Selbstausrichtende Submikrometer-Metall-Elektroden-MOS-Kondensatoren HACC106S30V330 330pF 30V dispersionsfreie Chip

Selbstausrichtender Submikrometer-Top-Metall-MOS-Kondensator HACC106S30V330 330pF 30V

Zusammenfassung:Der HACC106S30V330 ist ein einlagiger MOS-Kondensator mit 330 pF ±10% und 30 V DC mit einer selbstausrichtenden Submikrometer-Top-Metallelektrode und einem dispersionsfreien HF-Verhalten. Er ist für kompakte Millimeterwellenschaltungen konzipiert, die eine feine Elektrodengeometrie und einen stabilen Kapazitätswert benötigen.

Übersicht

Der HACC106S30V330 basiert auf einem Float-Zone-Siliziumsubstrat (über 1000 Ω·cm) mit einem 300 nm dicken thermischen SiO₂ Dielektrikum. Die Top-Elektrode wird durch einen selbstausrichtenden Lift-off-Prozess definiert, der eine Submikrometer-Metallgeometrie erzeugt, was einen kleineren Pad-Pitch und eine geringere parasitäre Kapazität pro Anschluss ermöglicht. Der Chip misst 0,40 × 0,40 × 0,15 mm mit einer minimalen Gold-Top-Metallisierung von 2,5 µm. Das Bauteil ist ein einlagiger MOS-Kondensator auf Die-Ebene (ein drahtbondfähiger Kondensator) für Hybrid- und Chip-and-Wire-Aufbauten, auch als Single-Layer-Capacitor (SLC) Chip bezeichnet.

Hauptmerkmale

• Selbstausrichtendes Submikrometer-Top-Metall für feinen Pad-Pitch und geringe parasitäre Kapazität.
• Dispersionsfreies Verhalten mit Kapazität innerhalb von ±1% von 100 Hz bis 40 GHz.
• Kompakter 0,40 × 0,40 × 0,15 mm Die.
• 330 pF ±10% (5% verfügbar) bei 30 V DC ohne DC-Bias-Derating.
• Intrinsische ESL unter 0,05 nH; Q > 2000 bei 1 MHz.
• ISO 9001:2015 und RoHS-konform, drahtbondfähige Goldmetallisierung.
• Kundenspezifische Kapazitätswerte auf derselben Die-Plattform verfügbar.

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht anders angegeben)

Typische Anwendungen

• Millimeterwellen-Front-End-Module mit feinem Pad-Pitch
• Breitbandige DC-Blockierung und Impedanzanpassung
• Kompakte HF-Filter und Koppler
• Phased-Array-Beamformer-Elemente
• Hochdichte Hybrid-Mikroschaltungen