পণ্যের বিবরণ

বাড়ি পণ্য

সেলফ-হিটিং থার্মাল স্মুথিং এমওএস ক্যাপাসিটর HACC222S50V1000 2200 pF 50V এসএলসি চিপ আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারের জন্য

Name: সেলফ-হিটিং থার্মাল স্মুথিং এমওএস ক্যাপাসিটর HACC222S50V1000 2200 pF 50V এসএলসি চিপ আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারের জন্য
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: আলোচনা সাপেক্ষ USD
Availability: InStock

ব্র্যান্ডের নাম:	Hoan
মডেল নম্বর:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 টুকরা
পেমেন্ট শর্তাবলী:	এল/সি, ডি/এ, ডি/পি, টি/টি

বিস্তারিত তথ্য

পণ্যের বর্ণনা

বিস্তারিত তথ্য

উৎপত্তি স্থল:

শানসি, চীন

সাক্ষ্যদান:

ISO 9001:2015, RoHS

চিপ মাত্রা:

1.00 × 1.00 × 0.15 মিমি

শীর্ষ ধাতবকরণ:

TiW (100nm) + Au (4.0µm মিনিট)

ব্যাকসাইড মেটালাইজেশন:

TiW-Pt-Au, Au 2.0µm মিনিট

মাউন্ট টাইপ:

ইউটেকটিক ডাই অ্যাটাচ/ওয়্যার বন্ডেবল

অপারেটিং তাপমাত্রা:

-55°C থেকে +125°C

কাস্টমাইজেশন:

কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স, ডাই জ্যামিতি, মেটালাইজেশন এবং প্যাকিং

বিশেষভাবে তুলে ধরা:

স্ব-গরমকারী এমওএস ক্যাপাসিটর 2200 পিএফ

তাপীয় মসৃণকরণ ক্যাপাসিটর 50V

একক স্তর চিপ ক্যাপাসিটর আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার

পণ্যের বর্ণনা

স্ব-গরমকরণ তাপীয় পুনঃবিন্যাস এমওএস ক্যাপাসিটর HACC222S50V1000

সংজ্ঞা:HACC222S50V1000 একটি 2200 pF ±10%, 50 V DC, একক স্তর MOS ক্যাপাসিটর একটি 300 nm তাপীয় SiO সঙ্গে একটি ভাসমান-জোন সিলিকন সাবস্ট্র্যাট উপর₂একটি 1.00 × 1.00 × 0.15 মিমি চিপ, একটি অতি পুরু 4.0 μm সোনার শীর্ষ ইলেকট্রোড,এবং একটি সম্পূর্ণরূপে ধাতব TiW-Pt-Au পিছনে একটি কম তাপ প্রতিরোধের পথ তৈরি করে যা আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার মডিউলগুলিতে স্ব-উত্পাদিত তাপকে পুনরায় বিতরণ করে এবং মসৃণ করে.

দ্রুত জবাব এক নজরে

কি এটা:এক-স্তরীয় এমওএস ক্যাপাসিটর, 2200 পিএফ, 50 ভোল্ট, তারের-বন্ডেবল খালি ডাই।
মূল ফাংশনঃস্ব-গরমকরণ তাপীয় পুনঃবিন্যাস এবং উচ্চ-ক্ষমতাযুক্ত আরএফ এম্প্লিফায়ারগুলিতে তাপীয় মসৃণকরণ।
কেন এটি কাজ করে:৩০০ এনএম সিও₂দুটি উচ্চ পরিবাহিতা স্বর্ণের ইলেকট্রোডের মধ্যে স্যান্ডউইচ করা একটি কম তাপ প্রতিরোধের পথ দেয়।
তাপীয় পারফরম্যান্সঃজংশন-টু-কেস তাপীয় প্রতিরোধের <8 K/W; স্ব-গরম করার উত্থান <5 °C 40 W RF বিচ্ছিন্নতা এ।
স্থিতিশীলতা:+৩৫ পিপিএম/°সি থেকে -৫৫ °সি থেকে +১২৫ °সি; তাপীয় চক্র জুড়ে স্থিতিশীল সি ̊ভ।
চিপ:1.00 × 1.00 × 0.15 মিমি; অন্তর্নিহিত ESL < 0.05 nH; Q > 300 1 GHz এ।

মূল বৈশিষ্ট্য

নিম্ন তাপীয় প্রতিরোধেরঃ < 8 কে / ওয়াট সম্পূর্ণ ধাতব পিছন এবং পুরু স্বর্ণের ইলেকট্রোডের মাধ্যমে কেস-টু-কানেকশন।
তাপীয় মসৃণকরণঃ <৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস স্ব-গরমকরণ বৃদ্ধি ৪০ ওয়াট আরএফ বিচ্ছিন্নকরণে; তাপমাত্রার তুলনায় স্থিতিশীল C ̊V।
উচ্চ ক্যাপাসিটেন্স ঘনত্বঃ কমপ্যাক্ট আউটপুট ম্যাচিং এবং পক্ষপাত বিচ্ছিন্নতার জন্য 1.00 মিমি চিপে 2200 পিএফ।
অন্তর্নিহিত চিপ ESL <0.05 nH; Q >300 1 GHz এ।
টাইট-আউ শীর্ষ (≥4.0 μm) এবং টাইট-পিট-আউ পিছনের অংশ অ্যাসোসিয়েশনের জন্য।
RoHS সম্মতি (EU 2015/863); JESD22-A114 অনুযায়ী ESD ক্লাস 0 (HBM) হ্যান্ডলিং।

স্পেসিফিকেশন (T = 25 °C যদি উল্লেখ না করা হয়)

প্যারামিটার	মূল্য	পরীক্ষার অবস্থা
ক্যাপাসিটি	2200 পিএফ ±10% (±5% বিকল্প)	১ মেগাহার্টজ, ১.০ ভিআরএমএস
নামমাত্র DC ভোল্টেজ	৫০ ভোল্ট	ক্রমাগত অপারেশন
ডিলেক্ট্রিক প্রতিরোধ ভোল্টেজ	>১২৫ ভি ডিসি	১ মিনিটের র্যাম্প, ২৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস
ডিলেক্ট্রিক	তাপীয় SiO₂, ৩০০ এনএম	শুকনো অক্সিডেশন
সাবস্ট্র্যাট	ফ্লোটিং জোন Si, >1000 Ω·cm	🙏
তাপীয় প্রতিরোধের (সংযোগ-টু-কেস)	< ৮ কে/ওয়াট	অ্যাসাইনমেন্ট
স্ব-গরম করার তাপমাত্রা বৃদ্ধি	< ৫ ডিগ্রি সেলসিয়াস	40 W আরএফ বিচ্ছিন্নতা
অন্তর্নিহিত চিপ ESL	<০.০৫ এনএইচ	S-প্যারামিটার থেকে আনইম্বেড
Q ফ্যাক্টর @ ১ গিগাহার্টজ	>৩০০	সাধারণ
টিসিসি	+৩৫ পিপিএম/°সি	−৫৫ °সি থেকে +১২৫ °সি
অপারেটিং / স্টোরেজ তাপমাত্রা	-৫৫ °সি থেকে +১২৫ °সি / -৬৫ °সি থেকে +১৫০ °সি	🙏
চিপের মাত্রা	1.00 × 1.00 × 0.15 মিমি	±0.025 মিমি

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

আরএফ পাওয়ার এম্প্লিফায়ার আউটপুট মেলে এবং ড্রেন-বিয়াস ফিড।
উচ্চ-শক্তির আরএফ সিগন্যাল চেইনে ডিসি ব্লকিং এবং বাইপাস।
সেলুলার বেস স্টেশন এবং রিমোট রেডিও ইউনিট (RRU) পাওয়ার স্টেজ।
ইন্ডাস্ট্রিয়াল আরএফ হিটিং, প্লাজমা উত্তেজনা, এবং পাওয়ার সাপ্লাই।
উচ্চ সঞ্চালিত বর্তমানের সাথে ওয়্যারলেস পাওয়ার এবং শক্তি সংগ্রহ সার্কিট।
টেস্ট এবং পরিমাপ ফিক্সচারগুলি ধ্রুবক আরএফ পাওয়ারে কাজ করে।

সেলফ-হিটিং থার্মাল স্মুথিং এমওএস ক্যাপাসিটর HACC222S50V1000 2200 pF 50V এসএলসি চিপ আরএফ পাওয়ার অ্যামপ্লিফায়ারের জন্য

ট্যাগ:

কনিক্যাল ইনডাক্টর

ব্রডব্যান্ড ইন্ডাক্টর

এয়ার কোর ইন্ডাক্টর

বায়ু কুণ্ডলী প্রবর্তক

MOS ক্যাপাসিটর