เครื่องปรับความหนา MOS อิเล็กทรอนโลหะใต้ไมครอนที่ปรับตัวเอง HACC106S30V330 330pF 30V ชิปไร้การกระจาย

เครื่องประกอบความเข้มข้น MOS ท็อปโลหะ Sub-Micron ที่ตรงกันเอง HACC106S30V330 330pF 30V

สรุป:HACC106S30V330 เป็น 330 pF ± 10%, 30 V DC MOS capacitor ชั้นเดียวที่มีไฟฟ้าโลหะด้านบน sub-micron ที่สอดคล้องกันเองและการตอบสนอง RF ที่ไม่มีการกระจายสําหรับวงจรคลื่นมิลลิเมตรที่คอมพัคต์ ที่ต้องการจีโอเมตริของอิเล็กทรอนด์ที่ละเอียด และค่าความจุที่มั่นคง.

ภาพรวม

HACC106S30V330 ถูกสร้างขึ้นบนพื้นฐานซิลิคอนโซนลอย (มากกว่า 1000 Ω · cm) ด้วยความร้อน 300 nm SiO₂dielectric อิเล็กทรอร์โด้ด้านบนถูกกําหนดโดยกระบวนการยกตัวเองที่ผลิตรูปทรงโลหะขนาดเล็กกว่าไมครอนซึ่งอนุญาตให้มีพัดปิชขนาดเล็กและความจุปรสิตต่ํากว่าต่อต่อต่อชิปมีขนาด 0.40 × 0.40 × 0.15 มม.The part is a die-level single-layer MOS capacitor (a wire bondable capacitor) สําหรับการประกอบแบบไฮบริดและชิปและสาย, also referred to as a single-layer capacitor (SLC) chip ชิปที่สามารถนํามาใช้ได้อย่างง่ายดาย

ลักษณะสําคัญ

• โลหะชั้นใต้ไมครอนที่ปรับตัวเอง สําหรับพัดพิมพ์ดีและความจุปรสิตต่ํา
• การตอบสนองที่ไม่มีการกระจายกับความจุภายใน ± 1% จาก 100 Hz ถึง 40 GHz
• เครื่องพิมพ์ขนาดเล็ก 0.40 × 0.40 × 0.15 มิลลิเมตร
• 330 pF ± 10% (5% สามารถใช้ได้) ที่ 30 V DC โดยไม่มี DC bias derating
• ESL ภายในต่ํากว่า 0.05 nH; Q > 2000 ที่ 1 MHz
• ISO 9001:2015 และ RoHS ตรงกัน, โลหะโลหะทองที่สามารถเชื่อมต่อกับสายไฟ
• ค่าความจุที่กําหนดเองที่มีอยู่บนแพลตฟอร์ม die เดียวกัน

รายละเอียดไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่ระบุไว้)

การใช้งานทั่วไป

• โมดูลด้านหน้าคลื่นมิลลิเมตร ที่มีปัดปัดละเอียด
• การปิดสายพานกลางแบบบร็อดแบนด์ และการจับคู่อุปสรรค
• เครื่องกรองและเครื่องเชื่อม RF compact
• อุปกรณ์สร้างรังสีแบบเรียงระยะ
• วงจรไมโครไฮบริดความหนาแน่นสูง