Détails des produits

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Condensateurs MOS
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Condensateurs MOS à électrodes métalliques auto-alignées submicroniques HACC106S30V330 330pF 30V sans dispersion à puce

Condensateurs MOS à électrodes métalliques auto-alignées submicroniques HACC106S30V330 330pF 30V sans dispersion à puce

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC106S30V330
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Métallisation supérieure:
Au, 2,5 um min
Métallisation arrière:
Au, 1,0 um min
Température de fonctionnement:
-55°C à +125°C
RoHS:
Conforme à la norme UE 2015/863
Classe ESD:
Classe 0 (HBM)
Type de montage:
Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique
Mettre en évidence:

Condensateur MOS auto-aligné 330pF 30V

,

Condensateur MOS à électrode métallique submicronique

,

Condensateur MOS à puce sans dispersion

Description de produit

Capacitor MOS métallique haut sub-micron auto-aligné HACC106S30V330 330pF 30V


Résumé:Le HACC106S30V330 est un condensateur MOS monocouche à 330 pF ± 10%, 30 V CC avec une électrode métallique supérieure sub-microne auto-alignée et une réponse RF sans dispersion.Il est destiné aux circuits compacts à ondes millimétriques nécessitant une géométrie fine des électrodes et une valeur de capacité stable.

Résumé


Le HACC106S30V330 est construit sur un substrat de silicium à zone flottante (supérieur à 1000 Ω·cm) avec une température thermique de 300 nm SiO2l'électrode supérieure est définie par un processus de levage auto-aligné qui produit une géométrie métallique sous-microne,ce qui permet une plus petite hauteur de plateau et une plus faible capacité parasitaire par connexionLa puce mesure 0,40 × 0,40 × 0,15 mm avec 2,5 μm de métallisation au sommet de l'or.La pièce est un condensateur MOS à couche unique de niveau matriciel (condensateur à liaison par fil) pour assemblages hybrides et à puce et fil, également appelée puce à condensateur à couche unique (SLC).


Principales caractéristiques


  • Métal auto-aligné sous-micronique pour une haute densité et une faible capacité parasitaire.
  • Réponse sans dispersion avec une capacité comprise entre ± 1% de 100 Hz et 40 GHz.
  • Le matériau est compact de 0,40 × 0,40 × 0,15 mm.
  • 330 pF ± 10% (5% disponible) à 30 V de courant continu sans déviation du courant continu.
  • L'ESL intrinsèque inférieure à 0,05 nH; Q > 2000 à 1 MHz.
  • Conforme à la norme ISO 9001:2015 et à la norme RoHS, métallisation de l'or par câble.
  • Des valeurs de capacité personnalisées disponibles sur la même plateforme de matériau.


Spécifications électriques (T = 25°C, sauf indication contraire)


Paramètre Valeur Condition d'essai
Capacité 330 pF ± 10% 1 MHz, 1,0 RPM
Options de tolérance de la capacité ±10% (K), ±5% (J) Je ne sais pas.
Géométrie des métaux supérieurs Auto-alignés, largeur sous-microne Procédure de levage
Dispersion de la capacité Dans ± 1% 100 Hz à 40 GHz, à 25°C
Voltage nominal en courant continu 30 V Opération continue.
Résistance diélectrique D'une puissance supérieure à 100 V 1 minute, 25°C
La puce ESL intrinsèque Inférieur à 0,05 nH Décomposé des paramètres S
Facteur Q à 1 MHz > 2000 Typique
Courant de fuite Inférieur à 10 nA 30 V de courant continu, 25°C
Diélectrique SiO thermique2, 300 nm Oxydation à sec
Dimensions de la puce 0.40 × 0,40 × 0,15 mm ±0,025 mm
Température de fonctionnement -55°C à +125°C Je ne sais pas.


Applications typiques

  • Modules avant à ondes millimétriques avec une inclinaison fine
  • Blocage à haut débit en courant continu et correspondance d'impédance
  • Filtres et accouplements RF compacts
  • Éléments de faisceau formateur à matrice de phases
  • Microcircuits hybrides à haute densité


Condensateurs MOS à électrodes métalliques auto-alignées submicroniques HACC106S30V330 330pF 30V sans dispersion à puce