Self-Aligned Sub-Micron Metal Electrode MOS Kondensator HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Kapasitor MOS Logam Atas Sub-Mikron yang Sejajar Mandiri HACC106S30V330 330pF 30V

Ringkasan: HACC106S30V330 adalah kapasitor MOS tunggal berlapis 330 pF ±10%, 30 V DC dengan elektroda logam atas sub-mikron yang sejajar mandiri dan respons RF bebas dispersi. Kapasitor ini ditujukan untuk sirkuit gelombang milimeter yang ringkas yang membutuhkan geometri elektroda yang halus dan nilai kapasitansi yang stabil.

Tinjauan

HACC106S30V330 dibangun di atas substrat silikon float-zone (di atas 1000 Ω·cm) dengan dielektrik termal SiO₂ setebal 300 nm. Elektroda atas ditentukan oleh proses lift-off yang sejajar mandiri yang menghasilkan geometri logam sub-mikron, yang memungkinkan jarak antar pad yang lebih kecil dan kapasitansi parasit per koneksi yang lebih rendah. Chip berukuran 0,40 × 0,40 × 0,15 mm dengan metalisasi emas atas minimum 2,5 µm. Bagian ini adalah kapasitor MOS tunggal berlapis tingkat chip (kapasitor yang dapat diikat kawat) untuk rakitan hibrida dan chip-dan-kawat, juga disebut sebagai chip kapasitor tunggal berlapis (SLC).

Fitur Utama

• Logam atas sub-mikron yang sejajar mandiri untuk jarak antar pad yang halus dan kapasitansi parasit yang rendah.
• Respons bebas dispersi dengan kapasitansi dalam ±1% dari 100 Hz hingga 40 GHz.
• Chip ringkas 0,40 × 0,40 × 0,15 mm.
• 330 pF ±10% (tersedia 5%) pada 30 V DC tanpa penurunan tegangan DC.
• ESL intrinsik di bawah 0,05 nH; Q > 2000 pada 1 MHz.
• Sesuai ISO 9001:2015 dan RoHS, metalisasi emas yang dapat diikat kawat.
• Nilai kapasitansi khusus tersedia pada platform chip yang sama.

Spesifikasi Listrik (T = 25°C kecuali dicatat)

Aplikasi Tipikal

• Modul front-end gelombang milimeter dengan jarak antar pad yang halus
• Pemblokiran DC broadband dan pencocokan impedansi
• Filter dan kopling RF ringkas
• Elemen pembentuk berkas susunan bertahap
• Sirkuit mikro hibrida kepadatan tinggi