HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HACC106S30V330 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T |
ملخص:HACC106S30V330 هو مكثف MOS أحادي الطبقة 330 pF ± 10٪ ، 30 V DC مع كهرباء معدنية ذاتية التوافق تحت الميكرون وأجابة RF خالية من التشتت.وهي مخصصة للدوائر المدمجة بالميليمترا التي تحتاج إلى هندسة كهربائية دقيقة وقيمة سعة مستقرة.
تم بناء HACC106S30V330 على رصيف السيليكون في المنطقة العائمة (فوق 1000 Ω · cm) مع SiO حرارية 300 نانومتر2الالكترود العلوي يتم تحديده بواسطة عملية رفع ذاتية التنسيق التي تنتج هندسة معدنية تحت الميكرونوالذي يسمح بمساحة مساحة أقل و سعة طفيلية أقل لكل اتصالتُقاس الشريحة 0.40 × 0.40 × 0.15 ملم مع 2.5 ميكرو متراً من الذهب.الجزء هو مكثف MOS من طبقة واحدة (مكثف قابل لربط الأسلاك) لمجموعات الهجينة والشريحة والأسلاك، يشار إليها أيضًا باسم رقاقة مكثف طبقة واحدة (SLC).
| المعلم | القيمة | حالة الاختبار |
|---|---|---|
| السعة | 330 pF ± 10% | 1 ميغاهرتز، 1.0 Vrms |
| خيارات التسامح بين السعة | ± 10% (K) ، ± 5% (J) | |
| الهندسة المعدنية العليا | ذاتية التحالف، عرض تحت الميكرون | عملية الإقلاع |
| تشتت السعة | ضمن ± 1% | 100 هرتز إلى 40 غيغاهرتز، 25 درجة مئوية |
| الجهد المشترك المسموح به | 30 فولت | التشغيل المستمر |
| قوة الكهرباء المضادة | فوق 100 فولت DC | دقيقة واحدة، 25 درجة مئوية |
| الشريحة الداخلية ESL | أقل من 0.05 nH | غير مضمنة من معايير S |
| عامل Q عند 1 ميگاهرتز | >2000 | نموذجي |
| تيار التسرب | أقل من 10 nA | 30 فولت DC، 25 درجة مئوية |
| الديليكتريك | الـ SiO الحراري2, 300 نلم | الأكسدة الجافة |
| أبعاد الشريحة | 0.40 × 0.40 × 0.15 ملم | ±0.025 ملم |
| درجة حرارة العمل | -55°C إلى +125°C | |
