هکدرهای MOS الکترود فلزی زیر میکروونی خود تراز HACC106S30V330 330pF تراشه بدون پراکندگی 30 ولت

خازن MOS فلز بالایی خود تراز زیر میکرون HACC106S30V330 330pF 30V

خلاصه: HACC106S30V330 یک خازن MOS تک لایه 330 پیکوفاراد با تلرانس ±10% و ولتاژ 30 ولت DC است که دارای الکترود فلزی بالایی خود تراز زیر میکرون و پاسخ RF بدون پراکندگی است. این قطعه برای مدارهای فشرده موج میلی‌متری که به هندسه الکترود دقیق و مقدار ظرفیت خازنی پایدار نیاز دارند، در نظر گرفته شده است.

مرور کلی

HACC106S30V330 بر روی یک زیرلایه سیلیکونی شناور (بالاتر از 1000 اهم-سانتی‌متر) با دی‌الکتریک SiO2 حرارتی 300 نانومتری ساخته شده است. الکترود بالایی توسط یک فرآیند لیفت-آف خود تراز تعریف می‌شود که هندسه فلزی زیر میکرون را تولید می‌کند، که امکان فاصله پد کوچکتر و ظرفیت خازنی پارازیتی کمتر به ازای هر اتصال را فراهم می‌کند. ابعاد تراشه 0.40 × 0.40 × 0.15 میلی‌متر با حداقل فلزکاری طلای بالایی 2.5 میکرومتر است. این قطعه یک خازن MOS تک لایه در سطح تراشه (خازن قابل سیم‌بندی) برای مونتاژهای هیبریدی و تراشه و سیم است که به عنوان تراشه خازن تک لایه (SLC) نیز شناخته می‌شود._{0.40 × 0.40 × 0.15 میلی‌متر}فلز بالایی خود تراز زیر میکرون برای فاصله پد دقیق و ظرفیت خازنی پارازیتی کم.

پاسخ بدون پراکندگی با ظرفیت خازنی در محدوده ±1% از 100 هرتز تا 40 گیگاهرتز.

• تراشه فشرده 0.40 × 0.40 × 0.15 میلی‌متر.
• 330 پیکوفاراد ±10% (5% موجود) در 30 ولت DC بدون کاهش ولتاژ DC.
• ESL ذاتی کمتر از 0.05 نانو هانری؛ ضریب Q > 2000 در 1 مگاهرتز.
• مطابق با ISO 9001:2015 و RoHS، فلزکاری طلای قابل سیم‌بندی.
• مقادیر ظرفیت خازنی سفارشی در همان پلتفرم تراشه موجود است.
• مشخصات الکتریکی (T = 25 درجه سانتی‌گراد مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد)
• پارامتر

مقدار

عناصر شکل‌دهنده پرتو آرایه فازی

• مدارهای میکرو هیبریدی با چگالی بالا