Подробная информация о продукции

Created with Pixso. Дом Created with Pixso. Продукты Created with Pixso.
Конденсаторы MOS
Created with Pixso.

?

?

Название бренда: Hoan
Номер модели: ХАКК106С30В330
минимальный заказ: 10 шт.
Условия оплаты: Л/К, Д/А, Д/П, Т/Т
Детальная информация
Место происхождения:
Шэньси, Китай
Сертификация:
ISO 9001:2015, RoHS
Топ Металлизация:
Au, 2,5 мкм мин.
Задняя металлизация:
Au, 1,0 мкм мин.
Рабочая температура:
от -55°С до +125°С
РоХС:
Соответствует ЕС 2015/863
Класс ЭСР:
Класс 0 (ХБМ)
Тип монтажа:
Крепление проволочной/эвтектической матрицы
Выделить:

Самовыравнивающийся MOS-конденсатор 330пФ 30В

,

Субмикронный металлический электрод MOS-конденсатора

,

MOS-конденсатор без дисперсии

Характер продукции

Саморазвертывающийся субмикронный верхний металлический MOS конденсатор HACC106S30V330 330pF 30V


Резюме:HACC106S30V330 представляет собой однослойный конденсатор MOS мощностью 330 pF ±10%, 30 V DC с саморазвертывающимся субмикронным верхним металлическим электродом и радиочастотным откликом без дисперсии.Он предназначен для компактных микросхем миллиметровой волны, которые требуют тонкой геометрии электродов и стабильного значения емкости.

Обзор


HACC106S30V330 построен на плавучей зоне кремниевого субстрата (выше 1000 Ω·cm) с тепловым SiO 300 нм2верхний электрод определяется саморазвертывающимся процессом подъема, который создает металлическую геометрию до микрона,что позволяет меньше наклона прокладки и более низкую паразитическую емкость на соединениеЧип имеет размеры 0,40 × 0,40 × 0,15 мм с минимальной металлизацией золотой вершины 2,5 мкм.Часть представляет собой однослойный конденсатор MOS на уровне штамповки (конденсатор, поддающийся навязыванию проволокой) для гибридных и чип-и-проволочных сборов, также называемый однослойным конденсатором (SLC).


Ключевые особенности


  • Саморазвертывающийся субмикронный металл для тонкой пропилки и низкой паразитарной емкости.
  • Ответ без дисперсии с емкостью в пределах ± 1% от 100 Гц до 40 ГГц.
  • Компактная прокладка 0,40 × 0,40 × 0,15 мм.
  • 330 pF ± 10% (доступно 5%) при 30 В постоянного тока без снижения предвзятости постоянного тока.
  • Внутренняя ESL ниже 0,05 nH; Q > 2000 при 1 MHz.
  • ISO 9001:2015 и RoHS соответствующие, металлизация золота с проволокой.
  • Установлены настраиваемые величины емкости, доступные на той же платформе.


Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано)


Параметр Стоимость Условия испытания
Пропускная способность 330 pF ±10% 1 МГц, 1,0 ВРМ
Варианты допустимости емкости ±10% (K), ±5% (J) —
Геометрия верхнего металла Саморазвертывающийся, подмикронная ширина Процесс подъема
Дисперсия емкости В пределах ± 1% от 100 Гц до 40 ГГц, при температуре 25°С
Номинальное постоянное напряжение 30 В Непрерывная работа
Диэлектрическая прочность Выше 100 В постоянного тока 1 минута, 25°C
Внутренний чип ESL Ниже 0,05 нГ Снято с S-параметров
Q-фактор при 1 МГц >2000 Типичный
Ток утечки Ниже 10 нА 30 В постоянного тока, 25°С
Диэлектрический Тепловая SiO2, 300 нм Сухое окисление
Размеры микросхем 00,40 × 0,40 × 0,15 мм ± 0,025 мм
Операционная температура -55°C до +125°C —


Типичные применения

  • Миллиметровые модули передней части с тонкой наклоной подушки
  • Блокировка широкополосного постоянного тока и сопоставление импеданс
  • Компактные радиочастотные фильтры и соединители
  • Элементы фазового массива
  • Гибридные микросхемы высокой плотности


?