| Название бренда: | Hoan |
| Номер модели: | ХАКК106С30В330 |
| минимальный заказ: | 10 шт. |
| Условия оплаты: | Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т |
Резюме:HACC106S30V330 представляет собой однослойный конденсатор MOS мощностью 330 pF ±10%, 30 V DC с саморазвертывающимся субмикронным верхним металлическим электродом и радиочастотным откликом без дисперсии.Он предназначен для компактных микросхем миллиметровой волны, которые требуют тонкой геометрии электродов и стабильного значения емкости.
HACC106S30V330 построен на плавучей зоне кремниевого субстрата (выше 1000 Ω·cm) с тепловым SiO 300 нм2верхний электрод определяется саморазвертывающимся процессом подъема, который создает металлическую геометрию до микрона,что позволяет меньше наклона прокладки и более низкую паразитическую емкость на соединениеЧип имеет размеры 0,40 × 0,40 × 0,15 мм с минимальной металлизацией золотой вершины 2,5 мкм.Часть представляет собой однослойный конденсатор MOS на уровне штамповки (конденсатор, поддающийся навязыванию проволокой) для гибридных и чип-и-проволочных сборов, также называемый однослойным конденсатором (SLC).
| Параметр | Стоимость | Условия испытания |
|---|---|---|
| Пропускная способность | 330 pF ±10% | 1 МГц, 1,0 ВРМ |
| Варианты допустимости емкости | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Геометрия верхнего металла | Саморазвертывающийся, подмикронная ширина | Процесс подъема |
| Дисперсия емкости | В пределах ± 1% | от 100 Гц до 40 ГГц, при температуре 25°С |
| Номинальное постоянное напряжение | 30 В | Непрерывная работа |
| Диэлектрическая прочность | Выше 100 В постоянного тока | 1 минута, 25°C |
| Внутренний чип ESL | Ниже 0,05 нГ | Снято с S-параметров |
| Q-фактор при 1 МГц | >2000 | Типичный |
| Ток утечки | Ниже 10 нА | 30 В постоянного тока, 25°С |
| Диэлектрический | Тепловая SiO2, 300 нм | Сухое окисление |
| Размеры микросхем | 00,40 × 0,40 × 0,15 мм | ± 0,025 мм |
| Операционная температура | -55°C до +125°C | — |
![]()