λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Αυτοευθυγραμμισμένοι Υπομικρονικοί Μεταλλικοί Ηλεκτροδικοί Πυκνωτές MOS HACC106S30V330 330pF 30V Chip Χωρίς Διασπορά

Αυτοευθυγραμμισμένοι Υπομικρονικοί Μεταλλικοί Ηλεκτροδικοί Πυκνωτές MOS HACC106S30V330 330pF 30V Chip Χωρίς Διασπορά

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC106S30V330
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: L/C,D/A,D/P,T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Κορυφαία Μεταλλοποίηση:
Au, 2,5 μμ min
Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:
Au, 1,0 μμ min
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
RoHS:
Συμβατό με την ΕΕ 2015/863
Κατηγορία ESD:
Κατηγορία 0 (HBM)
Τύπος τοποθέτησης:
Συνδέσιμο με σύρμα / Ευτηκτική μήτρα
Επισημαίνω:

Αυτοευθυγραμμισμένος Πυκνωτής MOS 330pF 30V

,

Υπομικρομετρικός Μεταλλικός Ηλεκτροδικός Πυκνωτής MOS

,

Τσιπ Πυκνωτής MOS Χωρίς Διασπορά

Περιγραφή προϊόντων

Αυτοδιαμορφωμένος υπομικρονικός μεταλλικός MOS πυκνωτής HACC106S30V330 330pF 30V


Σύνοψη:Το HACC106S30V330 είναι ένας ενιαίο στρώμα MOS πυκνωτής 330 pF ± 10%, 30 V DC με αυτοδιαμορφωμένο ηλεκτρόδιο μεταλλικού επιπέδου κάτω των μικρών και απάντηση ραδιοσυχνοτήτων χωρίς διασπορά.Είναι σχεδιασμένο για συμπαγή κυκλώματα χιλιοστών κυμάτων που χρειάζονται λεπτή γεωμετρία ηλεκτροδίων και σταθερή τιμή χωρητικότητας.

Σύνοψη


Το HACC106S30V330 είναι κατασκευασμένο σε υπόστρωμα πυριτίου ζώνης πλεύσης (πάνω από 1000 Ω·cm) με θερμική τιμή SiO 300 nm2Το ανώτερο ηλεκτρόδιο ορίζεται από μια αυτοαρμονισμένη διαδικασία ανύψωσης που παράγει μια μεταλλική γεωμετρία κάτω των μικρών,που επιτρέπει μικρότερο βάθος και μικρότερη παρασιτική χωρητικότητα ανά σύνδεσηΤο τσιπ μετράει 0,40 × 0,40 × 0,15 mm με μέγιστη μεταλλική κορυφή χρυσού 2,5 μm.Το μέρος είναι ενιαίο στρώμα MOS πυκνωτή επιπέδου πετσέτας (σύρματος bondable πυκνωτή) για υβριδικές και τσιπ-και-σύρματος συναρμολογήσεις, επίσης γνωστό ως τσιπ μονόστρωτου πυκνωτή (SLC).


Βασικά χαρακτηριστικά


  • Αυτοαρμονισμένο μεταλλικό υψόμετρο για λεπτή αλυσίδα και χαμηλή παρασιτική χωρητικότητα.
  • "Προσωπική ισχύς" άνω των 100 W· και
  • Συμπίεση 0,40 × 0,40 × 0,15 mm.
  • 330 pF ± 10% (5% διαθέσιμα) σε 30 V συνεχούς ρεύματος χωρίς μείωση της παραμεριστικότητας συνεχούς ρεύματος.
  • Εσωτερική ESL κάτω από 0,05 nH· Q > 2000 σε 1 MHz.
  • ISO 9001:2015 και συμμόρφωση RoHS, μετάλλωση χρυσού που συνδέεται με σύρμα.
  • Προσαρμοσμένες τιμές χωρητικότητας που διατίθενται στην ίδια πλατφόρμα.


Ηλεκτρικές προδιαγραφές (T = 25°C, εκτός εάν αναφέρεται)


Παράμετρος Αξία Συνθήκη δοκιμής
Δυνατότητα 330 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Επιλογές ανοχής χωρητικότητας ±10% (K), ±5% (J) Επικεφαλής
Γεωμετρία κορυφαίου μετάλλου Αυτοδιαμορφωμένο, πλάτος κάτω των μικρών Διαδικασία ανάρτησης
Διασκορπισμός χωρητικότητας Μέσα στο ± 1% 100 Hz έως 40 GHz, 25°C
Διορισμένη τάση συνεχούς ρεύματος 30 V Συνεχή λειτουργία
Δυνατότητα διηλεκτρικής Πάνω από 100 V DC 1 λεπτό, 25°C
Εσωτερικό τσιπ ESL Κάτω από 0,05 nH Αποσύνδεση από τις παραμέτρους S
Ο συντελεστής Q σε 1 MHz > 2000 Τυπικό
ρεύμα διαρροής Κάτω από 10 nA 30 V DC, 25°C
Δηλεκτρικό Θερμικό SiO2, 300 nm Ξηρή οξείδωση
Μέγεθος τσιπ 00,40 × 0,40 × 0,15 mm ±0,025 mm
Θέρμανση λειτουργίας -55°C έως +125°C Επικεφαλής


Τυπικές εφαρμογές

  • Μονούλες με μιλιομετρικό κύμα με λεπτή απόσταση από το πάτωμα
  • Διακοπή ευρυζωνικού συνεχούς ρεύματος και αντιστοίχιση παρεμπόδισης
  • Συμπληρωματικά φίλτρα ραδιοσυχνοτήτων και σύνδεσμοι
  • Μέρη διαμόρφωσης δέσμης σε φάση
  • Υβριδικά μικροκυκλώματα υψηλής πυκνότητας


Αυτοευθυγραμμισμένοι Υπομικρονικοί Μεταλλικοί Ηλεκτροδικοί Πυκνωτές MOS HACC106S30V330 330pF 30V Chip Χωρίς Διασπορά