Kendiliğinden Hizalanmış Alt Mikron Metal Elektrot MOS Kapasitörleri HACC106S30V330 330pF 30V Dağılımsız Çip

Kendini Hizalayan Sub-Mikron Top Metal MOS Kondensatörü HACC106S30V330 330pF 30V

Özet:HACC106S30V330, kendi kendine hizalı bir sub-mikron üst metal elektrot ve dağılımsız bir RF tepkisi olan 330 pF ± 10%, 30 V DC tek katmanlı MOS kondansatörüdür.İnce bir elektrot geometri ve istikrarlı kapasans değeri gerektiren kompakt milimetre dalga devreleri için tasarlanmıştır.

Genel bakış

HACC106S30V330, yüzme bölgesi silikon substratı üzerinde inşa edilmiştir (1000 Ω · cm'den fazla) 300 nm termal SiO ile₂Dielektrik: üst elektrot, mikronun altındaki bir metal geometri üreten kendi kendine hizalı bir kaldırma süreci ile tanımlanır.ki bu da bağlantı başına daha küçük bir yastık pitch ve daha düşük bir parazitik kapasitans sağlar.Çipin boyutları 0.40 × 0.40 × 0.15 mm ve en az 2.5 μm altın üst metalizasyon.Parça, hibrit ve çip ve tel montajları için bir ölçekli tek katmanlı MOS kondansatörüdür (silim bağlanabilir kondansatör)Tek katmanlı kondansatör (SLC) çip olarak da adlandırılır.

Temel Özellikler

• Kendini hizalayan mikro alt üst metali ince yastık pitch ve düşük parazit kapasitansı için.
• 100 Hz'den 40 GHz'e kadar olan kapasitans ± 1% arasında olan dispersiyonsuz yanıt.
• Kompakt 0.40 × 0.40 × 0.15 mm mat.
• 330 pF ± 10% (% 5 kullanılabilir) 30 V DC'de DC yanılımı değerlendirme olmadan.
• İçsel ESL 0,05 nH'nin altında; Q > 2000 1 MHz'de.
• ISO 9001:2015 ve RoHS uyumlu, tel bağlanabilir altın metallemesi.
• Aynı ölçekleme platformunda mevcut özel kapasitans değerleri.

Elektriksel özellikler (T = 25°C, belirtilmediği sürece)

Tipik Uygulamalar

• İnce patlama alanı olan milimetre dalga ön uç modülleri
• Geniş bant DC engelleme ve impedans eşleştirme
• Kompakt RF filtreleri ve çiftleyicileri
• Aşamalı dizi ışın formörü elemanları
• Yüksek yoğunluklu hibrit mikro devreler