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Condensateurs MOS à lissage thermique auto-chauffants HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC pour amplificateurs de puissance RF

Name: Condensateurs MOS à lissage thermique auto-chauffants HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC pour amplificateurs de puissance RF
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Nom De La Marque:	Hoan
Numéro De Modèle:	HACC222S50V1000
Quantité Minimale De Commande:	10 pièces
Conditions De Paiement:	LC, D/A, D/P, T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

Shaanxi, Chine

Certification:

ISO 9001:2015, RoHS

Dimensions des puces:

1,00 × 1,00 × 0,15 mm

Métallisation supérieure:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm min)

Métallisation arrière:

TiW-Pt-Au, Au 2,0µm min

Type de montage:

Fixation de matrice eutectique / Liaison par fil

Température de fonctionnement:

-55°C à +125°C

Personnalisation:

Capacité personnalisée, géométrie de la puce, métallisation et emballage

Mettre en évidence:

Condensateur MOS à auto-chauffage 2200 pF

Condensateur de lissage thermique 50 V

Capacitor à puce à couche unique Amplificateurs de puissance RF

Description de produit

Condensateur MOS à redistribution thermique à auto-chauffage ¥ HACC222S50V1000

Définition:Le HACC222S50V1000 est un condensateur MOS monocouche de 2200 pF ± 10%, 50 V CC sur un substrat de silicium à zone flottante avec un SiO thermique de 300 nm₂une puce de 1,00 × 1,00 × 0,15 mm, une électrode supérieure en or de 4,0 μm d'une épaisseur extrême,et un arrière entièrement métallisé TiW-Pt-Au créer un chemin de faible résistance thermique qui redistribue et lissé la chaleur auto-générée dans les modules d'amplificateur de puissance RF.

Réponse rapide à la fois

Ce que c' est:condensateur MOS à couche unique, 2200 pF, 50 V, matrices nues reliables par fil.
Fonction de base:redistribution thermique par auto-chauffage et lissage thermique dans les amplificateurs RF à haute puissance.
Pourquoi ça marche:SiO à 300 nm₂Le débit de l'électrode est de l'ordre d'un millième de degré, et le débit de l'électrode est d'un millième de degré.
Performance thermique:Résistance thermique de jonction à boîtier < 8 K/W; augmentation de chauffage automatique < 5 °C à une dissipation RF de 40 W.
Stabilité:+35 ppm/°C de -55 °C à +125 °C; C ̊V stable tout au long du cycle thermique.
- Je ne sais pas.1"Propulseurs" sont des systèmes de propulsion qui utilisent des systèmes de propulsion de type "space-space" ou "space-space" de type "space-space".

Principales caractéristiques

Faible résistance thermique: < 8 K/W de jonction à l'emballage via une partie arrière entièrement métallisée et une électrode en or épais.
Lissage thermique: < 5 °C, augmentation de l'auto-chauffage à une dissipation RF de 40 W; C ̊V stable par rapport à la température.
Densité de capacité élevée: 2200 pF sur une puce de 1,00 mm pour une correspondance de sortie compacte et un découplage de biais.
Les puces intrinsèques ESL < 0,05 nH; Q > 300 à 1 GHz.
Le facteur d'élasticité de l'azote est calculé en fonction de la fréquence d'élasticité de l'azote (c'est-à-dire de la fréquence d'élasticité de l'azote).
Les véhicules doivent être équipés d'un dispositif de contrôle de la qualité (RAS) et d'un dispositif de contrôle de la qualité (RAS).

Spécifications (T = 25 °C, sauf indication contraire)

Paramètre	Valeur	Condition d'essai
Capacité	2200 pF ±10% (option à ±5%)	1 MHz, 1,0 RPM
Voltage nominal en courant continu	50 V	Opération continue.
Tensions résistantes diélectriques	> 125 V de courant continu	1 minute de rampe à 25 °C
Diélectrique	SiO thermique₂, 300 nm	Oxydation à sec
Substrate	Zone flottante Si, > 1000 Ω·cm	Je ne sais pas.
Résistance thermique (connexion à l'étui)	Pour les appareils électroniques	Au lieu de l'attacher
Augmentation de la température de chauffage automatique	< 5 °C	Dissipation RF de 40 W
Puce interne ESL	< 0,05 nH	Dé-intégré du paramètre S
Facteur Q @ 1 GHz	> 300	Typique
Le TCC	+35 ppm/°C	-55 °C à +125 °C
Température de fonctionnement / stockage	-55 °C à +125 °C / -65 °C à +150 °C	Je ne sais pas.
Dimensions de la puce	10,00 × 1,00 × 0,15 mm	±0,025 mm

Applications typiques

Matching de sortie de l'amplificateur de puissance RF et flux de biais de drainage.
Blocage et contournement en courant continu dans les chaînes de signaux RF à haute puissance.
Étapes de puissance de la station de base cellulaire et de l'unité radio à distance (RRU).
Chauffage RF industriel, excitation par plasma et alimentation électrique.
Circuits d'alimentation sans fil et de collecte d'énergie à courant circulant élevé.
Les appareils d'essai et de mesure fonctionnant à une puissance RF continue.

Condensateurs MOS à lissage thermique auto-chauffants HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC pour amplificateurs de puissance RF

Étiquettes:

Condensateurs MOS à prototypage rapide, personnalisation flexible, 10 pF, chaîne d'approvisionnement écologique, conforme aux puces

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