आत्म संरेखित उप-माइक्रोन धातु इलेक्ट्रोड एमओएस संधारित्र HACC106S30V330 330pF 30V फैलाव मुक्त चिप

आत्म संरेखित उप-माइक्रोन शीर्ष धातु एमओएस संधारित्र HACC106S30V330 330pF 30V

सारांश:HACC106S30V330 एक 330 पीएफ ±10%, 30 वी डीसी एकल परत एमओएस कैपेसिटर है जिसमें एक स्व-संरेखित उप-माइक्रोन टॉप धातु इलेक्ट्रोड और एक फैलाव मुक्त आरएफ प्रतिक्रिया है।यह कॉम्पैक्ट मिलीमीटर तरंग सर्किट के लिए है जो एक ठीक इलेक्ट्रोड ज्यामिति और एक स्थिर क्षमता मूल्य की आवश्यकता है.

अवलोकन

HACC106S30V330 एक फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन सब्सट्रेट (1000 Ω · cm से ऊपर) पर बनाया गया है जिसमें 300 एनएम थर्मल SiO है₂ऊपरी इलेक्ट्रोड एक आत्म संरेखित लिफ्ट-ऑफ प्रक्रिया द्वारा परिभाषित किया जाता है जो एक उप-माइक्रोन धातु ज्यामिति का उत्पादन करता है,जो एक छोटे पैड पिच और कनेक्शन प्रति एक कम परजीवी क्षमता की अनुमति देता हैचिप का आयाम 0.40 × 0.40 × 0.15 मिमी है, जिसमें 2.5 माइक्रोन का न्यूनतम सोने का धातुकरण है।यह भाग हाइब्रिड और चिप-एंड-वायर असेंबली के लिए एक डाई-लेवल एकल-परत एमओएस कैपेसिटर (वायर बॉन्डेबल कैपेसिटर) है, जिसे एकल-परत संधारित्र (एसएलसी) चिप के रूप में भी जाना जाता है।

प्रमुख विशेषताएं

• सूक्ष्म पैड पिच और कम परजीवी क्षमता के लिए स्व-संरेखित उप-माइक्रोन शीर्ष धातु।
• 100 हर्ट्ज से 40 गीगाहर्ट्ज तक ± 1% के भीतर क्षमता के साथ विखंडन मुक्त प्रतिक्रिया।
• कॉम्पैक्ट 0.40 × 0.40 × 0.15 मिमी मर।
• 330 पीएफ ± 10% (5% उपलब्ध) 30 वी डीसी पर बिना डीसी पूर्वाग्रह के।
• 0.05 एनएच से नीचे आंतरिक ईएसएल; 1 मेगाहर्ट्ज पर Q > 2000।
• आईएसओ 9001:2015 और RoHS अनुरूप, तार बंधन योग्य सोने का धातुकरण।
• कस्टम कैपेसिटेंस मान एक ही डाई प्लेटफॉर्म पर उपलब्ध हैं।

विद्युत विनिर्देश (T = 25°C जब तक कि उल्लेख न किया गया हो)

विशिष्ट अनुप्रयोग

• मिमी तरंगों के सामने के मॉड्यूल
• ब्रॉडबैंड डीसी ब्लॉक और प्रतिबाधा मिलान
• कॉम्पैक्ट आरएफ फिल्टर और युग्मक
• चरणबद्ध-सरणी बीमफॉर्मर तत्व
• उच्च घनत्व वाले हाइब्रिड माइक्रोसर्किट