Chất điện tử kim loại siêu vi tử tự sắp xếp MOS HACC106S30V330 330pF chip không phân tán 30V

Capacitor MOS kim loại siêu nhỏ tự sắp xếp HACC106S30V330 330pF 30V

Tóm lại:HACC106S30V330 là một 330 pF ± 10%, 30 V DC MOS đơn lớp tụ với một điện cực kim loại đầu tiên tự sắp xếp dưới micron và phản ứng RF không phân tán.Nó được thiết kế cho các mạch sóng milimet nhỏ gọn cần hình học điện cực mịn và giá trị điện dung ổn định.

Tổng quan

HACC106S30V330 được xây dựng trên nền silicon vùng nổi (cao hơn 1000 Ω · cm) với nhiệt SiO 300 nm₂Điện cực trên được xác định bởi một quá trình tự sắp xếp để tạo ra một hình học kim loại dưới micron,cho phép một pitch pad nhỏ hơn và dung lượng ký sinh thấp hơn mỗi kết nốiChip có kích thước 0,40 × 0,40 × 0,15 mm với 2,5 μm kim loại hóa vàng tối thiểu.Phần này là một tụ điện MOS đơn lớp ở cấp độ chết (một tụ điện có thể kết nối dây) cho các tập hợp lai và chip và dây, còn được gọi là chip tụ đơn lớp (SLC).

Các đặc điểm chính

• Kim loại tự sắp xếp dưới micron để làm mịn và có dung lượng ký sinh trùng thấp.
• Phản ứng không phân tán với công suất trong phạm vi ± 1% từ 100 Hz đến 40 GHz.
• Dát nhỏ gọn 0,40 × 0,40 × 0,15 mm.
• 330 pF ± 10% (5% có sẵn) ở 30 V DC mà không có điều chỉnh thiên vị DC.
• ESL nội tại dưới 0,05 nH; Q > 2000 ở 1 MHz.
• ISO 9001: 2015 và tuân thủ RoHS, kim loại hóa vàng có thể liên kết dây.
• Giá trị điện dung tùy chỉnh có sẵn trên cùng một nền tảng die.

Thông số kỹ thuật điện (T = 25°C trừ khi có ghi chú)

Các ứng dụng điển hình

• Các mô-đun phía trước sóng milimét với độ cao đệm mỏng
• Chặn DC băng thông rộng và khớp trở
• Bộ lọc và nối RF nhỏ gọn
• Các yếu tố tạo hình chùm pha
• Máy vi mạch lai mật độ cao