HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HACC106S30V330 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
요약: HACC106S30V330은 자가 정렬 서브 마이크론 탑 메탈 전극과 분산 없는 RF 응답을 갖춘 330 pF ±10%, 30 V DC 단일 레이어 MOS 커패시터입니다. 미세 전극 형상과 안정적인 커패시턴스 값이 필요한 소형 밀리미터파 회로용으로 설계되었습니다.
HACC106S30V330은 1000 Ω·cm 이상의 플로트 존 실리콘 기판에 300nm 두께의 열 산화 SiO2 유전체를 기반으로 제작되었습니다. 탑 전극은 서브 마이크론 금속 형상을 생성하는 자가 정렬 리프트오프 공정으로 정의되어 패드 피치를 줄이고 연결당 기생 커패시턴스를 낮출 수 있습니다. 칩 크기는 0.40 × 0.40 × 0.15mm이며 최소 2.5μm의 금 탑 금속화가 적용됩니다. 이 부품은 하이브리드 및 칩앤와이어 어셈블리에 사용되는 다이 레벨 단일 레이어 MOS 커패시터(와이어 본딩 가능 커패시터)이며, 단일 레이어 커패시터(SLC) 칩이라고도 합니다.
| 매개변수 | 값 | 테스트 조건 |
|---|---|---|
| 커패시턴스 | 330 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| 커패시턴스 허용 오차 옵션 | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| 탑 메탈 형상 | 자가 정렬, 서브 마이크론 폭 | 리프트오프 공정 |
| 커패시턴스 분산 | ±1% 이내 | 100 Hz ~ 40 GHz, 25°C |
| 정격 DC 전압 | 30 V | 연속 작동 |
| 유전체 강도 | 100 V DC 이상 | 1분, 25°C |
| 내부 칩 ESL | 0.05 nH 미만 | S-파라미터에서 디임베딩됨 |
| 1 MHz에서의 Q 팩터 | >2000 | 일반 |
| 누설 전류 | 10 nA 미만 | 30 V DC, 25°C |
| 유전체 | 열 산화 SiO2, 300 nm | 건식 산화 |
| 칩 치수 | 0.40 × 0.40 × 0.15 mm | ±0.025 mm |
| 작동 온도 | -55°C ~ +125°C | — |
