szczegółowe informacje o produktach

Do domu Produkty

Samonagrzewające się kondensatory MOS wygładzające termicznie HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip do wzmacniaczy mocy RF

Name: Samonagrzewające się kondensatory MOS wygładzające termicznie HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip do wzmacniaczy mocy RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Zbywalny USD
Availability: InStock

Nazwa marki:	Hoan
Numer modelu:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 sztuk
Warunki płatności:	L/C, D/A, D/P, T/T

Informacje szczegółowe

Opis produktu

Informacje szczegółowe

Miejsce pochodzenia:

Shaanxi, Chiny

Orzecznictwo:

ISO 9001:2015, RoHS

Wymiary chipa:

1,00 × 1,00 × 0,15 mm

Najlepsza metalizacja:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm min)

Metalizacja z tyłu:

TiW-Pt-Au, Au 2,0µm min

Typ mocowania:

Możliwość mocowania matrycy eutektycznej / klejenia drutem

Temperatura pracy:

-55°C do +125°C

Personalizacja:

Niestandardowa pojemność, geometria matrycy, metalizacja i pakowanie

Podkreślić:

Samogrzewany kondensator MOS 2200 pF

Kondensator wygładzania termicznego 50V

Jednostronowy kondensator chipowy wzmacniacze mocy RF

Opis produktu

Samonagrzewający się kondensator MOS z redystrybucją ciepła — HACC222S50V1000

Definicja: HACC222S50V1000 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 2200 pF ±10%, napięciu 50 V DC, na podłożu z krzemu strefowo-pływającego z 300 nm warstwą termicznego SiO₂ dielektryka. Chip o wymiarach 1,00 × 1,00 × 0,15 mm, ultragruba 4,0 µm złota elektroda górna i w pełni metalizowany spód TiW-Pt-Au tworzą ścieżkę o niskiej rezystancji termicznej, która redystrybuuje i wygładza ciepło generowane samoistnie w modułach wzmacniaczy mocy RF.

Szybka odpowiedź — w skrócie

Co to jest: jednowarstwowy kondensator MOS, 2200 pF, 50 V, goły die bez możliwości połączeń drutowych.
Podstawowa funkcja: samonagrzewająca się redystrybucja ciepła i wygładzanie termiczne we wzmacniaczach RF dużej mocy.
Dlaczego działa: 300 nm SiO₂ umieszczone między dwiema elektrodami złota o wysokiej przewodności zapewnia ścieżkę o niskiej rezystancji termicznej.
Wydajność termiczna: rezystancja termiczna złącze-obudowa <8 K/W; wzrost temperatury spowodowany samonagrzewaniem <5 °C przy rozpraszaniu mocy RF 40 W.
Stabilność: +35 ppm/°C w zakresie od −55 °C do +125 °C; stabilna zależność C–V w całym cyklu termicznym.
Chip: 1,00 × 1,00 × 0,15 mm; wewnętrzne ESL 300 przy 1 GHz.

Kluczowe cechy

Niska rezystancja termiczna: <8 K/W złącze-obudowa dzięki w pełni metalizowanemu spodowi i grubej elektrodzie złota.
Wygładzanie termiczne: <5 °C wzrost temperatury spowodowany samonagrzewaniem przy rozpraszaniu mocy RF 40 W; stabilna zależność C–V w funkcji temperatury.
Wysoka gęstość pojemności: 2200 pF na chipie 1,00 mm do kompaktowego dopasowania wyjściowego i odsprzęgania biasu.
Wewnętrzne ESL chipa 300 przy 1 GHz.
Górna elektroda TiW-Au (≥4,0 µm) i spód TiW-Pt-Au do montażu chipa metodą eutektyki AuSn.
Zgodność z RoHS (EU 2015/863); klasa ESD 0 (HBM) zgodnie z JESD22-A114.

Specyfikacje (T = 25 °C, chyba że zaznaczono inaczej)

Parametr	Wartość	Warunek testu
Pojemność	2200 pF ±10% (±5% opcja)	1 MHz, 1,0 Vrms
Znamionowe napięcie DC	50 V	Praca ciągła
Napięcie przebicia dielektryka	>125 V DC	1-minutowy ramp, 25 °C
Dielektryk	Termiczny SiO₂, 300 nm	Utlenianie na sucho
Podłoże	Si strefowo-pływający, >1000 Ω·cm	—
Rezystancja termiczna (złącze-obudowa)	<8 K/W	Montaż chipa AuSn
Wzrost temperatury spowodowany samonagrzewaniem	<5 °C	Rozpraszanie mocy RF 40 W
Wewnętrzne ESL chipa	<0,05 nH	Wyodrębnione z parametrów S
Współczynnik Q @ 1 GHz	>300	Typowy
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C do +125 °C
Temperatura pracy / przechowywania	−55 °C do +125 °C / −65 °C do +150 °C	—
Wymiary chipa	1,00 × 1,00 × 0,15 mm	±0,025 mm

Typowe zastosowania

Dopasowanie wyjściowe i zasilanie biasu w stopniach wyjściowych wzmacniaczy mocy RF.
Blokowanie DC i odsprzęganie w wysokowydajnych łańcuchach sygnałowych RF.
Stopnie mocy stacji bazowych komórkowych i zdalnych jednostek radiowych (RRU).
Przemysłowe ogrzewanie RF, wzbudzanie plazmy i zasilacze.
Obwody bezprzewodowego zasilania i zbierania energii z wysokim prądem krążącym.
Przyrządy pomiarowe pracujące przy stałej mocy RF.

Samonagrzewające się kondensatory MOS wygładzające termicznie HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip do wzmacniaczy mocy RF

Znaków:

Wytrzymałe kondensatory MOS o wysokim napięciu przebicia, miniaturowe, o niskim prądzie upływu, 50V, z możliwością połączenia drutowego SLC

Najlepszą cenę

Induktor stożkowy

Induktory szerokopasmowe

Cewka powietrzna

cewka powietrzna

Kondensatory MOS