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Capacitores MOS de Autoaquecimento e Suavização Térmica HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip para Amplificadores de Potência RF

Name: Capacitores MOS de Autoaquecimento e Suavização Térmica HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip para Amplificadores de Potência RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC222S50V1000
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensões do chip:

1,00 × 1,00 × 0,15mm

Metalização Superior:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm min)

Metalização traseira:

TiW-Pt-Au, Au 2,0 µm min

Tipo de montagem:

Anexação de matriz eutética / ligação por fio

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

Personalização:

Capacitância personalizada, geometria da matriz, metalização e embalagem

Destacar:

Capacitor MOS de autoaquecimento 2200 pF

Capacitor de suavização térmica de 50 V

Capacitor de chip de camada única Amplificadores de potência de RF

Descrição do produto

Capacitor MOS de redistribuição térmica de autoaquecimento HACC222S50V1000

Definição:O HACC222S50V1000 é um condensador MOS de uma única camada de 2200 pF ± 10%, 50 V DC, em um substrato de silício de zona flutuante com um SiO térmico de 300 nm₂um chip de 1,00 × 1,00 × 0,15 mm, um eletrodo superior de ouro de ultra espessura 4,0 μm,e uma parte traseira totalmente metalizada TiW-Pt-Au criam um caminho de baixa resistência térmica que redistribui e suaviza o calor auto-gerado nos módulos de amplificador de potência de RF.

Resposta rápida

O que é:condensador MOS de camada única, 2200 pF, 50 V, borracha nua ligável a fio.
Função principal:redistribuição térmica por autoaquecimento e suavização térmica em amplificadores de RF de alta potência.
Por que funciona:300 nm SiO₂O circuito de condução é feito de dois elétrodos de ouro de alta condutividade, dando uma baixa resistência térmica.
Performance térmica:Resistência térmica da junção com a caixa < 8 K/W; aumento de auto-aquecimento < 5 °C com dissipação de RF de 40 W.
Estabilidade:+35 ppm/°C de -55 °C a +125 °C; C ′ V estável ao longo do ciclo térmico.
Chip:10,00 × 1,00 × 0,15 mm; ESL intrínseca < 0,05 nH; Q > 300 a 1 GHz.

Principais características

Baixa resistência térmica: < 8 K/W junção para caixa através de parte traseira totalmente metalizada e eletrodo de ouro grosso.
Limpação térmica: < 5 °C aumento de autoaquecimento a 40 W de dissipação de RF; C ̊V estável sobre a temperatura.
Alta densidade de capacitância: 2200 pF em um chip de 1,00 mm para correspondência de saída compacta e desacoplagem de viés.
"Limite de tensão" superior a 100 W;
"Fusão" superior (≥ 4,0 μm) de TiW-Au e parte traseira de TiW-Pt-Au para fixação de matriz eutectica AuSn.
Conformidade com a RoHS (UE 2015/863); manuseio da classe 0 da ESD (HBM) de acordo com a JESD22-A114.

Especificações (T = 25 °C, salvo indicação)

Parâmetro	Valor	Condição de ensaio
Capacidade	2200 pF ±10% (opção ±5%)	1 MHz, 1,0 Vrms
Tensão nominal de CC	50 V	Função contínua
Voltagem de resistência dielétrica	> 125 V DC	1 minuto de rampa, 25 °C
Dieléctricos	SiO térmico₂, 300 nm	Oxidação seca.
Substrato	Zona de flutuação Si, > 1000 Ω·cm	- Não.
Resistência térmica (junção para caixa)	< 8 K/W	- Não, não, não.
Aumento da temperatura do autoaquecimento	< 5 °C	Dissipação de RF de 40 W
ESL de chip intrínseco	< 0,05 nH	Desintegrado do parâmetro S
Fator Q @ 1 GHz	> 300	Tipico
TCC	+35 ppm/°C	-55 °C a +125 °C
Temperatura de funcionamento / armazenamento	-55 °C a +125 °C / -65 °C a +150 °C	- Não.
Dimensões do chip	10,00 × 1,00 × 0,15 mm	± 0,025 mm

Aplicações típicas

A correlação da saída do amplificador de potência de RF e as fontes de fluxo de vazão.
Bloqueio de corrente contínua e bypass em cadeias de sinais RF de alta potência.
Estações de base de telefonia celular e unidades de rádio remotas (RRU).
Aquecimento industrial de RF, excitação de plasma e fontes de alimentação.
Circuitos sem fios de alimentação e captação de energia com alta corrente circulante.
Instalações de ensaio e medição a funcionar a potência de RF sustentada.

Capacitores MOS de Autoaquecimento e Suavização Térmica HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Chip para Amplificadores de Potência RF

Etiquetas:

Indutor Cônico

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Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

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