Ürün ayrıntıları

Evde Ürünler

RF Güç Yükselticileri için Kendinden Isıtan Termal Düzeltme MOS Kapasitörleri HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Çip

Name: RF Güç Yükselticileri için Kendinden Isıtan Termal Düzeltme MOS Kapasitörleri HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Çip
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: Pazarlık edilebilir USD
Availability: InStock

Marka Adı:	Hoan
Model Numarası:	HACC222S50V1000
Adedi:	10 Adet
Ödeme Koşulları:	L/C,D/A,D/P,T/T

Detay Bilgisi

Ürün Tanımı

Detay Bilgisi

Menşe yeri:

Şaanksi, Çin

Sertifika:

ISO 9001:2015, RoHS

Çip Boyutları:

1,00 × 1,00 × 0,15 mm

Üst Metalizasyon:

TiW (100 nm) + Au (4,0 µm dk.)

Arka Taraf Metalizasyonu:

TiW-Pt-Au, Au 2.0μm dk.

Montaj Tipi:

Ötektik Kalıp Ekleme / Tel Bağlanabilir

Çalışma Sıcaklığı:

-55°C ila +125°C

Özelleştirme:

Özel kapasite, kalıp geometrisi, metalizasyon ve paketleme

Vurgulamak:

Kendini ısıtan MOS Kondensatörü 2200 pF

Termal düzeltme kondansatörü 50V

Tek katmanlı çip kondansatörü RF güç güçlendirici

Ürün Tanımı

Kendini ısıtma ısı yeniden dağıtım MOS kondansatörü HACC222S50V1000

Tanımlama:HACC222S50V1000, 2200 pF ± 10%, 50 V DC, yüzme bölgesi silikon substratında 300 nm termal SiO ile tek katmanlı MOS kondansatörüdür₂1,00 × 1,00 × 0,15 mm çip, ultra kalınlığı 4,0 μm altın üst elektrot,ve tamamen metalleştirilmiş TiW-Pt-Au arka tarafı, RF güç güçlendirici modüllerinde kendi kendine üretilen ısıyı yeniden dağıtan ve yumuşatan düşük termal dirençli bir yol oluşturur..

Hızlı bir cevap bir bakışta

Ne demek:Tek katmanlı MOS kondansatörü, 2200 pF, 50 V, tel bağlanabilir çıplak ölçek.
Temel işlev:Yüksek güçlü RF amplifikatörlerinde kendi kendini ısıtan termal yeniden dağıtım ve termal düzleştirme.
Neden işe yarıyor:300 nm SiO₂İki yüksek iletkenlik altını elektrotunun arasına sıkıştırıldığında düşük bir ısı direnci yolu oluşur.
Isı performansı:Bağlantı-kaza termal direnci <8 K/W; 40 W RF dağılımı altında kendi kendini ısıtma artışı <5 °C.
Dayanıklılık:+35 ppm/°C, -55 °C'den +125 °C'ye kadar; tüm termal döngü boyunca istikrarlı C ̊V.
Çip:1.00 × 1.00 × 0.15 mm; içsel ESL <0.05 nH; Q > 300 1 GHz'te.

Ana özellikler

Düşük termal direnç: <8 K/W, tamamen metalli arka taraf ve kalın altın elektrot aracılığıyla kesiye bağlanır.
Termal düzeltme: <5 °C 40 W RF dağılımı ile kendi kendini ısıtma artışı; sıcaklık üzerinde istikrarlı C ̊V.
Yüksek kapasitans yoğunluğu: 1.00 mm çipte 2200 pF kompakt çıkış eşleşmesi ve önyargı koplama için.
İç çip ESL <0,05 nH; Q >300 1 GHz'te.
TiW-Au üstü (≥4.0 μm) ve AuSn eutetik döşeme yapısı için TiW-Pt-Au arka tarafı.
RoHS uyumlu (AB 2015/863); JESD22-A114'e göre ESD Sınıf 0 (HBM) işleme.

Özellikler (T = 25 °C, belirtilmedikçe)

Parametreler	Değer	Test koşulları
Kapasite	2200 pF ±10% (±5% seçeneği)	1 MHz, 1.0 Vrms
Adlık DC voltajı	50 V	Sürekli çalışma
Dielektrik dayanıklı voltaj	> 125 V DC	1 dakikalık rampa, 25 °C
Dielektrik	Termal SiO₂, 300 nm	Kuru oksidasyon
Substrat	Yüzen bölge Si, >1000 Ω·cm	- Evet.
Isı direnci (kaza bağlama)	<8 K/W	İlişkiyi sürdürün.
Kendi kendini ısıtan sıcaklık artışı	< 5 °C	40 W RF dağılımı
İçsel çip ESL	<0,05 nH	S-parametreden yerleştirilmemiş
Q faktörü @ 1 GHz	>300	Tipik
TCC	+35 ppm/°C	−55 °C - +125 °C
Çalışma / depolama sıcaklığı	−55 °C - +125 °C / −65 °C - +150 °C	- Evet.
Çip boyutları	10,00 × 1,00 × 0,15 mm	±0,025 mm

Tipik uygulamalar

RF güç amplifikatörü çıkış eşleşmesi ve drenaj yanlısı beslemeler.
Yüksek güçlü RF sinyal zincirlerinde DC engelleme ve atlama.
Hücresel baz istasyonu ve uzaktan radyo birimi (RRU) güç aşamaları.
Endüstriyel RF ısıtma, plazma uyarı ve güç kaynakları.
Kablosuz güç ve yüksek dolaşım akımı ile enerji toplama devreleri.
Sürekli RF gücünde çalışan test ve ölçüm cihazları.

RF Güç Yükselticileri için Kendinden Isıtan Termal Düzeltme MOS Kapasitörleri HACC222S50V1000 2200 pF 50V SLC Çip

Etiketler:

Konik İndüktör

Geniş bant indüktörleri

Hava çekirdekli indüktör

hava bobini indüktörü

MOS Kapasitörler