| Επωνυμία: | Hoan |
| Αριθμός μοντέλου: | HACC106S30V330 |
| MOQ: | 10 τεμάχια |
| Όροι πληρωμής: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Σύνοψη:Το HACC106S30V330 είναι ένας ενιαίο στρώμα MOS πυκνωτής 330 pF ± 10%, 30 V DC με αυτοδιαμορφωμένο ηλεκτρόδιο μεταλλικού επιπέδου κάτω των μικρών και απάντηση ραδιοσυχνοτήτων χωρίς διασπορά.Είναι σχεδιασμένο για συμπαγή κυκλώματα χιλιοστών κυμάτων που χρειάζονται λεπτή γεωμετρία ηλεκτροδίων και σταθερή τιμή χωρητικότητας.
Το HACC106S30V330 είναι κατασκευασμένο σε υπόστρωμα πυριτίου ζώνης πλεύσης (πάνω από 1000 Ω·cm) με θερμική τιμή SiO 300 nm2Το ανώτερο ηλεκτρόδιο ορίζεται από μια αυτοαρμονισμένη διαδικασία ανύψωσης που παράγει μια μεταλλική γεωμετρία κάτω των μικρών,που επιτρέπει μικρότερο βάθος και μικρότερη παρασιτική χωρητικότητα ανά σύνδεσηΤο τσιπ μετράει 0,40 × 0,40 × 0,15 mm με μέγιστη μεταλλική κορυφή χρυσού 2,5 μm.Το μέρος είναι ενιαίο στρώμα MOS πυκνωτή επιπέδου πετσέτας (σύρματος bondable πυκνωτή) για υβριδικές και τσιπ-και-σύρματος συναρμολογήσεις, επίσης γνωστό ως τσιπ μονόστρωτου πυκνωτή (SLC).
| Παράμετρος | Αξία | Συνθήκη δοκιμής |
|---|---|---|
| Δυνατότητα | 330 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Επιλογές ανοχής χωρητικότητας | ±10% (K), ±5% (J) | Επικεφαλής |
| Γεωμετρία κορυφαίου μετάλλου | Αυτοδιαμορφωμένο, πλάτος κάτω των μικρών | Διαδικασία ανάρτησης |
| Διασκορπισμός χωρητικότητας | Μέσα στο ± 1% | 100 Hz έως 40 GHz, 25°C |
| Διορισμένη τάση συνεχούς ρεύματος | 30 V | Συνεχή λειτουργία |
| Δυνατότητα διηλεκτρικής | Πάνω από 100 V DC | 1 λεπτό, 25°C |
| Εσωτερικό τσιπ ESL | Κάτω από 0,05 nH | Αποσύνδεση από τις παραμέτρους S |
| Ο συντελεστής Q σε 1 MHz | > 2000 | Τυπικό |
| ρεύμα διαρροής | Κάτω από 10 nA | 30 V DC, 25°C |
| Δηλεκτρικό | Θερμικό SiO2, 300 nm | Ξηρή οξείδωση |
| Μέγεθος τσιπ | 00,40 × 0,40 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Θέρμανση λειτουργίας | -55°C έως +125°C | Επικεφαλής |
![]()