmessungen:

1,00 × 1,00 × 0,15 mm

Top-Metallisierung:

TiW (100 nm) + Au (mindestens 4,0 µm)

Rückseitenmetallisierung:

TiW-Pt-Au, Au 2,0 µm min

Montageart:

Eutektische Die-Befestigung/Drahtbondbar

Betriebstemperatur:

-55°C bis +125°C

Anpassung:

Kundenspezifische Kapazität, Chip-Geometrie, Metallisierung und Packung

Hervorheben:

Selbstheizender MOS-Kondensator 2200 pF

Wärme-Gleichungskondensator 50 V

Einlager-Chip-Kondensator RF-Leistungsverstärker

Produkt-Beschreibung

Selbsterwärmender thermischer Redistribution-MOS-Kondensator — HACC222S50V1000

Definition: Der HACC222S50V1000 ist ein 2200 pF ±10%, 50 V DC, einlagiger MOS-Kondensator auf einem Float-Zone-Siliziumsubstrat mit einem 300 nm dicken thermischen SiO₂ Dielektrikum. Ein 1,00 × 1,00 × 0,15 mm Chip, eine ultra-dicke 4,0 µm Gold-Top-Elektrode und eine vollflächig metallisierte TiW-Pt-Au-Rückseite bilden einen Pfad mit geringem thermischem Widerstand, der die selbst erzeugte Wärme in HF-Leistungsverstärkermodulen umverteilt und glättet.

Schnelle Antwort — auf einen Blick

Was es ist: einlagiger MOS-Kondensator, 2200 pF, 50 V, bondfähiger nackter Die.
Kernfunktion: selbsterwärmende thermische Redistribution und thermische Glättung in Hochleistungs-HF-Verstärkern.
Warum es funktioniert: 300 nm SiO₂ zwischen zwei hochleitfähigen Goldelektroden ergibt einen Pfad mit geringem thermischem Widerstand.
Thermische Leistung: thermischer Widerstand von Anschluss zu Gehäuse <8 K/W; Selbsterwärmungsanstieg <5 °C bei 40 W HF-Dissipation.
Stabilität: +35 ppm/°C von −55 °C bis +125 °C; stabiles C–V über den thermischen Zyklus.
Chip: 1,00 × 1,00 × 0,15 mm; intrinsische ESL 300 bei 1 GHz.

Hauptmerkmale

Geringer thermischer Widerstand: <8 K/W Anschluss-zu-Gehäuse über vollflächig metallisierte Rückseite und dicke Goldelektrode.
Thermische Glättung: <5 °C Selbsterwärmungsanstieg bei 40 W HF-Dissipation; stabiles C–V über die Temperatur.
Hohe Kapazitätsdichte: 2200 pF auf einem 1,00 mm Chip für kompakte Ausgangsanpassung und Bias-Entkopplung.
Intrinsische Chip-ESL 300 bei 1 GHz.
TiW-Au-Oberseite (≥4,0 µm) und TiW-Pt-Au-Rückseite für AuSn-Eutektik-Die-Befestigung.
RoHS-konform (EU 2015/863); ESD-Klasse 0 (HBM) Handhabung gemäß JESD22-A114.

Spezifikationen (T = 25 °C, sofern nicht anders angegeben)

Parameter	Wert	Testbedingung
Kapazität	2200 pF ±10% (±5% Option)	1 MHz, 1,0 Vrms
Nenn-Gleichspannung	50 V	Dauerbetrieb
Dielektrische Spannungsfestigkeit	>125 V DC	1 Minute Rampe, 25 °C
Dielektrikum	Thermales SiO₂, 300 nm	Trockenoxidation
Substrat	Float-Zone-Si, >1000 Ω·cm	—
Thermischer Widerstand (Anschluss-zu-Gehäuse)	<8 K/W	AuSn-Die-Befestigung
Selbsterwärmungs-Temperaturanstieg	<5 °C	40 W HF-Dissipation
Intrinsische Chip-ESL	<0,05 nH	Aus S-Parametern de-embedded
Q-Faktor @ 1 GHz	>300	Typisch
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C bis +125 °C
Betriebs-/Lagertemperatur	−55 °C bis +125 °C / −65 °C bis +150 °C	—
Chip-Abmessungen	1,00 × 1,00 × 0,15 mm	±0,025 mm

Typische Anwendungen

HF-Leistungsverstärker-Ausgangsanpassung und Drain-Bias-Zuführungen.
DC-Blockierung und Bypass in Hochleistungs-HF-Signalketten.
Mobilfunk-Basisstationen und Remote-Radio-Units (RRU) Leistungsstufen.
Industrielle HF-Heizung, Plasmaanregung und Netzteile.
Drahtlose Stromversorgung und Energy-Harvesting-Schaltungen mit hohem Umlaufstrom.
Test- und Messvorrichtungen, die bei anhaltender HF-Leistung arbeiten.

Selbsterhitzende thermische Glättungs-MOS-Kondensatoren HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC-Chip für HF-Leistungsverstärker

Umbauten:

Konischer Induktor

Breitband-Induktoren

Luft-Kern-Induktor

Luftspulen-Induktor

MOS Kondensatoren