Capacitores MOS de eletrodo metálico sub-micrônico auto-alinhados HACC106S30V330 330pF chip sem dispersão de 30 V

Capacitor MOS de submicrão de metal de ponta autoalinhado HACC106S30V330 330pF 30V

Resumo:O HACC106S30V330 é um condensador MOS de camada única de 30 V DC de 330 pF ± 10%, com um eletrodo metálico submicrônico auto-alinhado e uma resposta de RF livre de dispersão.É destinado a circuitos compactos de ondas milimétricas que necessitam de uma geometria de eletrodo fina e de um valor de capacitância estável.

Resumo

O HACC106S30V330 é construído sobre um substrato de silício de zona flutuante (acima de 1000 Ω·cm) com um SiO térmico de 300 nm₂O eletrodo superior é definido por um processo de elevação auto-alinhado que produz uma geometria metálica submicrônica,que permite um passo de pad menor e uma menor capacidade parasitária por conexãoO chip mede 0,40 × 0,40 × 0,15 mm com uma metalização de ouro mínima de 2,5 μm.A parte é um condensador MOS single-layer de nível de morte (um condensador bondável por fio) para assembleias híbridas e chip-and-wire., também referido como um chip de capacitor de camada única (SLC).

Características fundamentais

• Metais auto-alinhados de sub-micrão para uma fina pitch pad e baixa capacitância parasitária.
• Resposta livre de dispersão com capacitância dentro de ± 1% de 100 Hz a 40 GHz.
• Matriz compacta de 0,40 × 0,40 × 0,15 mm.
• 330 pF ± 10% (5% disponíveis) a 30 V DC sem desvio de DC.
• LSE intrínseca inferior a 0,05 nH; Q > 2000 a 1 MHz.
• ISO 9001:2015 e RoHS compatível, metalização de ouro ligada a fio.
• Valores de capacitância personalizados disponíveis na mesma plataforma de matriz.

Especificações elétricas (T = 25°C, salvo indicação)

Aplicações típicas

• Módulos frontais de ondas milimétricas, com passo de almofada fino
• Bloqueio de corrente contínua de banda larga e correspondência de impedância
• Filtros e acopladores de RF compactos
• Elementos formadores de feixe de matriz de fases
• Microcircuitos híbridos de alta densidade