Capacitores MOS de electrodos metálicos submicrónicos autoalineados HACC106S30V330 330pF 30V con chip libre de dispersión

Condensador MOS de metal superior autoalineado submicrométrico HACC106S30V330 330pF 30V

Resumen: El HACC106S30V330 es un condensador MOS de una sola capa de 330 pF ±10%, 30 V CC con un electrodo de metal superior autoalineado submicrométrico y una respuesta de RF sin dispersión. Está diseñado para circuitos compactos de onda milimétrica que necesitan una geometría de electrodo fina y un valor de capacitancia estable.

Descripción general

El HACC106S30V330 está construido sobre un sustrato de silicio de zona flotante (superior a 1000 Ω·cm) con un dieléctrico de SiO de 300 nm₂ térmico. El electrodo superior se define mediante un proceso de "lift-off" autoalineado que produce una geometría metálica submicrométrica, lo que permite un paso de pad más pequeño y una menor capacitancia parásita por conexión. El chip mide 0,40 × 0,40 × 0,15 mm con una metalización superior de oro mínima de 2,5 µm. La pieza es un condensador MOS de una sola capa a nivel de chip (un condensador soldable por hilo) para ensamblajes híbridos y de chip y cable, también conocido como chip de condensador de una sola capa (SLC).

Características principales

• Metal superior autoalineado submicrométrico para un paso de pad fino y baja capacitancia parásita.
• Respuesta sin dispersión con capacitancia dentro de ±1% de 100 Hz a 40 GHz.
• Chip compacto de 0,40 × 0,40 × 0,15 mm.
• 330 pF ±10% (disponible 5%) a 30 V CC sin reducción por polarización CC.
• ESL intrínseca inferior a 0,05 nH; Q > 2000 a 1 MHz.
• Cumple con ISO 9001:2015 y RoHS, metalización de oro soldable por hilo.
• Valores de capacitancia personalizados disponibles en la misma plataforma de chip.

Especificaciones eléctricas (T = 25 °C a menos que se indique lo contrario)

Aplicaciones típicas

• Módulos frontales de onda milimétrica con paso de pad fino
• Bloqueo de CC de banda ancha y adaptación de impedancia
• Filtros y acopladores de RF compactos
• Elementos formadores de haz de phased-array
• Microcircuitos híbridos de alta densidad