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Capacitori MOS a smussamento termico a riscaldamento automatico HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip per amplificatori di potenza RF

Name: Capacitori MOS a smussamento termico a riscaldamento automatico HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip per amplificatori di potenza RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Negoziabile USD
Availability: InStock

Marchio:	Hoan
Numero di modello:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 pezzi
Termini di pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informazioni dettagliate

Descrizione di prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Shaanxi, Cina

Certificazione:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensioni del chip:

1,00×1,00×0,15mm

Metallizzazione superiore:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm/min)

Metallizzazione del retro:

TiW-Pt-Au, Au 2,0 µm min

Tipo di montaggio:

Attacco per matrice eutettica/incollabile con filo

Temperatura operativa:

Da -55°C a +125°C

Personalizzazione:

Capacità personalizzata, geometria dello stampo, metallizzazione e imballaggio

Evidenziare:

Condensatore MOS auto riscaldante 2200 pF

Capacitore di levigamento termico 50V

Amplificatori di potenza RF a chip a uno strato

Descrizione di prodotto

Condensatore MOS a riscaldamento autonomo e redistribuzione termica HACC222S50V1000

Definizione:Il condensatore HACC222S50V1000 è un condensatore MOS mono strato da 2200 pF ± 10%, 50 V DC su un substrato di silicio a zona galleggiante con un SiO termico di 300 nm₂un chip di 1,00 × 1,00 × 0,15 mm, un elettrodo superiore in oro di spessore ultra 4,0 μm,e una parte posteriore completamente metallizzata TiW-Pt-Au creano un percorso a bassa resistenza termica che ridistribuisce e liscia il calore auto-generato nei moduli di amplificatore di potenza RF.

Risposta veloce in un'occhiata

Che cos' è:condensatore MOS mono strato, 2200 pF, 50 V, a filo legato a matrice nuda.
Funzione principale:la ridistribuzione termica auto riscaldata e l'allineamento termico negli amplificatori RF ad alta potenza.
Perché funziona:300 nm di SiO₂Il sistema di controllo delle emissioni di carbonio è stato costruito con due elettrodi d'oro ad alta conduttività, che forniscono un percorso di bassa resistenza termica.
Performance termica:resistenza termica di giunzione a cassa < 8 K/W; aumento di auto riscaldamento < 5 °C a dissipazione RF di 40 W.
Stabilità:+35 ppm/°C da −55 °C a +125 °C; C ̊V stabile per tutto il ciclo termico.
- Chip:10,00 × 1,00 × 0,15 mm; ESL intrinseca < 0,05 nH; Q > 300 a 1 GHz.

Caratteristiche chiave

Bassa resistenza termica: < 8 K/W di giunzione a cassa tramite retro completamente metallizzato e elettrodo in oro spessore.
Lissamento termico: < 5 °C aumento di auto riscaldamento a 40 W di dissipazione RF; C ̊V stabile rispetto alla temperatura.
Densità di capacità elevata: 2200 pF su un chip da 1,00 mm per un abbinamento di uscita compatto e un disaccoppiamento dei bias.
b. "tecnologia" per l'elaborazione di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione" o la "produzione" di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione" o la "produzione" di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione" o la "produzione" di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione", la "produzione", la "produzione", la "produzione", la "produzione" o la "produzione".
TiW-Au top (≥ 4,0 μm) e TiW-Pt-Au backside per attaccamento a die eutectico AuSn.
Conformità RoHS (UE 2015/863); gestione della classe ESD 0 (HBM) secondo JESD22-A114.

Specifiche (T = 25 °C, salvo indicazione)

Parametro	Valore	Condizione di prova
Capacità	2200 pF ±10% (opzione ±5%)	1 MHz, 1,0 Vrms
Voltaggio nominale di corrente continua	50 V	Funzionamento continuo
tensione di resistenza dielettrica	> 125 V DC	1 minuto di rampa, 25 °C
diossido di carbonio	SiO termico₂, 300 nm	Oxidazione a secco
Substrato	Zona di galleggiamento Si, > 1000 Ω·cm	️
Resistenza termica (connessione a cassa)	< 8 K/W	Altre informazioni:
Aumento della temperatura di auto riscaldamento	< 5 °C	Dissipazione RF di 40 W
ESL a chip intrinseco	< 0,05 nH	Disintegrato dal parametro S
Fattore Q @ 1 GHz	> 300	Tipico
TCC	+35 ppm/°C	Da −55 °C a +125 °C
Temperatura di funzionamento / conservazione	-55 °C a +125 °C / -65 °C a +150 °C	️
Dimensioni del chip	10,00 × 1,00 × 0,15 mm	± 0,025 mm

Applicazioni tipiche

Corrispondenza di uscita dell'amplificatore di potenza RF e alimentazione di drenaggio.
Blocco e bypass della corrente continua nelle catene di segnali RF ad alta potenza.
Stagioni di alimentazione della stazione base cellulare e dell'unità radio remota (RRU).
Riscaldamento RF industriale, eccitazione plasmatica e alimentatori.
Circuiti di alimentazione e raccolta di energia senza fili con corrente circolante elevata.
apparecchiature di prova e misurazione in funzione a potenza RF sostenuta.

Capacitori MOS a smussamento termico a riscaldamento automatico HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip per amplificatori di potenza RF

Etichette:

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