جزئیات محصولات

خونه محصولات

خازن‌های MOS خود گرم‌شونده با صافی حرارتی HACC222S50V1000 2200 پیکوفاراد 50 ولت SLC تراشه‌ای برای تقویت‌کننده‌های توان RF

Name: خازنهای MOS خود گرمشونده با صافی حرارتی HACC222S50V1000 2200 پیکوفاراد 50 ولت SLC تراشهای برای تقویتکنندههای توان RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: قابل مذاکره USD
Availability: InStock

نام تجاری:	Hoan
شماره مدل:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 عدد
شرایط پرداخت:	L/C، D/A، D/P، T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

شانشی، چین

گواهی:

ISO 9001:2015, RoHS

ابعاد تراشه:

1.00 × 1.00 × 0.15 میلی متر

تاپ متالیزاسیون:

TiW (100 نانومتر) + طلا (4.0 میکرومتر دقیقه)

متالیزاسیون پشت:

TiW-Pt-Au، Au 2.0μm دقیقه

نوع نصب:

اتصال قالب Eutectic / Wire Bondable

دمای عملیاتی:

-55 درجه سانتی گراد تا +125 درجه سانتی گراد

سفارشی سازی:

ظرفیت خازنی سفارشی، هندسه قالب، متالیزاسیون و بسته بندی

برجسته کردن:

خازن MOS خودگرم‌شونده 2200 پیکوفاراد

خازن هموارسازی حرارتی 50 ولت

خازن تراشه‌ای تک لایه برای تقویت‌کننده‌های توان RF

توضیحات محصول

خازن MOS با بازتوزیع حرارتی خودگرم شونده — HACC222S50V1000

تعریف: HACC222S50V1000 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 2200 پیکوفاراد (+/- 10%) و ولتاژ 50 ولت DC است که بر روی یک زیرلایه سیلیکونی شناور با دی‌الکتریک SiO2 حرارتی 300 نانومتری قرار دارد. یک تراشه با ابعاد 1.00 × 1.00 × 0.15 میلی‌متر، یک الکترود بالایی طلایی بسیار ضخیم 4.0 میکرومتری و یک پشت کاملاً فلزی شده TiW-Pt-Au، مسیری با مقاومت حرارتی پایین ایجاد می‌کنند که گرما را که خود در ماژول‌های تقویت‌کننده توان RF تولید می‌شود، بازتوزیع و هموار می‌کند._{حذف شده از پارامتر S}چیست:

خازن MOS تک لایه، 2200 پیکوفاراد، 50 ولت، دای برهنه قابل سیم‌بندی.

عملکرد اصلی: بازتوزیع حرارتی خودگرم شونده و هموارسازی حرارتی در تقویت‌کننده‌های RF با توان بالا.
چرا کار می‌کند: SiO2 300 نانومتری که بین دو الکترود طلایی با رسانایی بالا قرار گرفته است، مسیری با مقاومت حرارتی پایین ایجاد می‌کند.
عملکرد حرارتی: مقاومت حرارتی اتصال به بدنه <8 کلوین بر وات؛ افزایش خودگرمایی <5 درجه سانتی‌گراد در توان اتلاف RF 40 وات._{حذف شده از پارامتر S} +35 قسمت در میلیون بر درجه سانتی‌گراد از -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد؛ C-V پایدار در چرخه حرارتی.
تراشه:ویژگی‌های کلیدیمقاومت حرارتی پایین: <8 کلوین بر وات اتصال به بدنه از طریق پشت کاملاً فلزی شده و الکترود طلایی ضخیم.
هموارسازی حرارتی: <5 درجه سانتی‌گراد افزایش خودگرمایی در توان اتلاف RF 40 وات؛ C-V پایدار در دماهای مختلف.چگالی خازنی بالا: 2200 پیکوفاراد بر روی تراشه 1.00 میلی‌متری برای تطبیق خروجی فشرده و جداسازی بایاس.
بالای TiW-Au (≥4.0 میکرومتر) و پشت TiW-Pt-Au برای اتصال دای یوتکتیک AuSn.50 ولتعملیات پیوسته

پارامتر

مقدارشرایط تست
ظرفیت خازنی2200 پیکوفاراد +/- 10% (گزینه +/- 5%)
1 مگاهرتز، 1.0 ولت RMS
ولتاژ DC نامی50 ولتعملیات پیوسته
ولتاژ تحمل دی‌الکتریک
>125 ولت DC

شیب 1 دقیقه، 25 درجه سانتی‌گراد

دی‌الکتریک	SiO2 حرارتی، 300 نانومتر	اکسیداسیون خشک
زیرلایه	سیلیکون شناور، >1000 اهم-سانتی‌متر	—
مقاومت حرارتی (اتصال به بدنه)	<8 کلوین بر وات	اتصال دای AuSn
افزایش دمای خودگرمایی	<5 درجه سانتی‌گراد	40 وات اتلاف RF
ESL ذاتی تراشه	<0.05 نانوهنری_{حذف شده از پارامتر S}ضریب Q @ 1 گیگاهرتز	>300
معمولی	TCC
از -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد	دمای عملیاتی / ذخیره‌سازی	از -55 درجه سانتی‌گراد تا +125 درجه سانتی‌گراد / از -65 درجه سانتی‌گراد تا +150 درجه سانتی‌گراد
—	ابعاد تراشه	1.00 × 1.00 × 0.15 میلی‌متر
+/- 0.025 میلی‌متر	کاربردهای معمول	تطبیق خروجی تقویت‌کننده توان RF و تغذیه‌های بایاس درین.
مسدودسازی DC و بای‌پس در زنجیره‌های سیگنال RF با توان بالا.	مراحل توان ایستگاه پایه سلولی و واحد رادیویی از راه دور (RRU).	گرمایش RF صنعتی، تحریک پلاسما و منابع تغذیه.
مدارهای توان بی‌سیم و برداشت انرژی با جریان گردشی بالا.	تجهیزات تست و اندازه‌گیری که در توان RF پایدار کار می‌کنند.

خازن‌های MOS خود گرم‌شونده با صافی حرارتی HACC222S50V1000 2200 پیکوفاراد 50 ولت SLC تراشه‌ای برای تقویت‌کننده‌های توان RF

برچسب ها:

سلف مخروطی

محرک های پهن باند

سلف هسته هوا

سلف کویل هوا

هک کننده های MOS