স্বয়ং সমন্বিত সাব-মাইক্রন মেটাল ইলেক্ট্রোড এমওএস ক্যাপাসিটর HACC106S30V330 330pF 30V বিচ্ছিন্নতা মুক্ত চিপ

স্ব-নিয়ন্ত্রিত সাব-মাইক্রন টপ মেটাল এমওএস ক্যাপাসিটর HACC106S30V330 330pF 30V

সংক্ষিপ্তসার:HACC106S30V330 হল একটি 330 পিএফ ±10%, 30 ভি ডিসি একক স্তর এমওএস ক্যাপাসিটর একটি স্ব-নিয়ন্ত্রিত সাব-মাইক্রন শীর্ষ ধাতব ইলেক্ট্রোড এবং একটি ছড়িয়ে-মুক্ত আরএফ প্রতিক্রিয়া সহ।এটি কমপ্যাক্ট মিলিমিটার-ওয়েভ সার্কিটগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যার জন্য একটি সূক্ষ্ম ইলেক্ট্রোড জ্যামিতি এবং একটি স্থিতিশীল ক্যাপাসিট্যান্স মান প্রয়োজন.

সংক্ষিপ্ত বিবরণ

HACC106S30V330 একটি ভাসমান-জোন সিলিকন সাবস্ট্র্যাট (১০০০ Ω·cm এর উপরে) এর উপর নির্মিত হয় যার 300 nm তাপীয় SiO₂শীর্ষ ইলেকট্রোড একটি স্ব-সমন্বিত উত্তোলন-আউট প্রক্রিয়া দ্বারা সংজ্ঞায়িত করা হয় যা একটি সাব-মাইক্রন ধাতু জ্যামিতি উত্পাদন করে,যা একটি ছোট প্যাড পিচ এবং সংযোগ প্রতি কম প্যারাসাইটিক ক্যাপাসিট্যান্স অনুমতি দেয়চিপটি 0.40 × 0.40 × 0.15 মিমি পরিমাপ করে, যার সর্বনিম্ন গোল্ড টপ ধাতবীকরণ 2.5 μm।অংশটি হ'ল হাইব্রিড এবং চিপ-এন্ড-ওয়্যার সমাবেশের জন্য একটি ডাই-লেভেল একক স্তরের এমওএস ক্যাপাসিটার (একটি তারের বন্ডযোগ্য ক্যাপাসিটার), যাকে একক স্তরীয় ক্যাপাসিটর (এসএলসি) চিপও বলা হয়।

মূল বৈশিষ্ট্য

• স্ব-সংশোধন উপ-মাইক্রন টপ ধাতু সূক্ষ্ম প্যাড পিচ এবং কম পরজীবী ক্যাপাসিট্যান্স জন্য।
• ১০০ হার্টজ থেকে ৪০ গিগাহার্টজ পর্যন্ত ১% এর মধ্যে ক্যাপাসিটেন্স সহ বিচ্ছিন্নতা মুক্ত প্রতিক্রিয়া।
• কমপ্যাক্ট ০.৪০ × ০.৪০ × ০.১৫ মিমি ডাই।
• ৩৩০ পিএফ ±১০% (৫% উপলব্ধ) ৩০ ভি ডিসিতে ডিসি বিভাজন হ্রাস ছাড়াই।
• 0.05 nH এর নিচে অন্তর্নিহিত ESL; Q > 2000 1 MHz এ।
• আইএসও ৯০০১ঃ২০১৫ এবং রোএইচএস মেনে চলার জন্য, তারের বন্ডেবল সোনার ধাতবীকরণ।
• একই ডাই প্ল্যাটফর্মে উপলব্ধ কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স মান।

বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন (T = 25°C যদি উল্লেখ না করা হয়)

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

• মিলিমিটার ওয়েভ ফ্রন্ট-এন্ড মডিউল
• ব্রডব্যান্ড ডিসি ব্লকিং এবং ইম্পেড্যান্স মেলে
• কমপ্যাক্ট আরএফ ফিল্টার এবং সংযোজক
• ধাপযুক্ত অ্যারে রশ্মি গঠনকারী উপাদান
• উচ্চ ঘনত্বের হাইব্রিড মাইক্রোসার্কিট