Πυκνωτές MOS Αυτοθερμαινόμενης Θερμικής Εξομάλυνσης HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip για Ενισχυτές Ισχύος RF

Πυκνωτής MOS Αυτο-Θέρμανσης Θερμικής Ανακατανομής — HACC222S50V1000

Ορισμός: Ο HACC222S50V1000 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS 2200 pF ±10%, 50 V DC, σε υπόστρωμα πυριτίου float-zone με θερμικό SiO 300 nm₂ διηλεκτρικό. Ένα τσιπ 1.00 × 1.00 × 0.15 mm, ένα υπερ-παχύ χρυσό άνω ηλεκτρόδιο 4.0 µm και μια πλήρως μεταλλωμένη πίσω όψη TiW-Pt-Au δημιουργούν μια διαδρομή χαμηλής θερμικής αντίστασης που ανακατανέμει και εξομαλύνει την αυτο-παραγόμενη θερμότητα σε μονάδες ενισχυτών ισχύος RF.

Βασικά χαρακτηριστικά

• Χαμηλή θερμική αντίσταση: <8 K/W σύνδεσης-προς-περίβλημα μέσω πλήρως μεταλλωμένης πίσω όψης και παχύρρευστου χρυσού ηλεκτροδίου.
• Θερμική εξομάλυνση: <5 °C αύξηση αυτο-θέρμανσης στα 40 W διάχυσης RF; σταθερό C–V σε όλη τη θερμοκρασία.
• Υψηλή πυκνότητα χωρητικότητας: 2200 pF σε τσιπ 1.00 mm για συμπαγή αντιστοίχιση εξόδου και αποσύζευξη πόλωσης.
• Εγγενές ESL τσιπ 300 στα 1 GHz.
• TiW-Au άνω (≥4.0 µm) και TiW-Pt-Au πίσω όψη για συγκόλληση τσιπ με ευτηκτικό AuSn.
• Συμβατό με RoHS (ΕΕ 2015/863); χειρισμός ESD Κατηγορίας 0 (HBM) σύμφωνα με JESD22-A114.

Προδιαγραφές (T = 25 °C εκτός αν σημειώνεται)

Τυπικές εφαρμογές

• Αντιστοίχιση εξόδου ενισχυτών ισχύος RF και τροφοδοσίες πόλωσης drain.
• Αποκοπή DC και παράκαμψη σε αλυσίδες σήματος RF υψηλής ισχύος.
• Στάδια ισχύος σταθμών βάσης κινητής τηλεφωνίας και απομακρυσμένων μονάδων ραδιοφώνου (RRU).
• Βιομηχανική θέρμανση RF, διέγερση πλάσματος και τροφοδοτικά.
• Κυκλώματα ασύρματης ισχύος και συλλογής ενέργειας με υψηλό κυκλοφορούν ρεύμα.
• Δοκιμαστικά και μετρητικά εξαρτήματα που λειτουργούν σε παρατεταμένη ισχύ RF.