HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HACC106S30V330 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | L/C, D/A, D/P, T/T |
Podsumowanie: HACC106S30V330 to jednowarstwowy kondensator MOS o pojemności 330 pF ±10% i napięciu 30 V DC, z samoczynnie wyrównaną podmikronową elektrodą górnego metalu i bezdyspersyjną charakterystyką RF. Jest przeznaczony do kompaktowych obwodów milimetrowych, które wymagają precyzyjnej geometrii elektrody i stabilnej wartości pojemności.
HACC106S30V330 jest zbudowany na podłożu krzemowym typu float-zone (powyżej 1000 Ω·cm) z dielektrykiem termicznym SiO2 o grubości 300 nm. Górna elektroda jest zdefiniowana przez samoczynnie wyrównany proces lift-off, który tworzy podmikronową geometrię metalu, umożliwiając mniejszy rozstaw padów i niższą pojemność pasożytniczą na połączenie. Chip ma wymiary 0,40 × 0,40 × 0,15 mm z minimalną metalizacją górną złotą 2,5 µm. Produkt jest kondensatorem jednowarstwowym na poziomie chipa (kondensator do drutowania) do montażu hybrydowego i chip-and-wire, znanym również jako chip kondensatora jednowarstwowego (SLC).
| Parametr | Wartość | Warunek testowy |
|---|---|---|
| Pojemność | 330 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opcje tolerancji pojemności | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Geometria górnego metalu | Samoczynnie wyrównana, szerokość podmikronowa | Proces lift-off |
| Dyspersja pojemności | W granicach ±1% | 100 Hz do 40 GHz, 25°C |
| Znamionowe napięcie DC | 30 V | Ciągła praca |
| Wytrzymałość dielektryczna | Powyżej 100 V DC | 1 minuta, 25°C |
| Wewnętrzne ESL chipa | Poniżej 0,05 nH | Wyodrębnione z parametrów S |
| Współczynnik Q przy 1 MHz | >2000 | Typowy |
| Prąd upływu | Poniżej 10 nA | 30 V DC, 25°C |
| Dielektryk | Termiczne SiO2, 300 nm | Utlenianie na sucho |
| Wymiary chipa | 0,40 × 0,40 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Temperatura pracy | -55°C do +125°C | — |
