Zelfuitlijnde submicron metalen elektrode MOS condensatoren HACC106S30V330 330pF 30V Dispersion Free Chip

Zelfopgestelde submicron top metalen MOS condensator HACC106S30V330 330pF 30V

SamenvattingDe HACC106S30V330 is een 330 pF ±10%, 30 V DC enkellagige MOS-capacitor met een zelf-uitlijnende sub-micron bovenste metalen elektrode en een dispersievrije RF-respons.Het is bedoeld voor compacte millimetergolfcircuits die een fijne elektrode-geometrie en een stabiele capaciteitswaarde nodig hebben.

Overzicht

De HACC106S30V330 is gebouwd op een siliciumsubstraat met drijvende zone (boven 1000 Ω·cm) met een thermische SiO van 300 nm₂De bovenste elektrode wordt gedefinieerd door een zelf-uitlijnend lift-off proces dat een submicron metalen geometrie produceert,die een kleinere padpitch en een lagere parasitaire capaciteit per verbinding mogelijk maaktDe chip heeft een afmeting van 0,40 × 0,40 × 0,15 mm met een minimum van 2,5 μm goudtopmetallisatie.Het onderdeel is een enkellaag MOS-capacitor (een draadbindend condensator) voor hybride en chip-and-wire-assemblies, ook wel een eenlaagse condensator (SLC) chip genoemd.

Belangrijkste kenmerken

• Zelf-uitlijnend sub-micron top metaal voor fijne pad pitch en lage parasitaire capaciteit.
• "Technologie" voor het "ontwikkelen" of "ontwikkelen" van "technologieën" bedoeld in 5A001.a.1., 5A001.b.1. en 5A001.b.1.
• Compacte 0,40 × 0,40 × 0,15 mm matrijs.
• 330 pF ± 10% (5% beschikbaar) bij 30 V gelijkstroom zonder DC-bias-deraat.
• Intrinsieke ESL onder 0,05 nH; Q > 2000 bij 1 MHz.
• ISO 9001:2015 en RoHS-conform, metalen goud met draadbinding.
• Op maat gemaakte capaciteitswaarden die beschikbaar zijn op hetzelfde matrijsplatform.

Elektrische specificaties (T = 25°C, tenzij vermeld)

Typische toepassingen

• voorzijde-modules voor millimetergolven met fijne padpitch
• Breedband DC-blokkering en impedantieafsluiting
• Compacte RF-filters en koppelers
• Beamformers met een fasearray
• Hybride microcircuits met een hoge dichtheid