HongAn Microwave Co., Ltd.
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| ブランド名: | Hoan |
| モデル番号: | HACC106S30V330 |
| MOQ: | 10個 |
| 支払い条件: | L/C、D/A、D/P、T/T |
概要:HACC106S30V330は,330 pF ±10%,30 V DCの単層MOSコンデンサで,自己調整可能な微米未満トップ金属電極と分散のないRF応答を有する.細かい電極の幾何と安定した容量値を必要とするコンパクトなミリ波回路のために設計されています.
HACC106S30V330は,浮遊ゾーンシリコン基板 (1000 Ω·cm以上) に 300 nm の SiO 熱量で構築されています2表面電極は,自己調整式リフトオフプロセスによって定義され,微米未満の金属幾何学を生成する.接続あたりより小さなパッドピッチとより低い寄生容量チップの尺度は0.40 × 0.40 × 0.15mmで,金色の表面は最低2.5μmの金属化です.この部品は,ハイブリッドおよびチップ・アンド・ワイヤー組成用のダイレベル単層MOSコンデンサー (ワイヤー・ボンド可能なコンデンサー) である.単層コンデンサター (SLC) チップとも呼ばれる.
| パラメータ | 価値 | 試験条件 |
|---|---|---|
| 容量 | 330 pF ±10% | 1MHz,1.0Vrms |
| 容量 容量 容量 | ±10% (K), ±5% (J) | ほら |
| トップメタル幾何学 | 自律型 微米未満の幅 | 離陸プロセス |
| 容量分散 | ±1%以内 | 100 Hzから40 GHz,25°C |
| 定数直流電圧 | 30V | 連続運転 |
| 介電力強度 | 100V以上 DC | 1分 25°C |
| 内在チップESL | 0.05 nH以下 | De-embedded from S-parameters (S-パラメーターから埋め込まれた) |
| 1MHzでQ因数 | >2000年 | 典型的な |
| 流出電流 | 10 nA以下 | 30V DC 25°C |
| ダイレクトリック | 熱性シオ2, 300 nm | 乾燥酸化 |
| チップの寸法 | 0.40 × 0.40 × 0.15 mm | ±0.025mm |
| 動作温度 | -55°Cから+125°C | ほら |
